含羥基丙二酚芳磷酯製備法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文含羥基丙二酚芳磷酯製備法的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 專利發明人是蘇文炯,施明德, 證書號碼是196112.

序號39
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文含羥基丙二酚芳磷酯製備法
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
專利發明人蘇文炯,施明德
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼196112
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係有關含羥基丙二酚芳磷酯之製法,具有高轉化率,高選擇性的製程特點,將酚類化合物、氯化磷醯、催化劑與制酸劑,陸續加入加熱進行三階段酯化反應,經由分子設計提昇產品單體純度;產品經溶於有機溶劑,以少量氨氣去除殘存鹽酸鹽,以無廢水廢物達成純化的目的
技術摘要-英文(空)
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

39

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

含羥基丙二酚芳磷酯製備法

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫

專利發明人

蘇文炯,施明德

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

196112

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係有關含羥基丙二酚芳磷酯之製法,具有高轉化率,高選擇性的製程特點,將酚類化合物、氯化磷醯、催化劑與制酸劑,陸續加入加熱進行三階段酯化反應,經由分子設計提昇產品單體純度;產品經溶於有機溶劑,以少量氨氣去除殘存鹽酸鹽,以無廢水廢物達成純化的目的

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

蘇文炯

電話

(03)4458047

傳真

(03)4719940

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

備註

原領域別為材料化工,95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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觀音寺

站位代碼: 72528 | 地址: 新北市中和區 | 去返程: 1 | 上下車站別: 0 | 所屬路線代碼: 17914 | Bus Stop Name: Guanyin Temple

@ 公車站位資訊

觀音寺

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難燃壓克力磷樹脂之製備方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 蘇文炯,施明德 | 證書號碼: 194234

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

難燃壓克力磷樹脂之製備方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 專利發明人: 蘇文炯,施明德 | 證書號碼: 194234

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# 03 4458047 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號7800
產出年度100
領域別材料化工
專利名稱-中文EpoxyResin,CuringAgentand9,10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthreneDerivative
執行單位中科院化學所
產出單位中科院四所
計畫名稱高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人蘇文?、劉俊谷、鄭如忠、戴憲宏、林慶炫
核准國家美國
獲證日期100/03/01
證書號碼7897702B2
專利期間起100/03/01
專利期間訖117/11/24
專利性質發明
技術摘要-中文Theinventiondisclosesanovelcross-linkedepoxyresinwithflame-retardantpropertiesandmethodforproducingthesame.Thepolymericmaterialoftheinventionincludesanepoxyresin,acuringagentandamodificationagent.Particularly,themodificationagentisaderivativeof9,10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene10-oxide(DOPO).Moreover,thecuringagentis4,4-diaminodiphenylmethane(DDM),ortris(4-aminephenyl)amine(NNH).
技術摘要-英文(空)
聯絡人員蘇文?
電話03-4458047
傳真03-4719940
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7800
產出年度: 100
領域別: 材料化工
專利名稱-中文: EpoxyResin,CuringAgentand9,10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthreneDerivative
執行單位: 中科院化學所
產出單位: 中科院四所
計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人: 蘇文?、劉俊谷、鄭如忠、戴憲宏、林慶炫
核准國家: 美國
獲證日期: 100/03/01
證書號碼: 7897702B2
專利期間起: 100/03/01
專利期間訖: 117/11/24
專利性質: 發明
技術摘要-中文: Theinventiondisclosesanovelcross-linkedepoxyresinwithflame-retardantpropertiesandmethodforproducingthesame.Thepolymericmaterialoftheinventionincludesanepoxyresin,acuringagentandamodificationagent.Particularly,themodificationagentisaderivativeof9,10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene10-oxide(DOPO).Moreover,thecuringagentis4,4-diaminodiphenylmethane(DDM),ortris(4-aminephenyl)amine(NNH).
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 蘇文?
電話: 03-4458047
傳真: 03-4719940
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03 4458047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號582
產出年度93
技術名稱-中文透明功能性導電樹脂研究
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在塑膠表面進行原位(in situ)pyrrole聚合;可應用於PC、nylon、PET、PMMA等
技術現況敘述-英文(空)
技術規格透光率:大於70%(at 550nm),表面電阻:104~109Ω/sq
技術成熟度雛型
可應用範圍抗靜電包裝高分子材、無塵室防靜電板材、EMI/RFI遮蔽材、雷達波吸收材等
潛力預估因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備化學合成反應設備、表面電阻量測儀、透光反射量測儀等
需具備之專業人才化學或化工研發與操作人員
序號: 582
產出年度: 93
技術名稱-中文: 透明功能性導電樹脂研究
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在塑膠表面進行原位(in situ)pyrrole聚合;可應用於PC、nylon、PET、PMMA等
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 透光率:大於70%(at 550nm),表面電阻:104~109Ω/sq
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 抗靜電包裝高分子材、無塵室防靜電板材、EMI/RFI遮蔽材、雷達波吸收材等
潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%
聯絡人員: 蘇文炯
電話: (03)4458047
傳真: (03)4719940
電子信箱: lcc36@tsrp.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 化學合成反應設備、表面電阻量測儀、透光反射量測儀等
需具備之專業人才: 化學或化工研發與操作人員

# 03 4458047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號583
產出年度93
技術名稱-中文SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文合成橡膠基材、環保耐燃劑、相容性助劑等混練加工成低煙無鹵耐燃彈性體
技術現況敘述-英文(空)
技術規格難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min , 210℃×5kg)、Sp.gr < 1.3
技術成熟度雛型
可應用範圍電線被覆、電腦排線、連接器接頭、電腦防塵套、電腦腳墊
潛力預估熱可塑性彈性體(TPR)為新興高分子合成材料,年成長率6-7%,以大陸用量20萬噸,將快速攀升至45萬噸,環保型難燃TPR為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備混練加工設施、材料分析設備
需具備之專業人才化學或化工研發與操作人員
序號: 583
產出年度: 93
技術名稱-中文: SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 合成橡膠基材、環保耐燃劑、相容性助劑等混練加工成低煙無鹵耐燃彈性體
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min , 210℃×5kg)、Sp.gr < 1.3
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 電線被覆、電腦排線、連接器接頭、電腦防塵套、電腦腳墊
潛力預估: 熱可塑性彈性體(TPR)為新興高分子合成材料,年成長率6-7%,以大陸用量20萬噸,將快速攀升至45萬噸,環保型難燃TPR為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限
聯絡人員: 蘇文炯
電話: (03)4458047
傳真: (03)4719940
電子信箱: lcc36@tsrp.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 混練加工設施、材料分析設備
需具備之專業人才: 化學或化工研發與操作人員

# 03 4458047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號584
產出年度93
技術名稱-中文無鹵難燃熱熔膠研製
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文聚烯烴基材、環保耐燃劑、相容性助劑等混練加工成接著性強,使用方便淺色產品
技術現況敘述-英文(空)
技術規格難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃) > 0.3 N/mm2
技術成熟度雛型
可應用範圍電子電器零件固定絕緣、電源供應器填充絕緣,織物接著貼合,建築汽車隔熱材、裝潢材、填縫材等
潛力預估熱熔膠年產值約36100公噸,其中難燃級佔5%,年成長率6-7%,環保型熱熔膠為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備混練加工設施、材料分析設備
需具備之專業人才化學或化工研發與操作人員
序號: 584
產出年度: 93
技術名稱-中文: 無鹵難燃熱熔膠研製
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 聚烯烴基材、環保耐燃劑、相容性助劑等混練加工成接著性強,使用方便淺色產品
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃) > 0.3 N/mm2
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 電子電器零件固定絕緣、電源供應器填充絕緣,織物接著貼合,建築汽車隔熱材、裝潢材、填縫材等
潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸,其中難燃級佔5%,年成長率6-7%,環保型熱熔膠為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限
聯絡人員: 蘇文炯
電話: (03)4458047
傳真: (03)4719940
電子信箱: lcc36@tsrp.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 混練加工設施、材料分析設備
需具備之專業人才: 化學或化工研發與操作人員

# 03 4458047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號585
產出年度93
技術名稱-中文三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以市售的三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨,提升聚磷酸銨的耐水解性,增進磷氮協效性與應用的相容性
技術現況敘述-英文(空)
技術規格磷含量30-31%,聚合度n>1000
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍添加型無鹵難燃劑,可應用於聚烴類材質難燃化
潛力預估高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值,以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆,可提升產品應用範圍與增加其效益
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備化學合成反應設備
需具備之專業人才化學或化工研發與操作人員
序號: 585
產出年度: 93
技術名稱-中文: 三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以市售的三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨,提升聚磷酸銨的耐水解性,增進磷氮協效性與應用的相容性
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 磷含量30-31%,聚合度n>1000
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 添加型無鹵難燃劑,可應用於聚烴類材質難燃化
潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值,以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆,可提升產品應用範圍與增加其效益
聯絡人員: 蘇文炯
電話: (03)4458047
傳真: (03)4719940
電子信箱: lcc36@tsrp.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 化學合成反應設備
需具備之專業人才: 化學或化工研發與操作人員

# 03 4458047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號586
產出年度93
技術名稱-中文鄰苯酚膦化反應技術
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文包含膦化反應條件、純化反應條件、衍生物氧化反應條件等技術建立
技術現況敘述-英文(空)
技術規格產品磷含量>10%,酸價<0.1%
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍膦化物具有耐高溫與耐候性佳的特性,應用於製備抗氧化劑與難燃劑
潛力預估應用本技術可衍生開發新型難燃劑,或新型雙功能抗氧化劑,配合環保法規,商機無限
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備化學合成反應設備
需具備之專業人才化學或化工研發與操作人員
序號: 586
產出年度: 93
技術名稱-中文: 鄰苯酚膦化反應技術
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 包含膦化反應條件、純化反應條件、衍生物氧化反應條件等技術建立
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 產品磷含量>10%,酸價<0.1%
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 膦化物具有耐高溫與耐候性佳的特性,應用於製備抗氧化劑與難燃劑
潛力預估: 應用本技術可衍生開發新型難燃劑,或新型雙功能抗氧化劑,配合環保法規,商機無限
聯絡人員: 蘇文炯
電話: (03)4458047
傳真: (03)4719940
電子信箱: lcc36@tsrp.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 化學合成反應設備
需具備之專業人才: 化學或化工研發與操作人員

# 03 4458047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號737
產出年度94
技術名稱-中文有機奈米導電樹脂研究
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在PC、nylon、PET、PMMA等材質表面進行原位(in situ)聚合,表面透明導電,電阻值可調變。不含界面活性劑/碳黑/重金屬,不受濕度影響。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率>70%(550nm)
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍無塵室防靜電披覆膜、EMI遮蔽材、偵測感測元件、變色智慧窗、金屬防腐蝕。
潛力預估因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%。
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備化學合成反應設備、表面電阻量測儀、透光反射量測儀等。
需具備之專業人才化學或化工研發與操作人員。
序號: 737
產出年度: 94
技術名稱-中文: 有機奈米導電樹脂研究
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在PC、nylon、PET、PMMA等材質表面進行原位(in situ)聚合,表面透明導電,電阻值可調變。不含界面活性劑/碳黑/重金屬,不受濕度影響。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率>70%(550nm)
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 無塵室防靜電披覆膜、EMI遮蔽材、偵測感測元件、變色智慧窗、金屬防腐蝕。
潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%。
聯絡人員: 蘇文炯
電話: (03)4458047
傳真: (03)4719940
電子信箱: lcc36@tsrp.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 化學合成反應設備、表面電阻量測儀、透光反射量測儀等。
需具備之專業人才: 化學或化工研發與操作人員。

# 03 4458047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號738
產出年度94
技術名稱-中文環保型耐燃熱熔膠研製
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文聚烯烴基材、環保耐燃劑、相容性助劑、耐燃耐候、熱安定性佳、接著性強
技術現況敘述-英文(空)
技術規格UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg)>80℃、軟化點>150℃、黏度(180℃)8000~11500mPas、接著剪斷強度(25℃)>2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃)>0.3 N/mm2
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍電子電器:零件固定絕緣、電源供應器填充絕緣;紡織:織物接著貼合;建築汽車:隔熱材、裝潢材、填縫材
潛力預估目前世界上尚未有廠家成功開發出無鹵環保型耐燃熱熔膠,但都已積極投入開發中;然而各大電子廠受限於歐美環保法規限制,對於環保型耐燃熱熔膠之需求十分殷切。
聯絡人員蘇文炯
電話(03)4458047
傳真(03)4719940
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備加熱攪拌槽、物性化性檢測設備、難燃分析檢測等。
需具備之專業人才化學或化工研發與操作人員。
序號: 738
產出年度: 94
技術名稱-中文: 環保型耐燃熱熔膠研製
執行單位: 中科院化學所
產出單位: (空)
計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 聚烯烴基材、環保耐燃劑、相容性助劑、耐燃耐候、熱安定性佳、接著性強
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg)>80℃、軟化點>150℃、黏度(180℃)8000~11500mPas、接著剪斷強度(25℃)>2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃)>0.3 N/mm2
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 電子電器:零件固定絕緣、電源供應器填充絕緣;紡織:織物接著貼合;建築汽車:隔熱材、裝潢材、填縫材
潛力預估: 目前世界上尚未有廠家成功開發出無鹵環保型耐燃熱熔膠,但都已積極投入開發中;然而各大電子廠受限於歐美環保法規限制,對於環保型耐燃熱熔膠之需求十分殷切。
聯絡人員: 蘇文炯
電話: (03)4458047
傳真: (03)4719940
電子信箱: lcc36@tsrp.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 加熱攪拌槽、物性化性檢測設備、難燃分析檢測等。
需具備之專業人才: 化學或化工研發與操作人員。
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與含羥基丙二酚芳磷酯製備法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤 | 證書號碼: ZL01109007.3

一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興 | 證書號碼: ZL01100028.7

多色階噴墨頭晶片結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL01109057.X

噴墨筆的墨水壓力調節裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 侯怡仲, 王介文, 藍元亮 | 證書號碼: ZL01103984.1

噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融 | 證書號碼: 6,666,545

壓力調節裝置及利用此壓力調節裝置之噴墨印頭

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林順泉, 張智超, 蘇士豪, 陳俊融, 李柏勳, 羅啟賓 | 證書號碼: 6,644,795

微流模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊進成, 毛慶宜, 吳周霖 | 證書號碼: 186642

生物晶片製造治具之影像對位裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 楊孟達, 劉健群, 張智超 | 證書號碼: 191424

以投射方式製作影像顯示器面板之裝置以及導電基板形成圖案之裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉貞豪, 陳俊融 | 證書號碼: 198956

產生虛擬鍵盤顯示器之裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉貞豪, 陳俊融 | 證書號碼: 206612

應用於高密度元件之金氧半場效電晶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 陳俊融, 胡紀平 | 證書號碼: 195330

噴墨頭晶片結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉健群, 陳俊融 | 證書號碼: 220131

反射式液晶投影顯示器之光學引擎

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 詹勝雄, 沈偉, 莊福明 | 證書號碼: 184615

液晶投影機之冷卻裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李文宗, 張淵仁 | 證書號碼: 193369

無鬼影之背投影顯示螢幕

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林晃巖, 黎邦, 田萬頂 | 證書號碼: 193378

安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤 | 證書號碼: ZL01109007.3

一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興 | 證書號碼: ZL01100028.7

多色階噴墨頭晶片結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL01109057.X

噴墨筆的墨水壓力調節裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 侯怡仲, 王介文, 藍元亮 | 證書號碼: ZL01103984.1

噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融 | 證書號碼: 6,666,545

壓力調節裝置及利用此壓力調節裝置之噴墨印頭

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林順泉, 張智超, 蘇士豪, 陳俊融, 李柏勳, 羅啟賓 | 證書號碼: 6,644,795

微流模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊進成, 毛慶宜, 吳周霖 | 證書號碼: 186642

生物晶片製造治具之影像對位裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 楊孟達, 劉健群, 張智超 | 證書號碼: 191424

以投射方式製作影像顯示器面板之裝置以及導電基板形成圖案之裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉貞豪, 陳俊融 | 證書號碼: 198956

產生虛擬鍵盤顯示器之裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉貞豪, 陳俊融 | 證書號碼: 206612

應用於高密度元件之金氧半場效電晶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 陳俊融, 胡紀平 | 證書號碼: 195330

噴墨頭晶片結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉健群, 陳俊融 | 證書號碼: 220131

反射式液晶投影顯示器之光學引擎

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 詹勝雄, 沈偉, 莊福明 | 證書號碼: 184615

液晶投影機之冷卻裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李文宗, 張淵仁 | 證書號碼: 193369

無鬼影之背投影顯示螢幕

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林晃巖, 黎邦, 田萬頂 | 證書號碼: 193378

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