半導體製程尾氣量測分析技術開發
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技術名稱-中文半導體製程尾氣量測分析技術開發的執行單位是中科院飛彈火箭研究所, 產出年度是105, 計畫名稱是高功率光纖雷射關鍵模組開發計畫, 領域是製造精進, 技術規格是利用紫外光分解NO。, 潛力預估是可應用於工業排放廢氣處理,對環保與減碳有所助益。.

序號8440
產出年度105
技術名稱-中文半導體製程尾氣量測分析技術開發
執行單位中科院飛彈火箭研究所
產出單位(空)
計畫名稱高功率光纖雷射關鍵模組開發計畫
領域製造精進
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文運用之光化學反應技術相較於傳統消減尾氣技術,具有節能,且不會生成副產物NOx造成二次汙染,有機會成為溫室氣體減排重要的關鍵技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格利用紫外光分解NO。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍半導體廠尾氣處理。
潛力預估可應用於工業排放廢氣處理,對環保與減碳有所助益。
聯絡人員黃重鈞
電話03-4712201#356542
傳真03-4713320
電子信箱24867@ncsistdup.org.tw
參考網址http://www.csistdup.org.tw
所須軟硬體設備殘留氣體分析儀。
需具備之專業人才熱流與化工相關背景。

序號

8440

產出年度

105

技術名稱-中文

半導體製程尾氣量測分析技術開發

執行單位

中科院飛彈火箭研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

高功率光纖雷射關鍵模組開發計畫

領域

製造精進

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

技術現況敘述-中文

運用之光化學反應技術相較於傳統消減尾氣技術,具有節能,且不會生成副產物NOx造成二次汙染,有機會成為溫室氣體減排重要的關鍵技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

利用紫外光分解NO。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

半導體廠尾氣處理。

潛力預估

可應用於工業排放廢氣處理,對環保與減碳有所助益。

聯絡人員

黃重鈞

電話

03-4712201#356542

傳真

03-4713320

電子信箱

24867@ncsistdup.org.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw

所須軟硬體設備

殘留氣體分析儀。

需具備之專業人才

熱流與化工相關背景。

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大面積電子迴旋共振電漿模組

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 目前技術可達均勻度 | 潛力預估: 光電面板廠、光電薄膜太陽能電池、材料、半導體研究機構等為潛在使用者。

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大面積電子迴旋共振電漿模組

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 目前技術可達均勻度 | 潛力預估: 光電面板廠、光電薄膜太陽能電池、材料、半導體研究機構等為潛在使用者。

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磁性聯軸器設計開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m | 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面,由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加,則本產品之市場潛力亦日益提升。

半導體前段設備標準通標模組

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 | 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。

300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 沉積率:2,500A/min,沉積溫度低於350℃,沉積均勻度為3% | 潛力預估: 為我國從民國87年起,投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元,LCD全球市場在民國94年將達390億美元,而全球設備產業將達61億美元,其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

磁性聯軸器設計開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m | 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面,由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加,則本產品之市場潛力亦日益提升。

半導體前段設備標準通標模組

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 | 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。

300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 沉積率:2,500A/min,沉積溫度低於350℃,沉積均勻度為3% | 潛力預估: 為我國從民國87年起,投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元,LCD全球市場在民國94年將達390億美元,而全球設備產業將達61億美元,其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

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