微針頭陣列製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文微針頭陣列製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是微奈米系統應用技術四年計畫, 專利發明人是郭仕奇, 陳相甫, 證書號碼是206641.

序號	863
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	微針頭陣列製造方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
專利發明人	郭仕奇, 陳相甫
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	206641
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種微針頭陣列製造方法，以較低材料成本及簡易製程製造出具有斜面端頭的中空微針頭陣列，此種微針頭由於端末尖銳而易於侵入生物組織，有利於藥物注射與微量採樣之應用；其製造程序主要是先在矽晶圓上進行濕蝕刻，形成具有斜面幾何的缺凹區，然後利用此一缺凹區，後續進行鍍著金屬、曝光顯影或微加工等方式，來製造微針頭陣列。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820435
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

863

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

微針頭陣列製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微奈米系統應用技術四年計畫

專利發明人

郭仕奇, 陳相甫

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

206641

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種微針頭陣列製造方法，以較低材料成本及簡易製程製造出具有斜面端頭的中空微針頭陣列，此種微針頭由於端末尖銳而易於侵入生物組織，有利於藥物注射與微量採樣之應用；其製造程序主要是先在矽晶圓上進行濕蝕刻，形成具有斜面幾何的缺凹區，然後利用此一缺凹區，後續進行鍍著金屬、曝光顯影或微加工等方式，來製造微針頭陣列。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820435

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	651
產出年度	93
技術名稱-中文	電化學蝕刻停止技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估	有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 651

產出年度: 93

技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。

潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號	652
產出年度	93
技術名稱-中文	鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估	應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 652

產出年度: 93

技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。

潛力預估: 應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	654
產出年度	93
技術名稱-中文	微鰭片散熱技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估	應用潛力中
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才	微機電製程,機械背景人才

序號: 654

產出年度: 93

技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。

潛力預估: 應用潛力中

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。

需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號	655
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估	體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	alignment mask design / anisotropic wet etching

序號: 655

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。

潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號	656
產出年度	93
技術名稱-中文	室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了（1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和（2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包括1616、6464以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	（1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度	雛型
可應用範圍	保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估	應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才	具IC設計、影像系統設計能力。

序號: 656

產出年度: 93

技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了（1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和（2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。

潛力預估: 應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體

需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號	657
產出年度	93
技術名稱-中文	低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度	試量產
可應用範圍	犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估	須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。

序號: 657

產出年度: 93

技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料

潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號	658
產出年度	93
技術名稱-中文	利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估	單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。

序號: 658

產出年度: 93

技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。

潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號	659
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片蝕穿技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度	試量產
可應用範圍	印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估	潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電機,半導體製程背景人才。

序號: 659

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。

潛力預估: 潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。

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可擴充連線數量的NAPT閘道器系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 林軍鼐 \| 證書號碼: 發明第222811號
差速排程方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 陳鶴文 \| 證書號碼: 發明第204699號
可調整嵌入式系統開機速度的系統映像製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 翁志昌.黃建文.李正中 \| 證書號碼: 發明第203909號
數位影像版權之保護與驗證方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 孫宏民、陳孟彰、林宸堂 \| 證書號碼: 發明第199742號
分散式網路連結掃描之掃描點選擇方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 林華君、王建興、張麗容 \| 證書號碼: 發明第220613號
用於移動IP系統之拓撲探測方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 李基民 \| 證書號碼: 發明第190201號
位元組順序自動轉換裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 張治昇、魏全佑、陳武民 \| 證書號碼: 發明第188850號
可遠端即時燒錄場式可程式閘陣列之模擬系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 魏全佑 \| 證書號碼: 發明第207170號
用於行動通訊網路之分散式訪客位置記錄器(VLR)容錯處理系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 李宜揚 \| 證書號碼: 發明第200844號
無線行動通訊模擬系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 李永定 \| 證書號碼: 發明第204688號
無線區域網路負載平衡系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 龍怡仁 \| 證書號碼: 發明第199951號
多螢幕串接系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 陳啟明 \| 證書號碼: 發明第203045號

微針頭陣列製造方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

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電話

傳真

電子信箱

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與微針頭陣列製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

微針頭陣列製造方法
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