矽單晶液晶顯示器及製作方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文矽單晶液晶顯示器及製作方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是莊立聖, 證書號碼是6721027.

序號768
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文矽單晶液晶顯示器及製作方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人莊立聖
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6721027
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種矽單晶液晶顯示器及製作方法。此顯示器以特殊的共電極結構引用到矽單晶之反射光閥裡。每一個共電極結構包括兩個形成在鄰近兩畫素電極之間隙上方的共電極，稱為主要共電極，和複數個介於該兩個主要共電極之間的等間距的共電極，稱為次要共電極。此共電極結構的特殊幾何結構造成最佳化的邊緣電場，解決傳統之矽單晶顯示技術中的不良的明暗對比和低的光有效率的問題，大幅改善畫像品質。此外畫素電極和共電極可使用相同金屬材料，消除共電極電壓飄移問題。此矽單晶液晶顯示器製程簡單，製作成本也低。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

768

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

矽單晶液晶顯示器及製作方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

莊立聖

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6721027

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種矽單晶液晶顯示器及製作方法。此顯示器以特殊的共電極結構引用到矽單晶之反射光閥裡。每一個共電極結構包括兩個形成在鄰近兩畫素電極之間隙上方的共電極，稱為主要共電極，和複數個介於該兩個主要共電極之間的等間距的共電極，稱為次要共電極。此共電極結構的特殊幾何結構造成最佳化的邊緣電場，解決傳統之矽單晶顯示技術中的不良的明暗對比和低的光有效率的問題，大幅改善畫像品質。此外畫素電極和共電極可使用相同金屬材料，消除共電極電壓飄移問題。此矽單晶液晶顯示器製程簡單，製作成本也低。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 矽單晶液晶顯示器及製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號3756
產出年度96
領域別(空)
專利名稱-中文矽單晶液晶顯示器及製作方法
執行單位工研院顯示中心
產出單位(空)
計畫名稱影像顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人莊立聖
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I281582
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種矽單晶液晶顯示器及製作方法。此顯示器以特殊的共電極結構引用到矽單晶之反射光閥裡。每一個共電極結構包括兩個形成在鄰近兩畫素電極之間隙上方的共電極，稱為主要共電極，和複數個介於該兩個主要共電極之間的等間距的共電極，稱為次要共電極。此共電極結構的特殊幾何結構造成最佳化的邊緣電場，解決傳統之矽單晶顯示技術中的不良的明暗對比和低的光有效率的問題，大幅改善畫像品質。此外畫素電極和共電極可使用相同金屬材料，消除共電極電壓飄移問題。此矽單晶液晶顯示器製程簡單，製作成本也低。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 3756
產出年度: 96
領域別: (空)
專利名稱-中文: 矽單晶液晶顯示器及製作方法
執行單位: 工研院顯示中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 莊立聖
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: I281582
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種矽單晶液晶顯示器及製作方法。此顯示器以特殊的共電極結構引用到矽單晶之反射光閥裡。每一個共電極結構包括兩個形成在鄰近兩畫素電極之間隙上方的共電極，稱為主要共電極，和複數個介於該兩個主要共電極之間的等間距的共電極，稱為次要共電極。此共電極結構的特殊幾何結構造成最佳化的邊緣電場，解決傳統之矽單晶顯示技術中的不良的明暗對比和低的光有效率的問題，大幅改善畫像品質。此外畫素電極和共電極可使用相同金屬材料，消除共電極電壓飄移問題。此矽單晶液晶顯示器製程簡單，製作成本也低。_x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 | 證書號碼: 185475

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 184692

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 6714268

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構器

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊、莊立聖 | 證書號碼: 3653510

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 | 證書號碼: 185475

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 184692

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 6714268

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構器

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊、莊立聖 | 證書號碼: 3653510

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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 972
產出年度: 94
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV之背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”；均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”；均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 977
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景
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高雄市小港區孔鳳路297號1樓		莊立聖92143096核准設立 - 獨資

登記地址: 高雄市小港區孔鳳路297號1樓 | 負責人: 莊立聖 | 統編: 92143096 | 核准設立 - 獨資

與矽單晶液晶顯示器及製作方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

積層質子交換膜、其製造方法以及包含該積層質子交換膜的直接甲醇進料型燃料電池

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳中屏, 陳振鑾, 施志哲, 陳致源 | 證書號碼: 195331

氣體感測器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏碧玉, 賴宏仁, 蘇平貴, 吳仁彰, 林鴻明, 孫益陸 | 證書號碼: 202724

薄膜氣體擴散電極及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李文錦, 周淑金, 葉信宏, 陳冠良, 謝坤龍, 陳銘倫 | 證書號碼: 190616

增加電荷耦合裝置影像動態範圍之新技術

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 貢振邦, 林子平, 尤智仕 | 證書號碼: 6,707,499

偵測訊號頻率的類比裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭丁元 | 證書號碼: 192948

鎖頻濾波的接收裝置及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭丁元 | 證書號碼: 6,763,230

單相輸入調頻調積體解調器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李青峰 | 證書號碼: 189588

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱 | 證書號碼: 192167

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱 | 證書號碼: 6,658,597

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明 | 證書號碼: 185602

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明 | 證書號碼: 6,735,228

具有整波電路之高速雷射驅動器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 周明忠 | 證書號碼: 6,798,802

壓制電流分配的充放電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張毓仁 | 證書號碼: 6,794,911

電力控制電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 陳盛仁, 楊景榮, 林俊宏, 陳燦林 | 證書號碼: 214743

提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮,黃俊雄 | 證書號碼: 184318

積層質子交換膜、其製造方法以及包含該積層質子交換膜的直接甲醇進料型燃料電池

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳中屏, 陳振鑾, 施志哲, 陳致源 | 證書號碼: 195331

氣體感測器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏碧玉, 賴宏仁, 蘇平貴, 吳仁彰, 林鴻明, 孫益陸 | 證書號碼: 202724

薄膜氣體擴散電極及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李文錦, 周淑金, 葉信宏, 陳冠良, 謝坤龍, 陳銘倫 | 證書號碼: 190616

增加電荷耦合裝置影像動態範圍之新技術

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 貢振邦, 林子平, 尤智仕 | 證書號碼: 6,707,499

偵測訊號頻率的類比裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭丁元 | 證書號碼: 192948

鎖頻濾波的接收裝置及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭丁元 | 證書號碼: 6,763,230

單相輸入調頻調積體解調器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李青峰 | 證書號碼: 189588

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱 | 證書號碼: 192167

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱 | 證書號碼: 6,658,597

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明 | 證書號碼: 185602

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明 | 證書號碼: 6,735,228

具有整波電路之高速雷射驅動器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 周明忠 | 證書號碼: 6,798,802

壓制電流分配的充放電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張毓仁 | 證書號碼: 6,794,911

電力控制電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 陳盛仁, 楊景榮, 林俊宏, 陳燦林 | 證書號碼: 214743

提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮,黃俊雄 | 證書號碼: 184318

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