一種全光域,高密度,高解析度,高倍速,高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種全光域,高密度,高解析度,高倍速,高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料的核准國家是中國大陸, 證書號碼是ZL00109664.8, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 專利發明人是徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚.

序號	505
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	一種全光域,高密度,高解析度,高倍速,高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人	徐文泰 \| 張育嘉 \| 鄭竹軒 \| 周瑞崇 \| 柯文揚
核准國家	中國大陸
獲證日期	(空)
證書號碼	ZL00109664.8
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明揭露一種全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料，此光記錄媒體膜層至少包括基板、透明層及反射層，此光記錄媒體膜層之透明層與反射層於受記錄光照射加熱時，反應形成合金 /化合物，其反應範圍形成一半透反射區，此半透反射區造成影響如下：(1) 減少該有效透明層的厚度，改變光程差，造成建設性干涉或破壞性干涉的變動；且/或 (2)改變光學常數(n & k)，進而改變光反射強度；且/或(3)改變偏極光角度。上述至少一種以上的影響構成光記錄媒體記錄前/後的色差調變。本發明之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料，有如下之效果：(1)反射層的材料於可見光波長範圍均有相當程度的反射強度，且能產生半透反射區，達到適當之記錄反差；(2) 配合高導熱的反射層，可縮小半透反射區的大小，提高記錄密度及增加記錄速度； (3)半透反射區之產生有一明顯之臨界能量密度要求，產生清晰明顯之週界，具有高解析度之特性；(4)因半透反射區縮小，反應時間短，記錄速度快，適合高倍速應用；(5)記錄光源所需功率低，光記錄媒體僅需稍微調整即可相容於不同規格的光記錄媒體規格；(6)採用無機材料作為記錄膜層，成本低，環境污染問題少。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	蔡松雨
電話	03-5917789
傳真	03-5820442
電子信箱	songtsai@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

505

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

一種全光域,高密度,高解析度,高倍速,高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫

專利發明人

徐文泰 | 張育嘉 | 鄭竹軒 | 周瑞崇 | 柯文揚

核准國家

中國大陸

獲證日期

(空)

證書號碼

ZL00109664.8

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明揭露一種全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料，此光記錄媒體膜層至少包括基板、透明層及反射層，此光記錄媒體膜層之透明層與反射層於受記錄光照射加熱時，反應形成合金 /化合物，其反應範圍形成一半透反射區，此半透反射區造成影響如下：(1) 減少該有效透明層的厚度，改變光程差，造成建設性干涉或破壞性干涉的變動；且/或 (2)改變光學常數(n & k)，進而改變光反射強度；且/或(3)改變偏極光角度。上述至少一種以上的影響構成光記錄媒體記錄前/後的色差調變。本發明之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料，有如下之效果：(1)反射層的材料於可見光波長範圍均有相當程度的反射強度，且能產生半透反射區，達到適當之記錄反差；(2) 配合高導熱的反射層，可縮小半透反射區的大小，提高記錄密度及增加記錄速度； (3)半透反射區之產生有一明顯之臨界能量密度要求，產生清晰明顯之週界，具有高解析度之特性；(4)因半透反射區縮小，反應時間短，記錄速度快，適合高倍速應用；(5)記錄光源所需功率低，光記錄媒體僅需稍微調整即可相容於不同規格的光記錄媒體規格；(6)採用無機材料作為記錄膜層，成本低，環境污染問題少。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

蔡松雨

電話

03-5917789

傳真

03-5820442

電子信箱

songtsai@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

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全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層

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全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層

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漿料與硒化技術製作CIGS太陽電池	執行單位: 工研院綠能所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米級(~100 nm)漿料製備、硒化(面積10 cm x 10cm)製程、元件製作技術(效率> 7%)。 \| 潛力預估: 印刷式製程具有低成本的優勢，漿料製備與硒化為其關鍵技術。 @ 技術司可移轉技術資料集
共蒸鍍法CIGS太陽電池製作技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電池轉換效率 ~ 15% (面積:0.45 cm2) \| 潛力預估: 共蒸鍍製程具有高效率、高穩定性的優勢，是目前量產的主要技術 @ 技術司可移轉技術資料集
印刷式CIGS太陽電池之漿料製備塗佈技術	執行單位: 工研院綠能所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 第二代薄膜太陽電池。 2. 漿料製備與塗佈。 \| 潛力預估: 漿料製備塗佈技術可運用在卷對卷製程，具有可大量生產之優勢。 @ 技術司可移轉技術資料集
CIGS太陽電池之前驅物硒化技術	執行單位: 工研院綠能所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.第二代薄膜太陽電池。 2. 前驅物硒化製程。 \| 潛力預估: 本技術為目前可大面積量產硒化技術之ㄧ,可用於濺鍍,電鍍,塗佈等不同前驅物硒化製程。 @ 技術司可移轉技術資料集
超高解析度可錄式光碟片	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220834 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐偉智, 蔡松雨, 曾美榕, 許世朋, 洪添燦, 郭博成 @ 技術司專利資料集
高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 204070 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡松雨, 洪添燦, 許世朋, 姜皞先 @ 技術司專利資料集
光資訊記錄媒體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6713148 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕 @ 技術司專利資料集

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與一種全光域,高密度,高解析度,高倍速,高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料同分類的技術司專利資料集

自動調整增益／頻寬迴路濾波器及其中之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,696,886 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 柯俊男, 黃正壹, 范志鵬
使用後段脈衝處理濾波器技術之擁有快速收斂速率之平行化處理架構可調適決策回饋等化器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,697,424 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊孟達, 吳安宇
以多階網路遞迴式建構的累計和加法器網路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,591,285 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李碩彥
特定限制下具備非阻塞特性的單模循環型交換器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,657,998 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李碩彥
訊號處理方法及裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,658,161 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 陳自強, 謝勳璋
碼群組辨識與框邊界同步的方法與裝置	核准國家: 法國 \| 證書號碼: 2816142 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王惠民, 吳如純, 林慶鴻
光線補償之方法與系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191309 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 蔡耀弘, 黃雅軒, 江政欽, 謝君偉
用於同步數位系統等化混合時域及頻域之方法	核准國家: 韓國 \| 證書號碼: 428611 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王志祺, 吳安宇, 王博民
在維特比譯碼器中生存路徑的存儲器管理方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01125921.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 馬尚智
決定語音音高標記的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 204991 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳昭宏, 高永安
可提高人臉偵測正確率之影像前處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185584 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 黃雅軒, 蔡耀弘
用於行動網路中的多重播送的方法與系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 205010 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林一平, 逄愛君, 陳春秀, 馮文生
在影像中擷取與比對手勢特徵之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189479 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張勤振, 黃雅軒
在影像中將人臉特徵定位之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195162 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 彭吳忠謀
一種網際網路上之多方語音通話系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192253 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 薛德輝, 王佳盈, 劉俊麟

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執行單位

產出單位

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