具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體的核准國家是美國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是戴遠東, 廖宗能, 陳志強, 證書號碼是6677189.

序號774
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人戴遠東, 廖宗能, 陳志強
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6677189
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種具有自我對準輕摻雜汲極（ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ　ＬＤＤ）結構之多晶矽薄膜電晶體，包括有：一絕緣透明基底；一多晶矽層係形成於該基底表面上，其包含有一通道區，一輕摻雜汲極結構係形成於該通道區之外為區域，以及一源－汲極區係形成於該輕摻雜汲極結構之外圍區域；一閘及絕緣層係覆蓋於該多晶矽層表面上；一第一金屬層，係定義形成於該閘極絕緣層上，且覆蓋該通道之上方區域；以及一第二金屬層，係定義形成於該地一金屬層表面上，且覆蓋該通道區之上方區域。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

774

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

戴遠東, 廖宗能, 陳志強

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6677189

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具有自我對準輕摻雜汲極（ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ　ＬＤＤ）結構之多晶矽薄膜電晶體，包括有：一絕緣透明基底；一多晶矽層係形成於該基底表面上，其包含有一通道區，一輕摻雜汲極結構係形成於該通道區之外為區域，以及一源－汲極區係形成於該輕摻雜汲極結構之外圍區域；一閘及絕緣層係覆蓋於該多晶矽層表面上；一第一金屬層，係定義形成於該閘極絕緣層上，且覆蓋該通道之上方區域；以及一第二金屬層，係定義形成於該地一金屬層表面上，且覆蓋該通道區之上方區域。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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序號773
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人戴遠東, 廖宗能, 陳志強
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼191581
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種具有自我對準輕摻雜汲極（ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ　ＬＤＤ）結構之多晶矽薄膜電晶體，包括有：一絕緣透明基底；一多晶矽層係形成於該基底表面上，其包含有一通道區，一輕摻雜汲極結構係形成於該通道區之外為區域，以及一源－汲極區係形成於該輕摻雜汲極結構之外圍區域；一閘及絕緣層係覆蓋於該多晶矽層表面上；一第一金屬層，係定義形成於該閘極絕緣層上，且覆蓋該通道之上方區域；以及一第二金屬層，係定義形成於該地一金屬層表面上，且覆蓋該通道區之上方區域。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 773
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 191581
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種具有自我對準輕摻雜汲極（ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ　ＬＤＤ）結構之多晶矽薄膜電晶體，包括有：一絕緣透明基底；一多晶矽層係形成於該基底表面上，其包含有一通道區，一輕摻雜汲極結構係形成於該通道區之外為區域，以及一源－汲極區係形成於該輕摻雜汲極結構之外圍區域；一閘及絕緣層係覆蓋於該多晶矽層表面上；一第一金屬層，係定義形成於該閘極絕緣層上，且覆蓋該通道之上方區域；以及一第二金屬層，係定義形成於該地一金屬層表面上，且覆蓋該通道區之上方區域。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
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電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 972
產出年度: 94
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV之背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”；均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”；均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 977
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
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與具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

詞語驗證方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張森嘉, 簡世杰 | 證書號碼: I223791

保護公開金鑰系統以防止時間、電力與錯誤攻擊之方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 嚴嵩銘, 呂誌忠, 曾紹崟 | 證書號碼: 202032

噪音環境下之可靠語音特徵參數求取方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃泰惠, 陳順入 | 證書號碼: 200274

連續語音自動切音及驗證之方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 專利發明人: 郭志忠, 郭啟祥, 陳昭宏 | 證書號碼: 220511

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 法國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 英國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 荷蘭 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

實時動態樂器數字接口控制的方法和裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張靖敏, 蘇文鈺, 余德彰, 簡良臣 | 證書號碼: ZL97104655.7

一種數據碼的加密和解密的方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝勳璋 | 證書號碼: ZL00128796.6

流水線式並行-串行架構最小均方自適應濾波器及其方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 鍾和明, 黃國昇, 蘇文光, 徐朝輝 | 證書號碼: ZL98104013.6

功率放大器電路及使用此電路的無線電傳送器/接收器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊文蔚, 沈敏宏, 郭震中, 林劭冠, 馬思平 | 證書號碼: 6,205,171

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 芬蘭 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 瑞典 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

詞語驗證方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張森嘉, 簡世杰 | 證書號碼: I223791

保護公開金鑰系統以防止時間、電力與錯誤攻擊之方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 嚴嵩銘, 呂誌忠, 曾紹崟 | 證書號碼: 202032

噪音環境下之可靠語音特徵參數求取方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃泰惠, 陳順入 | 證書號碼: 200274

連續語音自動切音及驗證之方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 專利發明人: 郭志忠, 郭啟祥, 陳昭宏 | 證書號碼: 220511

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 法國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 英國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 荷蘭 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

實時動態樂器數字接口控制的方法和裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張靖敏, 蘇文鈺, 余德彰, 簡良臣 | 證書號碼: ZL97104655.7

一種數據碼的加密和解密的方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝勳璋 | 證書號碼: ZL00128796.6

流水線式並行-串行架構最小均方自適應濾波器及其方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 鍾和明, 黃國昇, 蘇文光, 徐朝輝 | 證書號碼: ZL98104013.6

功率放大器電路及使用此電路的無線電傳送器/接收器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊文蔚, 沈敏宏, 郭震中, 林劭冠, 馬思平 | 證書號碼: 6,205,171

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 芬蘭 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 瑞典 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

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