場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院材料與化工領域環境建構計畫, 專利發明人是徐文泰, 盧榮宏, 周有偉, 葉國光, 戴椿河, 張志銘, 證書號碼是I221624.

序號561
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱工研院材料與化工領域環境建構計畫
專利發明人徐文泰, 盧榮宏, 周有偉, 葉國光, 戴椿河, 張志銘
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I221624
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法 本發明運用外加靜電場作為驅動力，使得金屬性奈米絲(nanowire)或奈米管(nanotube)飛行植入於基板上的披覆層而產生配向，此具配向性金屬奈米絲或奈米管的結構，可利用作為場發射顯示器之場發射源。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員盧榮宏
電話03-5915208
傳真03-5820385
電子信箱JongHongLu@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

561

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院材料與化工領域環境建構計畫

專利發明人

徐文泰, 盧榮宏, 周有偉, 葉國光, 戴椿河, 張志銘

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I221624

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法 本發明運用外加靜電場作為驅動力，使得金屬性奈米絲(nanowire)或奈米管(nanotube)飛行植入於基板上的披覆層而產生配向，此具配向性金屬奈米絲或奈米管的結構，可利用作為場發射顯示器之場發射源。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

盧榮宏

電話

03-5915208

傳真

03-5820385

電子信箱

JongHongLu@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

根據識別碼 I221624 找到的相關資料

無其他 I221624 資料。

[ 搜尋所有 I221624 ... ]

根據名稱 場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法 找到的相關資料

# 場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號3102
產出年度96
領域別(空)
專利名稱-中文場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱材料與化工領域環境建構計畫
專利發明人徐文泰 盧榮宏 周有偉 葉國光 戴椿河 張志銘
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL02153327.X
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法_x000D_ 本發明運用外加靜電場作為驅動力，使得金屬性奈米絲(nanowire)或奈米管(nanotube)飛行植入於基板上的披覆層而產生配向，此具配向性金屬奈米絲或奈米管的結構，可利用作為場發射顯示器之場發射源。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 3102
產出年度: 96
領域別: (空)
專利名稱-中文: 場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫
專利發明人: 徐文泰 盧榮宏 周有偉 葉國光 戴椿河 張志銘
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL02153327.X
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法_x000D_ 本發明運用外加靜電場作為驅動力，使得金屬性奈米絲(nanowire)或奈米管(nanotube)飛行植入於基板上的披覆層而產生配向，此具配向性金屬奈米絲或奈米管的結構，可利用作為場發射顯示器之場發射源。_x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
[ 搜尋所有 場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法 ... ]

根據姓名 徐文泰 盧榮宏 周有偉 葉國光 戴椿河 張志銘 找到的相關資料

無其他 徐文泰 盧榮宏 周有偉 葉國光 戴椿河 張志銘 資料。

[ 搜尋所有 徐文泰 盧榮宏 周有偉 葉國光 戴椿河 張志銘 ... ]

根據電話 03-5915208 找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915208 ...)

# 03-5915208 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號235
產出年度93
技術名稱-中文陶瓷薄膜整合技術
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用自組成奈米介面操控技術, 在製程溫度＜300℃的條件下, 以原子間自動置換的現象, 創造出量子位能井, 再進一步設計製造出薄膜電晶體。薄膜電晶體可製造在厚膜平坦化陶瓷基板上, 源極-汲極間的電流IDS = 10-9-10-6 安培。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格製程溫度＜300℃之薄膜電晶體。 源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍資訊電子用電晶體、 通訊電子用電晶體、平面顯示器用電晶體
潛力預估利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊及資訊產業的國際競爭力。
聯絡人員盧榮宏主任
電話03-5915208
傳真03-5820385
電子信箱JongHongLu@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備硬體：反應式濺鍍設備、黃光蝕刻設備
需具備之專業人才物理、電機電子、化學、材料、化工
序號: 235
產出年度: 93
技術名稱-中文: 陶瓷薄膜整合技術
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用自組成奈米介面操控技術, 在製程溫度＜300℃的條件下, 以原子間自動置換的現象, 創造出量子位能井, 再進一步設計製造出薄膜電晶體。薄膜電晶體可製造在厚膜平坦化陶瓷基板上, 源極-汲極間的電流IDS = 10-9-10-6 安培。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 製程溫度＜300℃之薄膜電晶體。 源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 資訊電子用電晶體、 通訊電子用電晶體、平面顯示器用電晶體
潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊及資訊產業的國際競爭力。
聯絡人員: 盧榮宏主任
電話: 03-5915208
傳真: 03-5820385
電子信箱: JongHongLu@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 硬體：反應式濺鍍設備、黃光蝕刻設備
需具備之專業人才: 物理、電機電子、化學、材料、化工

# 03-5915208 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號4035
產出年度98
技術名稱-中文PLA光擴散板材料技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱ICT產業應用生質材料的機會探索
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本計畫主要為探索生質材料聚乳酸樹脂(PLA)應用於擴散板之可行性研究評估。透過PLA改質研究，使其加工特性、物性與材料的可靠度，以符合製作生質擴散板應用的相關的規格需求。依序完成PLA樹脂物性及加工性評估與光擴散粒子配方設計、模具結構設計與製作，並將此材料製程15吋以上(含)擴散板樣品，且實際將此擴散板組裝置背光模組上，評估整體背光模組之出光特性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.完成以PLA/PMMA：25/75比例之生質合膠技術所製出的15”擴散板，按照小批量的配方進行放大實驗，其光學特性為：穿透率（54.31％）、霧度（99.54％）、擴散率(92.81％)與黃化指數b值(3.52)。將其組裝置背光模組中，進行輝度與均勻性量測，平均輝度可達6500nits以上，亮度均勻性可達90％，其效果皆不亞於商品擴散板之光學特性。 2.透過有機/無機混成技術添加2%天然助劑可將PLA 4g/10min提升至32g/10min (MFR, 190℃/2.16kg)。同樣選擇1.8%無機成核試劑也可將PLA熔融流動性提升至56g/10 min (MFR, 190℃/2.16kg)，且經由熱處理步驟可有效提升PLA結晶度至50%，並於試片厚度控制為1.3mm的狀態下，透明度可達91.31% 、Haze 9.04%。 3.經過相容性的研究、裂解黃變的防止及擴散機制的導入，本計畫得到一含完整配方的PLA生質合膠擴散材料，在PLA含量大於25%時，仍具有相當的耐熱性，其流變特性MI也達到5.65 g/10min，光學性質TT>91%、haze
技術成熟度雛形
可應用範圍所研製的生質合膠擴散板可應用在小型背光模組
潛力預估未來可應用於節能燈具所使用之光擴散燈罩，使節能燈具在除了在能源效率符合環保訴求外，在自身使用材料上也可取得相關環保標章。
聯絡人員林正軒
電話03-5915208
傳真03-5910035
電子信箱jerry124@itri.org.tw
參考網址－
所須軟硬體設備具有射出板材或押出板材之相關設備
需具備之專業人才碩士(含)以上化學化工背景等相關人才
序號: 4035
產出年度: 98
技術名稱-中文: PLA光擴散板材料技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: ICT產業應用生質材料的機會探索
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本計畫主要為探索生質材料聚乳酸樹脂(PLA)應用於擴散板之可行性研究評估。透過PLA改質研究，使其加工特性、物性與材料的可靠度，以符合製作生質擴散板應用的相關的規格需求。依序完成PLA樹脂物性及加工性評估與光擴散粒子配方設計、模具結構設計與製作，並將此材料製程15吋以上(含)擴散板樣品，且實際將此擴散板組裝置背光模組上，評估整體背光模組之出光特性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.完成以PLA/PMMA：25/75比例之生質合膠技術所製出的15”擴散板，按照小批量的配方進行放大實驗，其光學特性為：穿透率（54.31％）、霧度（99.54％）、擴散率(92.81％)與黃化指數b值(3.52)。將其組裝置背光模組中，進行輝度與均勻性量測，平均輝度可達6500nits以上，亮度均勻性可達90％，其效果皆不亞於商品擴散板之光學特性。 2.透過有機/無機混成技術添加2%天然助劑可將PLA 4g/10min提升至32g/10min (MFR, 190℃/2.16kg)。同樣選擇1.8%無機成核試劑也可將PLA熔融流動性提升至56g/10 min (MFR, 190℃/2.16kg)，且經由熱處理步驟可有效提升PLA結晶度至50%，並於試片厚度控制為1.3mm的狀態下，透明度可達91.31% 、Haze 9.04%。 3.經過相容性的研究、裂解黃變的防止及擴散機制的導入，本計畫得到一含完整配方的PLA生質合膠擴散材料，在PLA含量大於25%時，仍具有相當的耐熱性，其流變特性MI也達到5.65 g/10min，光學性質TT>91%、haze
技術成熟度: 雛形
可應用範圍: 所研製的生質合膠擴散板可應用在小型背光模組
潛力預估: 未來可應用於節能燈具所使用之光擴散燈罩，使節能燈具在除了在能源效率符合環保訴求外，在自身使用材料上也可取得相關環保標章。
聯絡人員: 林正軒
電話: 03-5915208
傳真: 03-5910035
電子信箱: jerry124@itri.org.tw
參考網址: －
所須軟硬體設備: 具有射出板材或押出板材之相關設備
需具備之專業人才: 碩士(含)以上化學化工背景等相關人才
[ 搜尋所有 03-5915208 ... ]

與場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

高高溫伸長率電解銅箔之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 192043

含細微化組織之合金靶材製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 | 證書號碼: TW 197245

電子連接器之後端電磁遮蔽元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖 | 證書號碼: US 6,705,897

具耐折性之電解銅箔的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 200903

具散熱結構之連接器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌 | 證書號碼: TW 206075

軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 | 證書號碼: TW 206917

廢棄晶片回收分離及純化之裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 溫志中, 鄭楚丕 | 證書號碼: TW 207333

場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱正茂, 郭鐘亮, 張光榮, 賴詩文, 栗愛綱, 賴宏仁, 橫山明聰 | 證書號碼: TW I224352

液晶面板及其製造方

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 溫俊祥, 吳耀庭, 鄭淑惠, 詹明香, 安川淳一, 桑原一 | 證書號碼: 182317

具有低介電常數之高頻電路基板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 黃仕穎, 陳永志, 王先毅, 鄭龍正, 陳俊昇 | 證書號碼: 185492

一種可增加膽固醇液晶反射波寬的方法及其應用

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆 | 證書號碼: 6669999

有機電致發光元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 | 證書號碼: 190466

有機電致發光元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 | 證書號碼: 6649284

具聲波導件之吸音板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 李芳慶, 陳文華, 姜達銘, 楊宗龍 | 證書號碼: 218521

自發配向的膽固醇液晶型增亮膜的製法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆, 吳平耀, 朱文彬 | 證書號碼: 196478

高高溫伸長率電解銅箔之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 192043

含細微化組織之合金靶材製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 | 證書號碼: TW 197245

電子連接器之後端電磁遮蔽元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖 | 證書號碼: US 6,705,897

具耐折性之電解銅箔的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 200903

具散熱結構之連接器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌 | 證書號碼: TW 206075

軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 | 證書號碼: TW 206917

廢棄晶片回收分離及純化之裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 溫志中, 鄭楚丕 | 證書號碼: TW 207333

場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱正茂, 郭鐘亮, 張光榮, 賴詩文, 栗愛綱, 賴宏仁, 橫山明聰 | 證書號碼: TW I224352

液晶面板及其製造方

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 溫俊祥, 吳耀庭, 鄭淑惠, 詹明香, 安川淳一, 桑原一 | 證書號碼: 182317

具有低介電常數之高頻電路基板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 黃仕穎, 陳永志, 王先毅, 鄭龍正, 陳俊昇 | 證書號碼: 185492

一種可增加膽固醇液晶反射波寬的方法及其應用

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆 | 證書號碼: 6669999

有機電致發光元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 | 證書號碼: 190466

有機電致發光元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 | 證書號碼: 6649284

具聲波導件之吸音板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 李芳慶, 陳文華, 姜達銘, 楊宗龍 | 證書號碼: 218521

自發配向的膽固醇液晶型增亮膜的製法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆, 吳平耀, 朱文彬 | 證書號碼: 196478

　|