用於物理氣相沉積之金屬化銦錫氧化物靶
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專利名稱-中文用於物理氣相沉積之金屬化銦錫氧化物靶的核准國家是中華民國, 證書號碼是195390, 專利性質是發明, 執行單位是金屬中心, 產出年度是93, 計畫名稱是金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫, 專利發明人是朱繼文、楊玉森、邱松茂.

序號	18
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	用於物理氣相沉積之金屬化銦錫氧化物靶
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫
專利發明人	朱繼文 \| 楊玉森 \| 邱松茂
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	195390
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係有關一種用於用於物理氣相沈積之金屬化銦錫氧化物靶靶表面處理方法及鍍膜，在真空之環境下，於工件之表面鍍上具低表面能特性之鉻-NiV-Ag鍍層，該鉻-氮-碳鍍層包括：20﹪-50﹪之氮原子、0-10﹪之碳及氧原子，其餘為鉻。另外，以電氣或機械方式所製造不同粗度之工件表面上，需先形成一小於20μm之高韌性鉻層，以阻止鉻-氮-碳鍍層之剝離。本發明之鍍膜同時改善絕緣靶材及陶瓷靶材冷卻問題，以延長ITO靶材之壽命並提高生產效率。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	孫義偉
電話	07-3513121轉2360
傳真	07-3516597
電子信箱	edward@mail.mirdc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw/
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

用於物理氣相沉積之金屬化銦錫氧化物靶

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫

專利發明人

朱繼文 | 楊玉森 | 邱松茂

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

195390

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係有關一種用於用於物理氣相沈積之金屬化銦錫氧化物靶靶表面處理方法及鍍膜，在真空之環境下，於工件之表面鍍上具低表面能特性之鉻-NiV-Ag鍍層，該鉻-氮-碳鍍層包括：20﹪-50﹪之氮原子、0-10﹪之碳及氧原子，其餘為鉻。另外，以電氣或機械方式所製造不同粗度之工件表面上，需先形成一小於20μm之高韌性鉻層，以阻止鉻-氮-碳鍍層之剝離。本發明之鍍膜同時改善絕緣靶材及陶瓷靶材冷卻問題，以延長ITO靶材之壽命並提高生產效率。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

孫義偉

電話

07-3513121轉2360

傳真

07-3516597

電子信箱

edward@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw/

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

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行星式具位置指示之閥手輪	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 242619 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 林進順、仲之豪 @ 技術司專利資料集
行星式具位置指示之閥手輪	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 638372 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 林進順、仲之豪 @ 技術司專利資料集
用於壓力容器之流體驅動攪拌器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 186640 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬二次加工自動化系統技術四年計畫 \| 專利發明人: 柯博文、郭子禎、謝幼安 @ 技術司專利資料集
鋁合金材料製作煞車碟片及壓縮機渦卷轉子之成型方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195901 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 廖高宇、謝寶賢、毛世傑、潘文生 @ 技術司專利資料集
U形支架式具位置指示之閥手輪	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 222536 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 仲之豪、林進順 @ 技術司專利資料集
U形支架式具位置指示之閥手輪	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 639900 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 仲之豪、林進順 @ 技術司專利資料集
具有磁力作動式閥座防漏裝置之球閥	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6672563B2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉揚、曾錦煥、林國弘 @ 技術司專利資料集
耐濕性二硫化鉬固體潤滑膜及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189442 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 \| 專利發明人: 李新中、楊玉森、卓廷彬 @ 技術司專利資料集

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噴墨頭墨水壓力控制裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00100898.6 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文
噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00106427.4 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 張智超, 王介文, 李明玲, 藍元亮, 呂志平, 鄭陳煜
一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01102417.8 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 蘇士豪, 王介文, 呂志平
安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01109007.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤
一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01100028.7 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興
多色階噴墨頭晶片結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01109057.X \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪
噴墨筆的墨水壓力調節裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01103984.1 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 侯怡仲, 王介文, 藍元亮
噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,666,545 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融
壓力調節裝置及利用此壓力調節裝置之噴墨印頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,644,795 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林順泉, 張智超, 蘇士豪, 陳俊融, 李柏勳, 羅啟賓
微流模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 186642 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 楊進成, 毛慶宜, 吳周霖
生物晶片製造治具之影像對位裝置及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191424 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 蘇士豪, 楊孟達, 劉健群, 張智超
以投射方式製作影像顯示器面板之裝置以及導電基板形成圖案之裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198956 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 劉貞豪, 陳俊融
產生虛擬鍵盤顯示器之裝置及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206612 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 劉貞豪, 陳俊融
應用於高密度元件之金氧半場效電晶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195330 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 陳俊融, 胡紀平
噴墨頭晶片結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220131 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 劉健群, 陳俊融

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領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

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