難削材低溫加工參數匹配技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文難削材低溫加工參數匹配技術的執行單位是精機中心, 產出年度是105, 計畫名稱是難削材加工製程技術平台暨關鍵模組開發計畫, 領域是製造精進, 技術規格是˙加工工序優化排程:提供切削工法排程規劃,有效改善工序排程順序,優化切削刀具配置與加工時間。 ˙低溫切削刀具庫建置:建置端銑刀具之低溫切削應用資料,提供使用者刀具使用之參考。 ˙加工參數匹配技術:導入實驗法與切削力分析技術,匹配出合適化之加工參數,包含轉速、進給、每刃進給量對表面粗糙度影響,可提供低..., 潛力預估是1. 機械產業 2. 航太產業 3. 醫療產業.

序號8717
產出年度105
技術名稱-中文難削材低溫加工參數匹配技術
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱難削材加工製程技術平台暨關鍵模組開發計畫
領域製造精進
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文現今面臨全球終端產品大量導入新興高值材料的應用,提升產品的價值與功能,因此傳統加工技術必須跟著提升,才能應付難削材的切削加工,高效率加工製程技術需求迫在眉睫。為了進一步優化效率,抑制加工中產生的高溫顯得重要,透過導入難削材低溫加工參數匹配技術,有效提升對難削材的加工效率與加工品質,並減少刀具磨耗。因此可助該公司提升加工製程技術的服務能量,擴大該公司的零件生產量與降低加工成本。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格˙加工工序優化排程:提供切削工法排程規劃,有效改善工序排程順序,優化切削刀具配置與加工時間。 ˙低溫切削刀具庫建置:建置端銑刀具之低溫切削應用資料,提供使用者刀具使用之參考。 ˙加工參數匹配技術:導入實驗法與切削力分析技術,匹配出合適化之加工參數,包含轉速、進給、每刃進給量對表面粗糙度影響,可提供低溫切削鈦合金之切削參數最適化匹配。
技術成熟度雛型
可應用範圍協助業者從傳統切削液加工製程轉換到低溫環保切削製程領域,讓業者可透過此技術應用於機械、航太等難切削零件的切削加工製程。
潛力預估1. 機械產業 2. 航太產業 3. 醫療產業
聯絡人員吳家進
電話04-23599009#835
傳真04-23598846
電子信箱e9720@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw/
所須軟硬體設備切削動力計與 Novian頻譜分析軟體
需具備之專業人才切削應用工程師
同步更新日期2023-07-22

序號

8717

產出年度

105

技術名稱-中文

難削材低溫加工參數匹配技術

執行單位

精機中心

產出單位

(空)

計畫名稱

難削材加工製程技術平台暨關鍵模組開發計畫

領域

製造精進

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

現今面臨全球終端產品大量導入新興高值材料的應用,提升產品的價值與功能,因此傳統加工技術必須跟著提升,才能應付難削材的切削加工,高效率加工製程技術需求迫在眉睫。為了進一步優化效率,抑制加工中產生的高溫顯得重要,透過導入難削材低溫加工參數匹配技術,有效提升對難削材的加工效率與加工品質,並減少刀具磨耗。因此可助該公司提升加工製程技術的服務能量,擴大該公司的零件生產量與降低加工成本。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

˙加工工序優化排程:提供切削工法排程規劃,有效改善工序排程順序,優化切削刀具配置與加工時間。 ˙低溫切削刀具庫建置:建置端銑刀具之低溫切削應用資料,提供使用者刀具使用之參考。 ˙加工參數匹配技術:導入實驗法與切削力分析技術,匹配出合適化之加工參數,包含轉速、進給、每刃進給量對表面粗糙度影響,可提供低溫切削鈦合金之切削參數最適化匹配。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

協助業者從傳統切削液加工製程轉換到低溫環保切削製程領域,讓業者可透過此技術應用於機械、航太等難切削零件的切削加工製程。

潛力預估

1. 機械產業 2. 航太產業 3. 醫療產業

聯絡人員

吳家進

電話

04-23599009#835

傳真

04-23598846

電子信箱

e9720@mail.pmc.org.tw

參考網址

http://www.pmc.org.tw/

所須軟硬體設備

切削動力計與 Novian頻譜分析軟體

需具備之專業人才

切削應用工程師

同步更新日期

2023-07-22

根據名稱 難削材低溫加工參數匹配技術 找到的相關資料

無其他 難削材低溫加工參數匹配技術 資料。

[ 搜尋所有 難削材低溫加工參數匹配技術 ... ]

根據電話 04-23599009 835 找到的相關資料

無其他 04-23599009 835 資料。

[ 搜尋所有 04-23599009 835 ... ]

與難削材低溫加工參數匹配技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

 |