具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳一誠, 曾永寬, 林澤勝, 證書號碼是I224079.

序號	565
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	陳一誠, 曾永寬, 林澤勝
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I224079
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法，係利用超臨界流體的特性，於基材表面形成奈米結構以形成具有表面奈米機能結構之材料；以超臨界流體攜帶機能材料之前驅物，使其於高壓容器內與基材達到反應平衡之後，再以適當的速度卸除壓力，二氧化碳超臨界流體則相應產生汽化反應，即可帶動前驅物分散附著於基材表面形成表面奈米機能結構；配合重複氣-液-固（VLS）之奈米線材成長的方法的運用，製作具有一維與二維複合奈米機能線材結構。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	林澤勝
電話	03-5916930
傳真	(空)
電子信箱	TSlin@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

565

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陳一誠, 曾永寬, 林澤勝

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I224079

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法，係利用超臨界流體的特性，於基材表面形成奈米結構以形成具有表面奈米機能結構之材料；以超臨界流體攜帶機能材料之前驅物，使其於高壓容器內與基材達到反應平衡之後，再以適當的速度卸除壓力，二氧化碳超臨界流體則相應產生汽化反應，即可帶動前驅物分散附著於基材表面形成表面奈米機能結構；配合重複氣-液-固（VLS）之奈米線材成長的方法的運用，製作具有一維與二維複合奈米機能線材結構。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

林澤勝

電話

03-5916930

傳真

(空)

電子信箱

TSlin@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 03-5916930 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號	564
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	邢泰剛, 戴建雄, 田慶成, 李耀東
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	198451
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種應用於薄膜體聲波共振子(Thin-Film Bulk Acoustic Resonators；FBAR)之濾波裝置及使用該裝置之雙工器，該薄膜體聲波共振子雙工器包括一第一埠、第二埠及第三埠；一介於該第一埠與該第二埠間並與該第一埠及該第二埠耦接之傳送端濾波裝置；以及一介於該第一埠與該第三埠間並與該第一埠及該第三埠耦接之接收端濾波裝置。其中，該傳送端濾波裝置及該接收端濾波裝置均至少包括一薄膜體聲波共振子電路。此外，該薄膜體聲波共振子電路包括有串聯及/或並聯之電感及電容其中任一者，藉以大幅達到調整薄膜體聲波共振子電路之頻寬、濾波裝置於斥帶之衰減量及阻抗匹配之目的。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	林澤勝
電話	03-5916930
傳真	(空)
電子信箱	TSlin@itri.org.tw
參考網址	www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號: 564

產出年度: 93

領域別: (空)

專利名稱-中文: 薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

執行單位: 工研院材料所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人: 邢泰剛, 戴建雄, 田慶成, 李耀東

核准國家: 中華民國

獲證日期: (空)

證書號碼: 198451

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 一種應用於薄膜體聲波共振子(Thin-Film Bulk Acoustic Resonators；FBAR)之濾波裝置及使用該裝置之雙工器，該薄膜體聲波共振子雙工器包括一第一埠、第二埠及第三埠；一介於該第一埠與該第二埠間並與該第一埠及該第二埠耦接之傳送端濾波裝置；以及一介於該第一埠與該第三埠間並與該第一埠及該第三埠耦接之接收端濾波裝置。其中，該傳送端濾波裝置及該接收端濾波裝置均至少包括一薄膜體聲波共振子電路。此外，該薄膜體聲波共振子電路包括有串聯及/或並聯之電感及電容其中任一者，藉以大幅達到調整薄膜體聲波共振子電路之頻寬、濾波裝置於斥帶之衰減量及阻抗匹配之目的。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 林澤勝

電話: 03-5916930

傳真: (空)

電子信箱: TSlin@itri.org.tw

參考網址: www.itri.org.tw

備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形: (空)

# 03-5916930 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號	566
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	戴建雄, 邢泰剛, 田慶成, 李耀東
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I224891
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明揭露一種平衡式架構之薄膜體聲波共振子（Thin-Film Bulk Acoustic Resonators；FBAR）濾波裝置及使用該裝置之雙工器，係利用一種薄膜體聲波共振子厚度(也就是共振頻率皆相同)即可達到濾波器及雙工器的規格，免除了傳統式的平衡式與非平衡架構架構必須採用多種薄膜體聲波共振子厚度所造成的製造複雜性與所增加製程不穩定度。另外，本發明採用電感或電容來取代部分的薄膜體聲波共振子，可減少濾波器架構所需的薄膜體聲波共振子個數，同時在雙工器的應用上亦不需額外傳輸線，皆可有效減小雙工器面積與寄生效應的問題。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	林澤勝
電話	03-5916930
傳真	(空)
電子信箱	TSlin@itri.org.tw
參考網址	www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號: 566

產出年度: 93

領域別: (空)

專利名稱-中文: 平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

執行單位: 工研院材料所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人: 戴建雄, 邢泰剛, 田慶成, 李耀東

核准國家: 中華民國

獲證日期: (空)

證書號碼: I224891

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明揭露一種平衡式架構之薄膜體聲波共振子（Thin-Film Bulk Acoustic Resonators；FBAR）濾波裝置及使用該裝置之雙工器，係利用一種薄膜體聲波共振子厚度(也就是共振頻率皆相同)即可達到濾波器及雙工器的規格，免除了傳統式的平衡式與非平衡架構架構必須採用多種薄膜體聲波共振子厚度所造成的製造複雜性與所增加製程不穩定度。另外，本發明採用電感或電容來取代部分的薄膜體聲波共振子，可減少濾波器架構所需的薄膜體聲波共振子個數，同時在雙工器的應用上亦不需額外傳輸線，皆可有效減小雙工器面積與寄生效應的問題。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 林澤勝

電話: 03-5916930

傳真: (空)

電子信箱: TSlin@itri.org.tw

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備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形: (空)

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與具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

半導體光電晶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 \| 證書號碼: 6759694
形成多晶矽薄膜電晶體之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳麒麟, 黃順發, 王亮棠 \| 證書號碼: I224868
晶圓級構裝結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 張恕銘, 沈里正 \| 證書號碼: I224377
紙質光觸媒濾網的製法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 張志成, 賀遵火, 江旭政 \| 證書號碼: 195738
隔板式空調模板	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 江旭政, 徐筱琪, 蘇智群, 洪劍長 \| 證書號碼: ZL01134433.4
空氣清淨裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 顏銘志, 江旭政, 洪劍長, 吳旭聖 \| 證書號碼: 213976
可替換式噴流或層流面板的空氣處理裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 洪劍長, 江旭政, 潘忠恕 \| 證書號碼: 6,716,265
空氣採樣微粒子稀釋裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳旭聖, 江旭政, 賀遵火 \| 證書號碼: 210149
空氣採樣微粒子稀釋裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳旭聖, 江旭政, 賀遵火 \| 證書號碼: 6,742,383
光觸媒捕蚊裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 賀遵火, 江旭政, 吳旭聖 \| 證書號碼: 225442
混成無刷馬達	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 黃文楠, 陳志信, 陳慕平, 陳婉珮 \| 證書號碼: 216627
使用主動式回授負載之直流/直流轉換器燒機測試方法及系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 胡國英 \| 證書號碼: 200694
切換磁阻馬達之暫態過速抑制方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 胡國英, 方志行 \| 證書號碼: 203536
空調裝置	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 江旭政, 王啟川, 顏銘志 \| 證書號碼: 3100589
空調裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 江旭政, 王啟川, 顏銘志 \| 證書號碼: 218641

具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

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特殊情形

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與具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法
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