光觸媒鍍膜空氣清淨日光燈製法及應用
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文光觸媒鍍膜空氣清淨日光燈製法及應用的核准國家是中華民國, 證書號碼是206702, 專利性質是發明, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 專利發明人是王偉洪.

序號53
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文光觸媒鍍膜空氣清淨日光燈製法及應用
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
專利發明人王偉洪
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼206702
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文採用光觸媒TiO2 Anatase溶膠及其配方,進行日光燈表面鍍膜,製得光觸媒鍍膜空氣清淨日光燈,裝於燈座上使用,當此日光燈點亮時除具照明之功效,可清淨燈管環境空氣,包刮除臭、抑菌及表面自清之功效,因採用光觸媒TiO2 Anatase溶膠 及其配方鍍膜具螢光性,可使日光燈增加亮度
技術摘要-英文(空)
聯絡人員王偉洪
電話(03)4458267
傳真(03)4719940
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)

序號

53

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

光觸媒鍍膜空氣清淨日光燈製法及應用

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫

專利發明人

王偉洪

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

206702

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

採用光觸媒TiO2 Anatase溶膠及其配方,進行日光燈表面鍍膜,製得光觸媒鍍膜空氣清淨日光燈,裝於燈座上使用,當此日光燈點亮時除具照明之功效,可清淨燈管環境空氣,包刮除臭、抑菌及表面自清之功效,因採用光觸媒TiO2 Anatase溶膠 及其配方鍍膜具螢光性,可使日光燈增加亮度

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

王偉洪

電話

(03)4458267

傳真

(03)4719940

電子信箱

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備註

原領域別為材料化工,95年改為生醫材化

特殊情形

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SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≦1.35,單層雙面抗反射鍍膜玻璃,最低反射率<2.0%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發具抗反射鍍膜玻璃之平面電視螢幕、手機、PDA及太陽能板,預估未來市場具10億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70,單面高折射率鍍膜,消除透明導電觸控線路影像,提高觸控面板品質,鍍膜硬度率≧H。 | 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃,紫外線吸收率可達70%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃,用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠,進行玻璃單層雙面鍍膜,獲得透明彩色鍍膜玻璃,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃,用於觸控面板具抗菌功能,預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達100 Ω/□等級,微波吸收率>50%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃,用於手機觸控面板,預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波,預估市場具2億年產值。

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WO3奈米結晶溶膠製備技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

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TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

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SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≦1.35,單層雙面抗反射鍍膜玻璃,最低反射率<2.0%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發具抗反射鍍膜玻璃之平面電視螢幕、手機、PDA及太陽能板,預估未來市場具10億年產值。

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TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70,單面高折射率鍍膜,消除透明導電觸控線路影像,提高觸控面板品質,鍍膜硬度率≧H。 | 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜,預估市場具1億年產值。

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奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達kΩ/□等級,雙面ATO鍍膜玻璃,可降低熱幅射穿透率≧50%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA,預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業,預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業,預估市場具1億年產值。

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Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃,紫外線吸收率可達70%,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃,用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

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奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠,進行玻璃單層雙面鍍膜,獲得透明彩色鍍膜玻璃,鍍膜硬度≧3H。 | 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃,用於觸控面板具抗菌功能,預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃,預估市場具1億年產值。

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奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜,導電度可達100 Ω/□等級,微波吸收率>50%,鍍膜硬度率≧3H。 | 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃,用於手機觸控面板,預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波,預估市場具2億年產值。

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WO3奈米結晶溶膠製備技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

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TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料,具空氣清淨功效,其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。 | 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料,增加廢氣處理能力,降低廢氣處理溫度。

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TiO2 Anatase溶膠鍍膜應用技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力:乙酸丁酯分解能力0.1~1.0μg / min.×W×cm2 | 潛力預估: 應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品光觸媒鍍膜產品開發,具親水性、自潔性及抗菌能力,用於環境、空氣及水質品質改

@ 技術司可移轉技術資料集

液晶混成溶膠技術開發-電子窗簾試製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小~1μm,電子窗簾元件具有控制透明度之功能,經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)>30%,耐用性>10,000 cycle | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立50公升批式先導工廠產能,經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉,配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術,奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m-1(Ag)n(OH)m+n-1+1銀錯離子殺菌,殺菌能力較A... | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年

@ 技術司可移轉技術資料集

酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力:乙酸丁酯分解能力0.1~1.0μg/min.×W ×cm2;鍍膜品質:1.附?性:膠帶實驗不脫落;2.硬度≧H;3.耐刮力≧100g。 | 潛力預估: 約新台幣30億元/年。

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電激光液晶混成溶膠技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小~1μm,電子窗簾元件具有控制透明度之功能,經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)>30%,耐用性>10,000 cycle。 | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年。

@ 技術司可移轉技術資料集

合成纖維光觸媒鍍膜技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 光觸媒鍍膜合成纖維經切短與靜電劑加工,於窗簾布進行靜電植絨製得光觸媒鍍膜植絨窗簾布,光觸媒空氣清淨能力較以往光觸媒鍍膜窗簾布強10倍。 | 潛力預估: 光觸媒鍍膜合成纖維用於光觸媒鍍膜植絨窗簾布,以200NT$/m2為單價,預估市場需求約105 m2,年產值約兩千萬元。若用於衣著紡織品,年產值約三千萬元。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米多孔箔材料結構控制技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制,孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm | 潛力預估: 奈米多孔鋁箔,為製作鋁電容器的主要材料,普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口,提昇多孔鋁箔研製品質技術,可降低產業對國外的依存度,增進產品的國際市場競爭力。

@ 技術司可移轉技術資料集

奈米多孔箔材料結構控制技術精進

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制,孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm。 | 潛力預估: 奈米多孔鋁箔,為製作鋁電容器的主要材料,普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口,提昇多孔鋁箔研製品質技術,可降低產業對國外的依存度,增進產品的國際市場競爭力。

@ 技術司可移轉技術資料集

TiO2 Anatase溶膠鍍膜應用技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力:乙酸丁酯分解能力0.1~1.0μg / min.×W×cm2 | 潛力預估: 應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品光觸媒鍍膜產品開發,具親水性、自潔性及抗菌能力,用於環境、空氣及水質品質改

@ 技術司可移轉技術資料集

液晶混成溶膠技術開發-電子窗簾試製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小~1μm,電子窗簾元件具有控制透明度之功能,經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)>30%,耐用性>10,000 cycle | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年

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奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立50公升批式先導工廠產能,經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉,配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術,奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m-1(Ag)n(OH)m+n-1+1銀錯離子殺菌,殺菌能力較A... | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年

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酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力:乙酸丁酯分解能力0.1~1.0μg/min.×W ×cm2;鍍膜品質:1.附?性:膠帶實驗不脫落;2.硬度≧H;3.耐刮力≧100g。 | 潛力預估: 約新台幣30億元/年。

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電激光液晶混成溶膠技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小~1μm,電子窗簾元件具有控制透明度之功能,經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)>30%,耐用性>10,000 cycle。 | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年。

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合成纖維光觸媒鍍膜技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 光觸媒鍍膜合成纖維經切短與靜電劑加工,於窗簾布進行靜電植絨製得光觸媒鍍膜植絨窗簾布,光觸媒空氣清淨能力較以往光觸媒鍍膜窗簾布強10倍。 | 潛力預估: 光觸媒鍍膜合成纖維用於光觸媒鍍膜植絨窗簾布,以200NT$/m2為單價,預估市場需求約105 m2,年產值約兩千萬元。若用於衣著紡織品,年產值約三千萬元。

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奈米多孔箔材料結構控制技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制,孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm | 潛力預估: 奈米多孔鋁箔,為製作鋁電容器的主要材料,普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口,提昇多孔鋁箔研製品質技術,可降低產業對國外的依存度,增進產品的國際市場競爭力。

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奈米多孔箔材料結構控制技術精進

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制,孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm。 | 潛力預估: 奈米多孔鋁箔,為製作鋁電容器的主要材料,普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口,提昇多孔鋁箔研製品質技術,可降低產業對國外的依存度,增進產品的國際市場競爭力。

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與光觸媒鍍膜空氣清淨日光燈製法及應用同分類的技術司專利資料集

雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201010 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林明慧 | 劉通發

環場影像接圖器及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,798,923 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝君偉 | 江政欽 | 魏德樂

取紙傳動模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 215325 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林智堅 | 陳英棋 | 鄭兆凱 | 張惠珍

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98106298.9 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮 | 吳義勇 | 邱紹玲 | 劉克明 | 鄭淑娟

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98116196.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇 | 胡紀平 | 賴怡絢 | 莊育洪 | 王介文

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 證書號碼: 19914700 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇 | 胡紀平 | 賴怡絢 | 莊育洪 | 王介文

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98115179.5 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文 | 吳義勇 | 胡鴻烈 | 李明玲

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98118397.2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平 | 吳義勇 | 藍元亮 | 賴怡絢 | 王惠芳

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98124126.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興 | 吳義勇 | 鄭陳煜 | 邱紹玲 | 徐享楨

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100896.X | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉 | 蘇士豪 | 王介文 | 侯怡仲 | 張智超

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100897.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超 | 王介文 | 蘇士豪

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超 | 王介文 | 蘇士豪

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100898.6 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢 | 蘇士豪 | 許成偉 | 陳錦泰 | 侯怡仲 | 王介文

噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00106427.4 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超 | 王介文 | 李明玲 | 藍元亮 | 呂志平 | 鄭陳煜

一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01102417.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪 | 王介文 | 呂志平

雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201010 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林明慧 | 劉通發

環場影像接圖器及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,798,923 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝君偉 | 江政欽 | 魏德樂

取紙傳動模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 215325 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林智堅 | 陳英棋 | 鄭兆凱 | 張惠珍

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98106298.9 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮 | 吳義勇 | 邱紹玲 | 劉克明 | 鄭淑娟

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98116196.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇 | 胡紀平 | 賴怡絢 | 莊育洪 | 王介文

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 證書號碼: 19914700 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇 | 胡紀平 | 賴怡絢 | 莊育洪 | 王介文

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98115179.5 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文 | 吳義勇 | 胡鴻烈 | 李明玲

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98118397.2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平 | 吳義勇 | 藍元亮 | 賴怡絢 | 王惠芳

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98124126.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興 | 吳義勇 | 鄭陳煜 | 邱紹玲 | 徐享楨

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100896.X | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉 | 蘇士豪 | 王介文 | 侯怡仲 | 張智超

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100897.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超 | 王介文 | 蘇士豪

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超 | 王介文 | 蘇士豪

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100898.6 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢 | 蘇士豪 | 許成偉 | 陳錦泰 | 侯怡仲 | 王介文

噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00106427.4 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超 | 王介文 | 李明玲 | 藍元亮 | 呂志平 | 鄭陳煜

一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01102417.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪 | 王介文 | 呂志平

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