控制奈米碳管長度之方法與裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文控制奈米碳管長度之方法與裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院量測中心, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是戴鴻名, 施能謙, 陳燦林, 證書號碼是200165.

序號	603
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	控制奈米碳管長度之方法與裝置
執行單位	工研院量測中心
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	戴鴻名, 施能謙, 陳燦林
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	200165
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係有關於一種控制奈米碳管長度之裝置及方法，係配合一表面形成有至少一奈米碳管或奈米碳管探針之基板，主要包括：至少一定位平台，用以放置並調整該基板之位置，或調整該放電電極之位置；一放電電極，位於該定位平台之一側，用以裁切該奈米碳管；一壓電致動器，用以定位或調整該放電電極之位置或與該基板參考面之相對高度；一距離感測器，用以感知該電極之高度；以及一電壓脈衝供應器，用以施加一電壓脈衝至該放電電極，以裁切該奈米碳管。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	金娟如
電話	03-5743816
傳真	03-5720621
電子信箱	judyking@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

603

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

控制奈米碳管長度之方法與裝置

執行單位

工研院量測中心

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

戴鴻名, 施能謙, 陳燦林

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

200165

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係有關於一種控制奈米碳管長度之裝置及方法，係配合一表面形成有至少一奈米碳管或奈米碳管探針之基板，主要包括：至少一定位平台，用以放置並調整該基板之位置，或調整該放電電極之位置；一放電電極，位於該定位平台之一側，用以裁切該奈米碳管；一壓電致動器，用以定位或調整該放電電極之位置或與該基板參考面之相對高度；一距離感測器，用以感知該電極之高度；以及一電壓脈衝供應器，用以施加一電壓脈衝至該放電電極，以裁切該奈米碳管。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

金娟如

電話

03-5743816

傳真

03-5720621

電子信箱

judyking@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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新北市新店區中正路２２９之１號二樓

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

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控制奈米碳管長度之方法與裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 戴鴻名施能謙陳燦林 \| 證書號碼: 7,396,564 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
控制奈米碳管長度之方法與裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 戴鴻名 ,施能謙 ,陳燦林 , \| 證書號碼: 7737381 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
控制奈米碳管長度之方法與裝置	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: Tip length \| 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡、奈米操控器市場 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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力量感測器

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高密度通道光譜影像量測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm \| 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足，但製程良率偏低，且檢測速度遠不及產出率，需求快速光譜檢測新一代技術，本技術可直接針對此需求提供服務。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
高密度光譜分析技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm \| 潛力預估: 可取代目前國外高價產品，可創造產值5億 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 \| 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器，在亞洲市場的產值每年可達數億元，其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭，尺寸/形狀空間解析度：8~15μm。(2)機台y-方向移動速度：40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... \| 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等，產業頗具規模，因此，製程品質之檢測儀器之需求大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)空間解析度：7.7 μm。(2)深度範圍：< 200μm。 \| 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等，產業頗具規模，因此，製程品質之檢測儀器之需求大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
三維形貌量測探頭技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 垂直解析度≦5μm。2. 水平解析度：≦25μm。3.掃描速度: 125mm/sec。 \| 潛力預估: 預計93年台灣儀器廠將陸續推出設備搶攻台灣與大陸市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
電力控制電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 陳盛仁, 楊景榮, 林俊宏, 陳燦林 \| 證書號碼: 214743 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 郭晉榮,黃俊雄 \| 證書號碼: 184318 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

高密度通道光譜影像量測技術

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高密度光譜分析技術

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垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

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3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

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HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術

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三維形貌量測探頭技術

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電力控制電路

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氣動式微流體驅動裝置及方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾永強, 吳得群, 郭遠峰, 黃士豪 \| 證書號碼: 6682311
用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 \| 證書號碼: 184703
用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 \| 證書號碼: 6617264
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 191653
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6663278
接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 \| 證書號碼: 200260
形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 \| 證書號碼: 6692983
可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 \| 證書號碼: 184717
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 220265
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 6769945
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 \| 證書號碼: 206590
主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 202661
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 6753655
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 \| 證書號碼: 6737303
薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源 \| 證書號碼: 189563

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