全像電鑄板表面製程技術評估
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技術名稱-中文全像電鑄板表面製程技術評估的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是105, 計畫名稱是高階稀有綠能材料應用研究發展計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是完成光學級電鑄母板能量技術建立，表面粗糙度≦0.5um，提高廠商產品品質。, 潛力預估是光學薄膜製程、電鍍表面處理。.

序號	8392
產出年度	105
技術名稱-中文	全像電鑄板表面製程技術評估
執行單位	中科院材料暨光電研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	將鑽石切割線預鍍鎳前處理技術衍生至光學薄膜鍍鎳層前處理技術，提高廠商產品品質。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	完成光學級電鑄母板能量技術建立，表面粗糙度≦0.5um，提高廠商產品品質。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	光學薄膜製程、電鍍表面處理製程。
潛力預估	光學薄膜製程、電鍍表面處理。
聯絡人員	鄭名津
電話	03-4712201# 357143
傳真	03-4714368
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx
所須軟硬體設備	化學反應槽。
需具備之專業人才	化學相關背景

序號

8392

產出年度

105

技術名稱-中文

全像電鑄板表面製程技術評估

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階稀有綠能材料應用研究發展計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

將鑽石切割線預鍍鎳前處理技術衍生至光學薄膜鍍鎳層前處理技術，提高廠商產品品質。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

完成光學級電鑄母板能量技術建立，表面粗糙度≦0.5um，提高廠商產品品質。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

光學薄膜製程、電鍍表面處理製程。

潛力預估

光學薄膜製程、電鍍表面處理。

聯絡人員

鄭名津

電話

03-4712201# 357143

傳真

03-4714368

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx

所須軟硬體設備

化學反應槽。

需具備之專業人才

化學相關背景

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鋁嫆湯清淨度分析技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 \| 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需 @ 技術司可移轉技術資料集
貴金屬廢液分離回收技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 綠色產業用金屬材料應用研究發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 貴金屬(鈀、鉑、銠)純度≧4N及回收率≧99%。 \| 潛力預估: 各式貴金屬回收應用及吸附劑表面改質。 @ 技術司可移轉技術資料集
廢棄螢光粉單色分離回收技術	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 紅色螢光粉，綠色螢光粉。 \| 潛力預估: 配合經濟部2012年「台灣稀有金屬需求現況與未來策略作法」，各相關單位運用政策工具加強推動稀有金屬之產業化。以國內廢棄螢光粉資源再利用為目的，建立螢光粉分離、純化技術，提供給業界應用，達成稀有金屬資源... @ 技術司可移轉技術資料集
廢螢光粉中稀土釔之回收純化技術	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 稀有金屬釔純度≧3N及回收率≧80%。 \| 潛力預估: 配合經濟部2012年「台灣稀有金屬需求現況與未來策略作法」，各相關單位運用政策工具加強推動稀有金屬之產業化。以國內廢棄螢光粉資源再利用為目的，建立高效之稀土釔分離、純化技術，達成稀有金屬資源加值化技術... @ 技術司可移轉技術資料集
釔的純化方法	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 釔純度≧4N及回收率≧85%。 \| 潛力預估: 配合經濟部2012年「台灣稀有金屬需求現況與未來策略作法」，各相關單位運用政策工具加強推動稀有金屬之產業化。以國內廢棄螢光粉資源再利用為目的，建立螢光粉分離、純化技術，提供給業界應用，達成稀有金屬資源... @ 技術司可移轉技術資料集
氧化釔純化技術評估	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 氧化釔純度≧4N。 \| 潛力預估: 可應用於LED、被動元件、 Cover Lens、牙齒矯正器、透明陶瓷元件。 @ 技術司可移轉技術資料集
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半導體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I401806號 \| 專利期間起: 102/07/11 \| 專利期間訖: 117/12/01 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 專利發明人: 賴朝松 \| 方友清 \| 徐立 \| 王惠君 \| 鄒百騏 @ 技術司專利資料集

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奈米材料及元件檢測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 \| 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。
具振動抑制複材管件結構改良	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) \| 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等
輕質蜂巢聲阻結構	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 厚度 \| 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 \| 潛力預估: 有賴技術推廣
電鑄模仁低溫增厚技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)接合溫度200-400℃； (2)結合強度3000psi以上； (3)變形量 \| 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。
繞射光學鏡片設計與製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差 \| 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。
CMOS影像IC設計及影像處理像技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... \| 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。
紅外光無線數位電子錢包付款技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 \| 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...
自助式數位印相系統	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 \| 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。
音效即時傳輸與播放系統	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 \| 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯...
氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
太陽光紫外線強度量測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
QDIP 元件磊晶製程與量測分析	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 \| 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務
厚膜加工製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) \| 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力