以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 專利發明人是李傳英, 黃尊禧, 證書號碼是6660625.

序號735
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人李傳英, 黃尊禧
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6660625
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明案中提出三種利用無電鍍的製程,製作金屬連接導線以及銲錫隆點。第一種製程是利用作為無電鍍反應的催化層材料,此矽化鈀不需要活化步驟,即可進行無電鍍反應。製作方法是先將矽化鈀製作於擴散障礙層(20)上和附著層(30)上,再利用微影製程製作圖案其上後,接著再利用無電鍍沉積技術沉積鎳,鈀或銅於矽化鈀層之上,已形成金屬導線。_x000D_ 而本發明的第二種製程是利用無電鍍製程將金屬選擇性的沉積於附著層(130)上, 此附著層上材料可以是複晶矽,鋁或是鈦。此製程先是利用光阻於附著層上製作出導線圖案,然後利用無電鍍製程選擇性的沉積金屬於附著層上,再將光阻去除後時刻多餘的附著層以形成金屬導線結構。本發明案所提出的第三種製程是製作焊錫熔點,此製程是先沉積一鋁金屬層(220)及擴散障礙層(220)於基材上,此擴散障礙層(230)在被經由是當的研磨處理及活化。再利用光阻於鋁金屬層(220)及擴散障礙層(230)之上製作出導線圖案,隨即進行無電鍍反應,使鎳或銅可以選擇性得沉積在擴散障礙層之上,最後即可於無電鍍金屬(240)層上製作銲錫隆點(250)_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真(空)
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

735

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

專利發明人

李傳英, 黃尊禧

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6660625

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明案中提出三種利用無電鍍的製程,製作金屬連接導線以及銲錫隆點。第一種製程是利用作為無電鍍反應的催化層材料,此矽化鈀不需要活化步驟,即可進行無電鍍反應。製作方法是先將矽化鈀製作於擴散障礙層(20)上和附著層(30)上,再利用微影製程製作圖案其上後,接著再利用無電鍍沉積技術沉積鎳,鈀或銅於矽化鈀層之上,已形成金屬導線。_x000D_ 而本發明的第二種製程是利用無電鍍製程將金屬選擇性的沉積於附著層(130)上, 此附著層上材料可以是複晶矽,鋁或是鈦。此製程先是利用光阻於附著層上製作出導線圖案,然後利用無電鍍製程選擇性的沉積金屬於附著層上,再將光阻去除後時刻多餘的附著層以形成金屬導線結構。本發明案所提出的第三種製程是製作焊錫熔點,此製程是先沉積一鋁金屬層(220)及擴散障礙層(220)於基材上,此擴散障礙層(230)在被經由是當的研磨處理及活化。再利用光阻於鋁金屬層(220)及擴散障礙層(230)之上製作出導線圖案,隨即進行無電鍍反應,使鎳或銅可以選擇性得沉積在擴散障礙層之上,最後即可於無電鍍金屬(240)層上製作銲錫隆點(250)_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

hchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電,95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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序號734
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人李傳英, 黃尊禧
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6713377
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明案中提出三種利用無電鍍的製程,製作金屬連接導線以及銲錫隆點。第一種製程是利用作為無電鍍反應的催化層材料,此矽化鈀不需要活化步驟,即可進行無電鍍反應。製作方法是先將矽化鈀製作於擴散障礙層(20)上和附著層(30)上,再利用微影製程製作圖案其上後,接著再利用無電鍍沉積技術沉積鎳,鈀或銅於矽化鈀層之上,已形成金屬導線。_x000D_ 而本發明的第二種製程是利用無電鍍製程將金屬選擇性的沉積於附著層(130)上, 此附著層上材料可以是複晶矽,鋁或是鈦。此製程先是利用光阻於附著層上製作出導線圖案,然後利用無電鍍製程選擇性的沉積金屬於附著層上,再將光阻去除後時刻多餘的附著層以形成金屬導線結構。本發明案所提出的第三種製程是製作焊錫熔點,此製程是先沉積一鋁金屬層(220)及擴散障礙層(220)於基材上,此擴散障礙層(230)在被經由是當的研磨處理及活化。再利用光阻於鋁金屬層(220)及擴散障礙層(230)之上製作出導線圖案,隨即進行無電鍍反應,使鎳或銅可以選擇性得沉積在擴散障礙層之上,最後即可於無電鍍金屬(240)層上製作銲錫隆點(250)_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真(空)
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 734
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人: 李傳英, 黃尊禧
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6713377
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明案中提出三種利用無電鍍的製程,製作金屬連接導線以及銲錫隆點。第一種製程是利用作為無電鍍反應的催化層材料,此矽化鈀不需要活化步驟,即可進行無電鍍反應。製作方法是先將矽化鈀製作於擴散障礙層(20)上和附著層(30)上,再利用微影製程製作圖案其上後,接著再利用無電鍍沉積技術沉積鎳,鈀或銅於矽化鈀層之上,已形成金屬導線。_x000D_ 而本發明的第二種製程是利用無電鍍製程將金屬選擇性的沉積於附著層(130)上, 此附著層上材料可以是複晶矽,鋁或是鈦。此製程先是利用光阻於附著層上製作出導線圖案,然後利用無電鍍製程選擇性的沉積金屬於附著層上,再將光阻去除後時刻多餘的附著層以形成金屬導線結構。本發明案所提出的第三種製程是製作焊錫熔點,此製程是先沉積一鋁金屬層(220)及擴散障礙層(220)於基材上,此擴散障礙層(230)在被經由是當的研磨處理及活化。再利用光阻於鋁金屬層(220)及擴散障礙層(230)之上製作出導線圖案,隨即進行無電鍍反應,使鎳或銅可以選擇性得沉積在擴散障礙層之上,最後即可於無電鍍金屬(240)層上製作銲錫隆點(250)_x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: (空)
電子信箱: hchang@itri.org.tw
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備註: 原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
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# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號8331
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人FREDERICKT.CHEN
核准國家中華民國
獲證日期100/03/07
證書號碼I338392
專利期間起100/03/01
專利期間訖118/04/23
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8331
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人: FREDERICKT.CHEN
核准國家: 中華民國
獲證日期: 100/03/07
證書號碼: I338392
專利期間起: 100/03/01
專利期間訖: 118/04/23
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
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特殊情形: (空)

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號8332
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人FREDERICKT.CHEN
核准國家美國
獲證日期100/03/10
證書號碼7,888,155
專利期間起100/02/15
專利期間訖118/07/31
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8332
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人: FREDERICKT.CHEN
核准國家: 美國
獲證日期: 100/03/10
證書號碼: 7,888,155
專利期間起: 100/02/15
專利期間訖: 118/07/31
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號675
產出年度93
技術名稱-中文MRAM 元件製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心,所呈現獨特的磁阻特性,具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。
潛力預估MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343
所須軟硬體設備具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。
序號: 675
產出年度: 93
技術名稱-中文: MRAM 元件製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心,所呈現獨特的磁阻特性,具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。
潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343
所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號676
產出年度93
技術名稱-中文用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本計劃利用SiGe異質接面的材料特性,來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor),進一步應用在光偵測器(optical detector)上,以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低,可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢,致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計,可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體,其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文(空)
技術規格電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT):> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) :> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO):> 3.5 Volt.
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC):應用於無線通訊系統與高速區域網路系統,提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器,光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345
所須軟硬體設備具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。
序號: 676
產出年度: 93
技術名稱-中文: 用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本計劃利用SiGe異質接面的材料特性,來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor),進一步應用在光偵測器(optical detector)上,以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低,可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢,致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計,可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體,其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT):> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) :> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO):> 3.5 Volt.
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC):應用於無線通訊系統與高速區域網路系統,提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器,光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345
所須軟硬體設備: 具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號677
產出年度93
技術名稱-中文相變化薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心,本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441
所須軟硬體設備具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
序號: 677
產出年度: 93
技術名稱-中文: 相變化薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心,本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441
所須軟硬體設備: 具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號678
產出年度93
技術名稱-中文高介電值閘極介電物技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要
技術現況敘述-英文(空)
技術規格高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級
技術成熟度雛型
可應用範圍矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi
潛力預估本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833
所須軟硬體設備具記憶體或foundry能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 678
產出年度: 93
技術名稱-中文: 高介電值閘極介電物技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi
潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833
所須軟硬體設備: 具記憶體或foundry能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號679
產出年度93
技術名稱-中文相變化記憶體元件與製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質,是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術,除了開發記憶胞的關鍵製程模組外,更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。
技術成熟度雛型
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1836
所須軟硬體設備具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
序號: 679
產出年度: 93
技術名稱-中文: 相變化記憶體元件與製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質,是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術,除了開發記憶胞的關鍵製程模組外,更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1836
所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號680
產出年度93
技術名稱-中文應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題,具有提昇性能的特性,主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術,以建立起CMOS製程與元件技術平台,提昇載子移動率和元件效能,使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度雛型
可應用範圍高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 680
產出年度: 93
技術名稱-中文: 應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題,具有提昇性能的特性,主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術,以建立起CMOS製程與元件技術平台,提昇載子移動率和元件效能,使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備: 具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
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與以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

藍芽分散式網路之資料傳遞方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203433號

藍芽分散式網路之鏈結方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203051號

基於事件階層表示法之多模式對話系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 許天明、林伯慎 | 證書號碼: 發明205462

無線裝置應用程式之主動式無線下載方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 張勝傑、陳彥呈、吳捷 | 證書號碼: 發明198829

以無線方式收取通行費方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 施文展 | 證書號碼: 發明205818

可處理自然語言詢答之電腦系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 郭俊桔、高正烜、陳信希、林桂光 | 證書號碼: 發明I221991

具有強健性與應用彈性之口語理解方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 林伯慎、吳盈璋、李琳山 | 證書號碼: 發明197228

聯合雷達/自動回報監視環境中航跡位置預測的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明191099

聯合雷達/自動回報監視環境中之航跡資料融合處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明184817

利用識別碼對應法之資料同步方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代數位學習環境技術研發計畫 | 專利發明人: 譚正中 | 證書號碼: I222579

擴充卡快速原型發展平台

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 張志龍,陳友士 | 證書號碼: 204187

文件內容與中介資料之對應方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕,張履平,蒙以亨 | 證書號碼: 195703

組合的類別特徵選取方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 周世俊,謝文泰,蒙以亨 | 證書號碼: 195776

中文文章評量方法及系統及其電腦讀取媒介

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕 | 證書號碼: 199185

根據常識樹狀標示法計算概念相似度之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 謝文泰,周世俊 | 證書號碼: 204708

藍芽分散式網路之資料傳遞方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203433號

藍芽分散式網路之鏈結方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203051號

基於事件階層表示法之多模式對話系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 許天明、林伯慎 | 證書號碼: 發明205462

無線裝置應用程式之主動式無線下載方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 張勝傑、陳彥呈、吳捷 | 證書號碼: 發明198829

以無線方式收取通行費方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 施文展 | 證書號碼: 發明205818

可處理自然語言詢答之電腦系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 郭俊桔、高正烜、陳信希、林桂光 | 證書號碼: 發明I221991

具有強健性與應用彈性之口語理解方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 林伯慎、吳盈璋、李琳山 | 證書號碼: 發明197228

聯合雷達/自動回報監視環境中航跡位置預測的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明191099

聯合雷達/自動回報監視環境中之航跡資料融合處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明184817

利用識別碼對應法之資料同步方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代數位學習環境技術研發計畫 | 專利發明人: 譚正中 | 證書號碼: I222579

擴充卡快速原型發展平台

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 張志龍,陳友士 | 證書號碼: 204187

文件內容與中介資料之對應方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕,張履平,蒙以亨 | 證書號碼: 195703

組合的類別特徵選取方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 周世俊,謝文泰,蒙以亨 | 證書號碼: 195776

中文文章評量方法及系統及其電腦讀取媒介

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕 | 證書號碼: 199185

根據常識樹狀標示法計算概念相似度之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 謝文泰,周世俊 | 證書號碼: 204708

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