氣體感測器及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文氣體感測器及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是魏碧玉, 賴宏仁, 蘇平貴, 吳仁彰, 林鴻明, 孫益陸, 證書號碼是202724.

序號	573
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	氣體感測器及其製造方法
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	魏碧玉, 賴宏仁, 蘇平貴, 吳仁彰, 林鴻明, 孫益陸
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	202724
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氣體感測器及其製造方法。上述氣體感測器包括一基板；一對電極，位於該基板上；以及一氣體感測薄膜，覆蓋於該電極上，上述氣體感測薄膜係由奈米碳管以及氧化錫所組成。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	賴宏仁
電話	03-5916998
傳真	(空)
電子信箱	hjlai@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

573

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

氣體感測器及其製造方法

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

魏碧玉, 賴宏仁, 蘇平貴, 吳仁彰, 林鴻明, 孫益陸

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

202724

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種氣體感測器及其製造方法。上述氣體感測器包括一基板；一對電極，位於該基板上；以及一氣體感測薄膜，覆蓋於該電極上，上述氣體感測薄膜係由奈米碳管以及氧化錫所組成。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

賴宏仁

電話

03-5916998

傳真

(空)

電子信箱

hjlai@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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東南旅行社中科分公司

電話: 04 22261171 | 公司地址: 臺中市,西區,民權路57號(4樓) | 英文名稱: | 契約保證否: Y | 契約格式:

@ 旅行業基本資料

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# 氣體感測器及其製造方法於經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號	13655
產出年度	103
領域別	智慧科技
專利名稱-中文	氣體感測器及其製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院南分院
計畫名稱	工研院環境建構總計畫
專利發明人	陳一誠 ,郭乃豪 ,林靖淵
核准國家	中華民國
獲證日期	103/04/11
證書號碼	I434037
專利期間起	119/12/02
專利期間訖	一種氣體感測器及其製造方法。氣體感測器包括一基板、一絕緣薄膜、一加熱單元、一電極對、一緩衝層以及一氣體感測層。基板具有相對的一第一表面與一第二表面以及一腔體。腔體在第一表面具有一開口。絕緣薄膜配置於第一表面並覆蓋開口。加熱單元埋設於絕緣薄膜且位於開口上方。電極對配置於絕緣薄膜上並與加熱單元電性隔離。緩衝層配置於絕緣薄膜上且位於加熱單元上方。緩衝層電性連接電極對，且緩衝層在第一表面的正投影至少部分落在開口旁的基板上。氣體感測層配置於緩衝層上，且氣體感測層內具有奈米觸媒。
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氣體感測器及其製造方法。氣體感測器包括一基板、一絕緣薄膜、一加熱單元、一電極對、一緩衝層以及一氣體感測層。基板具有相對的一第一表面與一第二表面以及一腔體。腔體在第一表面具有一開口。絕緣薄膜配置於第一表面並覆蓋開口。加熱單元埋設於絕緣薄膜且位於開口上方。電極對配置於絕緣薄膜上並與加熱單元電性隔離。緩衝層配置於絕緣薄膜上且位於加熱單元上方。緩衝層電性連接電極對，且緩衝層在第一表面的正投影至少部分落在開口旁的基板上。氣體感測層配置於緩衝層上，且氣體感測層內具有奈米觸媒。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	www.itri.org.tw
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 13655

產出年度: 103

領域別: 智慧科技

專利名稱-中文: 氣體感測器及其製造方法

執行單位: 工研院院本部

產出單位: 工研院南分院

計畫名稱: 工研院環境建構總計畫

專利發明人: 陳一誠 ,郭乃豪 ,林靖淵

核准國家: 中華民國

獲證日期: 103/04/11

證書號碼: I434037

專利期間起: 119/12/02

專利期間訖: 一種氣體感測器及其製造方法。氣體感測器包括一基板、一絕緣薄膜、一加熱單元、一電極對、一緩衝層以及一氣體感測層。基板具有相對的一第一表面與一第二表面以及一腔體。腔體在第一表面具有一開口。絕緣薄膜配置於第一表面並覆蓋開口。加熱單元埋設於絕緣薄膜且位於開口上方。電極對配置於絕緣薄膜上並與加熱單元電性隔離。緩衝層配置於絕緣薄膜上且位於加熱單元上方。緩衝層電性連接電極對，且緩衝層在第一表面的正投影至少部分落在開口旁的基板上。氣體感測層配置於緩衝層上，且氣體感測層內具有奈米觸媒。

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 一種氣體感測器及其製造方法。氣體感測器包括一基板、一絕緣薄膜、一加熱單元、一電極對、一緩衝層以及一氣體感測層。基板具有相對的一第一表面與一第二表面以及一腔體。腔體在第一表面具有一開口。絕緣薄膜配置於第一表面並覆蓋開口。加熱單元埋設於絕緣薄膜且位於開口上方。電極對配置於絕緣薄膜上並與加熱單元電性隔離。緩衝層配置於絕緣薄膜上且位於加熱單元上方。緩衝層電性連接電極對，且緩衝層在第一表面的正投影至少部分落在開口旁的基板上。氣體感測層配置於緩衝層上，且氣體感測層內具有奈米觸媒。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 李露蘋

電話: 03-5917812

傳真: 03-5917431

電子信箱: oralp@itri.org.tw

參考網址: www.itri.org.tw

備註: (空)

特殊情形: (空)

# 氣體感測器及其製造方法於經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號	11927
產出年度	102
領域別	電資通光
專利名稱-中文	氣體感測器及其製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院院本部
計畫名稱	工研院環境建構總計畫
專利發明人	陳一誠 ,郭乃豪 ,林靖淵
核准國家	美國
獲證日期	102/09/12
證書號碼	8501101
專利期間起	102/08/06
專利期間訖	120/08/11
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氣體感測器及其製造方法。氣體感測器包括一基板、一絕緣薄膜、一加熱單元、一電極對、一緩衝層以及一氣體感測層。基板具有相對的一第一表面與一第二表面以及一腔體。腔體在第一表面具有一開口。絕緣薄膜配置於第一表面並覆蓋開口。加熱單元埋設於絕緣薄膜且位於開口上方。電極對配置於絕緣薄膜上並與加熱單元電性隔離。緩衝層配置於絕緣薄膜上且位於加熱單元上方。緩衝層電性連接電極對，且緩衝層在第一表面的正投影至少部分落在開口旁的基板上。氣體感測層配置於緩衝層上，且氣體感測層內具有奈米觸媒。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	www.itri.org.tw
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 11927

產出年度: 102

領域別: 電資通光

專利名稱-中文: 氣體感測器及其製造方法

執行單位: 工研院院本部

產出單位: 工研院院本部

計畫名稱: 工研院環境建構總計畫

專利發明人: 陳一誠 ,郭乃豪 ,林靖淵

核准國家: 美國

獲證日期: 102/09/12

證書號碼: 8501101

專利期間起: 102/08/06

專利期間訖: 120/08/11

專利性質: 發明

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 李露蘋

電話: 03-5917812

傳真: 03-5917431

電子信箱: oralp@itri.org.tw

參考網址: www.itri.org.tw

備註: (空)

特殊情形: (空)

# 氣體感測器及其製造方法於經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號	9341
產出年度	101
領域別	創新前瞻
專利名稱-中文	氣體感測器及其製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院院本部
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	魏碧玉,賴宏仁,蘇平貴,吳仁彰,林鴻明,孫益陸
核准國家	美國
獲證日期	101/06/19
證書號碼	8178157
專利期間起	101/05/15
專利期間訖	113/07/11
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氣體感測器及其製造方法。上述氣體感測器包括一基板；一對電極，位於該基板上；以及一氣體感測薄膜，覆蓋於該電極上，上述氣體感測薄膜係由奈米碳管以及氧化錫所組成。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 9341

產出年度: 101

領域別: 創新前瞻

專利名稱-中文: 氣體感測器及其製造方法

執行單位: 工研院院本部

產出單位: 工研院院本部

計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人: 魏碧玉,賴宏仁,蘇平貴,吳仁彰,林鴻明,孫益陸

核准國家: 美國

獲證日期: 101/06/19

證書號碼: 8178157

專利期間起: 101/05/15

專利期間訖: 113/07/11

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 一種氣體感測器及其製造方法。上述氣體感測器包括一基板；一對電極，位於該基板上；以及一氣體感測薄膜，覆蓋於該電極上，上述氣體感測薄膜係由奈米碳管以及氧化錫所組成。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 李露蘋

電話: 03-5917812

傳真: 03-5917431

電子信箱: oralp@itri.org.tw

參考網址: (空)

備註: (空)

特殊情形: (空)

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與氣體感測器及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋 \| 證書號碼: 6656772
使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 \| 證書號碼: 6605491
可調式電容及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 \| 證書號碼: 185849
具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 \| 證書號碼: 3533205
具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 \| 證書號碼: 223402
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 184677
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6651325
矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 \| 證書號碼: 184681
3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 \| 證書號碼: 6700783
應用奈米管增加半導體元件電容之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 \| 證書號碼: 6759305
改進之場發射型顯示器驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 \| 證書號碼: 6741039
氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 \| 證書號碼: 188211
形成薄膜電晶體於透明基板上之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東 \| 證書號碼: 6764887
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 \| 證書號碼: 187289
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 \| 證書號碼: 6773870

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產出年度

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專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

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與氣體感測器及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

氣體感測器及其製造方法
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