熱釋電型感測器信號轉換電路
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文熱釋電型感測器信號轉換電路的核准國家是中華民國, 證書號碼是197821, 專利性質是發明, 執行單位是工研院量測中心, 產出年度是93, 計畫名稱是自動光學顯微檢測設備技術三年計畫, 專利發明人是涂鐘範, 林耀明.

序號	590
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	熱釋電型感測器信號轉換電路
執行單位	工研院量測中心
產出單位	(空)
計畫名稱	自動光學顯微檢測設備技術三年計畫
專利發明人	涂鐘範 \| 林耀明
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	197821
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係有關於一種信號轉換電路，特別是提出一種熱釋電型(Pyroelectric)感測器信號轉換電路，可以於一個週期內取得熱釋電型感測器輸出之交流信號的峰值並以直流信號輸出。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	金娟如
電話	03-5743816
傳真	03-5720621
電子信箱	judyking@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)

序號

590

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

熱釋電型感測器信號轉換電路

執行單位

工研院量測中心

產出單位

(空)

計畫名稱

自動光學顯微檢測設備技術三年計畫

專利發明人

涂鐘範 | 林耀明

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

197821

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係有關於一種信號轉換電路，特別是提出一種熱釋電型(Pyroelectric)感測器信號轉換電路，可以於一個週期內取得熱釋電型感測器輸出之交流信號的峰值並以直流信號輸出。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

金娟如

電話

03-5743816

傳真

03-5720621

電子信箱

judyking@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

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綠苗有機農場

chargingTime: - | chargingClose: - | chargingItem: 一般充電站 | 大溪區 | 桃園市政府環境保護局

@ 桃園市電動二輪車充電站

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高密度通道光譜影像量測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm \| 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足，但製程良率偏低，且檢測速度遠不及產出率，需求快速光譜檢測新一代技術，本技術可直接針對此需求提供服務。 @ 技術司可移轉技術資料集
高密度光譜分析技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm \| 潛力預估: 可取代目前國外高價產品，可創造產值5億 @ 技術司可移轉技術資料集
垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 \| 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器，在亞洲市場的產值每年可達數億元，其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。 @ 技術司可移轉技術資料集
3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭，尺寸/形狀空間解析度：8~15μm。(2)機台y-方向移動速度：40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... \| 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等，產業頗具規模，因此，製程品質之檢測儀器之需求大。 @ 技術司可移轉技術資料集
HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)空間解析度：7.7 μm。(2)深度範圍：< 200μm。 \| 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等，產業頗具規模，因此，製程品質之檢測儀器之需求大。 @ 技術司可移轉技術資料集
三維形貌量測探頭技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 垂直解析度≦5μm。2. 水平解析度：≦25μm。3.掃描速度: 125mm/sec。 \| 潛力預估: 預計93年台灣儀器廠將陸續推出設備搶攻台灣與大陸市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
電力控制電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 214743 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 陳盛仁 \| 楊景榮 \| 林俊宏 \| 陳燦林 @ 技術司專利資料集
提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184318 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 郭晉榮 \| 黃俊雄 @ 技術司專利資料集

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形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190648 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑 \| 陳志強 \| 莊景桑
光波導製程之階梯覆蓋率的測試結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191701 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡柏豪 \| 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 劉文俊 \| 李裕文
埋藏式電容結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192752 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 吳俊昆 \| 陳昌昇
埋藏式電容結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6813138 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 吳俊昆 \| 陳昌昇
超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223446 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 賴理學 \| 陳邦旭 \| 陸新起 \| 劉致為
具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206598 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋 \| 翁逸君 \| 劉康弘 \| 范揚宜
橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206589 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明 \| 范揚宜 \| 許家榮 \| 陳慶逸
測試蝕刻速率的結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197248 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 王欽宏 \| 梁兆鈞 \| 陳玉華
微通道流體導引元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188284 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
微通道流體導引元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6725882 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
薄膜電晶體的結構、其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198288 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林炯暐 \| 葉永輝
移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220255 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 王博文 \| 林展瑞
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192543 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 陳昌昇 \| 吳俊昆 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 賴穎俊
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202861 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維 \| 李永忠 \| 潘宗銘 \| 卓言
有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200178 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚 \| 鄭弘隆 \| 賴志明 \| 廖奇璋

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產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

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