高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料的核准國家是中華民國, 證書號碼是204070, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 專利發明人是蔡松雨, 洪添燦, 許世朋, 姜皞先.

序號509
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人蔡松雨 | 洪添燦 | 許世朋 | 姜皞先
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼204070
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料 本發明係提供一種高密度可錄式光碟片之記錄層染料(薔薇紅染料),其化學結構 如下式(I)所示:            化學結構(I)其中x-可為酸根離子 ,R可為苯甲酸基團、苯磺酸基團、苯環酯基團,經適當配製可作為一高密度可錄 式光碟片之記錄層染料,該染料之合成及純化步驟簡單,材料成本低廉。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員蔡松雨
電話03-5917789
傳真03-5820442
電子信箱songtsai@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)

序號

509

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫

專利發明人

蔡松雨 | 洪添燦 | 許世朋 | 姜皞先

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

204070

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料 本發明係提供一種高密度可錄式光碟片之記錄層染料(薔薇紅染料),其化學結構 如下式(I)所示:            化學結構(I)其中x-可為酸根離子 ,R可為苯甲酸基團、苯磺酸基團、苯環酯基團,經適當配製可作為一高密度可錄 式光碟片之記錄層染料,該染料之合成及純化步驟簡單,材料成本低廉。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

蔡松雨

電話

03-5917789

傳真

03-5820442

電子信箱

songtsai@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工,95年改為生醫材化

特殊情形

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矯正署澎湖看守所108年會計報告(按月)

資料集識別碼: 98514 | 詮釋資料更新時間: 2023-07-26 15:05:25 | 品質檢測: | 檔案格式: ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP | 編碼格式: UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8 | 提供機關: 法務部矯正署 | 服務分類: 公共資訊 | 資料集描述: 矯正署澎湖看守所108年會計報告(按月 )

@ 政府資料開放平臺資料集清單

竹睎民宿

電話: 886-988-215657 | 地址: 屏東縣恆春鎮省北路二段196-20號 | 級別: | 服務資訊: | 停車資訊: 車位:小客車0輛、機車0輛、大客車0輛 | 描述: 2022年全新完工的新建案,經過近半年與歐德裝潢團隊的討論而打造的舒適環境,民宿沒有豪華的造景、沒有優美的景色,但是一定讓你一進門就有回家的感覺~~~以下為竹睎民宿房源規定,請詳細閱讀(如有爭議我們有...

@ 旅館民宿 - 觀光資訊資料庫

竹睎民宿

Tel: 886-988-215657 | Name: バンブー B&B | Grade: | Serviceinfo: | Parkinginfo: Parking Space:Car 0、Motorcycle 0、Truck 0

@ 旅館民宿(日文版)-觀光資訊資料庫

竹睎民宿

Name: Bamboo B&B | Telephone: 886-988-215657 | Address: No. 196-20, Sec. 2, Shengbei Rd., Hengchun Township, Pingtung County946 , Taiwan (R.O.C.) | Grade: | Description: Bed and Breakfast in Pingtung | Serivce Information: | Parking Information: Parking Space:Car 0、Motorcycle 0、Truck 0

@ 旅館民宿(英文版)-觀光資訊資料庫

光華段377地號

總價元: 2193750 | 土地 | 建物移轉總面積平方公尺: 0 | 土地移轉總面積平方公尺: 10.75 | 建築完成年月: | 都市土地使用分區: | 建物型態: 其他 | 主要用途: | 交易年月日: 1130531

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

矯正署澎湖看守所108年會計報告(按月)

資料集識別碼: 98514 | 詮釋資料更新時間: 2023-07-26 15:05:25 | 品質檢測: | 檔案格式: ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP | 編碼格式: UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8 | 提供機關: 法務部矯正署 | 服務分類: 公共資訊 | 資料集描述: 矯正署澎湖看守所108年會計報告(按月 )

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竹睎民宿

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竹睎民宿

Tel: 886-988-215657 | Name: バンブー B&B | Grade: | Serviceinfo: | Parkinginfo: Parking Space:Car 0、Motorcycle 0、Truck 0

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竹睎民宿

Name: Bamboo B&B | Telephone: 886-988-215657 | Address: No. 196-20, Sec. 2, Shengbei Rd., Hengchun Township, Pingtung County946 , Taiwan (R.O.C.) | Grade: | Description: Bed and Breakfast in Pingtung | Serivce Information: | Parking Information: Parking Space:Car 0、Motorcycle 0、Truck 0

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光華段377地號

總價元: 2193750 | 土地 | 建物移轉總面積平方公尺: 0 | 土地移轉總面積平方公尺: 10.75 | 建築完成年月: | 都市土地使用分區: | 建物型態: 其他 | 主要用途: | 交易年月日: 1130531

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漿料與硒化技術製作CIGS太陽電池

執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米級(~100 nm)漿料製備、硒化(面積10 cm x 10cm)製程、元件製作技術(效率> 7%)。 | 潛力預估: 印刷式製程具有低成本的優勢,漿料製備與硒化為其關鍵技術。

@ 技術司可移轉技術資料集

共蒸鍍法CIGS太陽電池製作技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 電池轉換效率 ~ 15% (面積:0.45 cm2) | 潛力預估: 共蒸鍍製程具有高效率、高穩定性的優勢,是目前量產的主要技術

@ 技術司可移轉技術資料集

印刷式CIGS太陽電池之漿料製備塗佈技術

執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 第二代薄膜太陽電池。 2. 漿料製備與塗佈。 | 潛力預估: 漿料製備塗佈技術可運用在卷對卷製程,具有可大量生產之優勢。

@ 技術司可移轉技術資料集

CIGS太陽電池之前驅物硒化技術

執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.第二代薄膜太陽電池。 2. 前驅物硒化製程。 | 潛力預估: 本技術為目前可大面積量產硒化技術之ㄧ,可用於濺鍍,電鍍,塗佈等不同前驅物硒化製程。

@ 技術司可移轉技術資料集

一種全光域,高密度,高解析度,高倍速,高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00109664.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚

@ 技術司專利資料集

超高解析度可錄式光碟片

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220834 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 蔡松雨, 曾美榕, 許世朋, 洪添燦, 郭博成

@ 技術司專利資料集

全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6811948 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚

@ 技術司專利資料集

光資訊記錄媒體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6713148 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕

@ 技術司專利資料集

漿料與硒化技術製作CIGS太陽電池

執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米級(~100 nm)漿料製備、硒化(面積10 cm x 10cm)製程、元件製作技術(效率> 7%)。 | 潛力預估: 印刷式製程具有低成本的優勢,漿料製備與硒化為其關鍵技術。

@ 技術司可移轉技術資料集

共蒸鍍法CIGS太陽電池製作技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 電池轉換效率 ~ 15% (面積:0.45 cm2) | 潛力預估: 共蒸鍍製程具有高效率、高穩定性的優勢,是目前量產的主要技術

@ 技術司可移轉技術資料集

印刷式CIGS太陽電池之漿料製備塗佈技術

執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 第二代薄膜太陽電池。 2. 漿料製備與塗佈。 | 潛力預估: 漿料製備塗佈技術可運用在卷對卷製程,具有可大量生產之優勢。

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CIGS太陽電池之前驅物硒化技術

執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 冶金級多晶矽及新型太陽能電池三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.第二代薄膜太陽電池。 2. 前驅物硒化製程。 | 潛力預估: 本技術為目前可大面積量產硒化技術之ㄧ,可用於濺鍍,電鍍,塗佈等不同前驅物硒化製程。

@ 技術司可移轉技術資料集

一種全光域,高密度,高解析度,高倍速,高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00109664.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚

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超高解析度可錄式光碟片

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220834 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 蔡松雨, 曾美榕, 許世朋, 洪添燦, 郭博成

@ 技術司專利資料集

全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6811948 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚

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光資訊記錄媒體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6713148 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕

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元件轉貼之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221010 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱

多層互補式導線結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220775 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 陳麒麟

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220142 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤

覆晶構裝接合結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222725 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223307 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 205395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206792 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 203568 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220534 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源

導電薄膜形成的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220770 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源

可撓式面板之製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟

薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221341 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬

複合凸塊的接合結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223363 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞

元件轉貼之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221010 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱

多層互補式導線結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220775 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳昱丞, 陳麒麟

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220142 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤

覆晶構裝接合結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222725 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223307 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 205395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206792 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 203568 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220534 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源

導電薄膜形成的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220770 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源

可撓式面板之製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟

薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221341 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬

複合凸塊的接合結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223363 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞

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