電泳顯示器之製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部
專利名稱-中文電泳顯示器之製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是廖奇璋, 陳明道, 劉康弘, 林英哲, 翁逸君, 李正中, 賴志明, 許家榮, 范揚宜, 證書號碼是206722.
序號 | 868 |
產出年度 | 93 |
領域別 | (空) |
專利名稱-中文 | 電泳顯示器之製造方法 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
專利發明人 | 廖奇璋, 陳明道, 劉康弘, 林英哲, 翁逸君, 李正中, 賴志明, 許家榮, 范揚宜 |
核准國家 | 中華民國 |
獲證日期 | (空) |
證書號碼 | 206722 |
專利期間起 | (空) |
專利期間訖 | (空) |
專利性質 | 發明 |
技術摘要-中文 | 本發明是應用光聚合材料於電泳顯示器製造方法。主要特徵係將具有色彩之帶電粒子以光聚合材料包裹,以達成電泳法顯示之目的。其製程為第一層光聚合材料塗佈於具有緩衝層之輔助基板先進行光聚合製程,聚合後之第一層光聚合材料層再進行導電層電極等電泳顯示器需要之製程。第二層光聚合材料混合物塗佈於具有複數電極圖案等電泳顯示器需要之製程基板,將輔助基板與基板對準且第一與第二光聚合材料層於輔助基板與基板之間,進行光罩曝光聚合製程使得輔助基板與基板結合並完成帶電粒子溶液與聚合材料之相分離,最後將輔助基板剝離而完成單一基板電泳顯示器製造。變化製程方式更可製造無基板電泳顯示器。與同樣方法製造液晶顯示器比較,應用此法將具有製程步驟較少、製程條件較易控制及多樣化電泳顯示器模式之特色。 |
技術摘要-英文 | (空) |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | (空) |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw |
備註 | 原領域別為通訊光電,95年改為電資通光 |
特殊情形 | (空) |
同步更新日期 | 2023-07-05 |
序號868 |
產出年度93 |
領域別(空) |
專利名稱-中文電泳顯示器之製造方法 |
執行單位工研院電子所 |
產出單位(空) |
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
專利發明人廖奇璋, 陳明道, 劉康弘, 林英哲, 翁逸君, 李正中, 賴志明, 許家榮, 范揚宜 |
核准國家中華民國 |
獲證日期(空) |
證書號碼206722 |
專利期間起(空) |
專利期間訖(空) |
專利性質發明 |
技術摘要-中文本發明是應用光聚合材料於電泳顯示器製造方法。主要特徵係將具有色彩之帶電粒子以光聚合材料包裹,以達成電泳法顯示之目的。其製程為第一層光聚合材料塗佈於具有緩衝層之輔助基板先進行光聚合製程,聚合後之第一層光聚合材料層再進行導電層電極等電泳顯示器需要之製程。第二層光聚合材料混合物塗佈於具有複數電極圖案等電泳顯示器需要之製程基板,將輔助基板與基板對準且第一與第二光聚合材料層於輔助基板與基板之間,進行光罩曝光聚合製程使得輔助基板與基板結合並完成帶電粒子溶液與聚合材料之相分離,最後將輔助基板剝離而完成單一基板電泳顯示器製造。變化製程方式更可製造無基板電泳顯示器。與同樣方法製造液晶顯示器比較,應用此法將具有製程步驟較少、製程條件較易控制及多樣化電泳顯示器模式之特色。 |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員謝旺廷 |
電話03-5913551 |
傳真(空) |
電子信箱wthsieh@itri.org.tw |
參考網址http://www.itri.org.tw |
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光 |
特殊情形(空) |
同步更新日期2023-07-05 |
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(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 電泳顯示器之製造方法 ...)序號 | 5963 |
產出年度 | 98 |
領域別 | (空) |
專利名稱-中文 | 電泳顯示器之製造方法 |
執行單位 | 工研院顯示中心 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 |
專利發明人 | 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 |
核准國家 | 日本 |
獲證日期 | (空) |
證書號碼 | 4416464 |
專利期間起 | (空) |
專利期間訖 | (空) |
專利性質 | 發明 |
技術摘要-中文 | 本發明是應用光聚合材料於電泳顯示器製造方法。主要特徵係將具有色彩之帶電粒子以光聚合材料包裹,以達成電泳法顯示之目的。其製程為先將第一層光聚合材料塗佈於具有緩衝層之輔助基板上進行光聚合製程,於聚合後之第一層光聚合材料層上,再進行電泳顯示器所需之製程;將第二層光聚合材料塗佈於具有複數電極圖案等電泳顯示器所需之一基板後,利用光罩曝光使光聚合材料形成固化聚合壁(polymer wall),或是利用模製方式(mold)並配合紫外光照射,使光聚合材料固化形成聚合壁。接著,於聚合壁形成之空穴內,填充具有色彩之帶電粒子與少量光聚合材料形成之混合物,再將輔助基板與基板對準,進行光罩曝光聚合製程,使輔助基板與基板結合,最後將輔助基板剝離而完成單一基板電泳顯示器之製作,另外,更可製造成一無基板之電泳顯示器。應用本發明製程方法之顯示器將具有製程步驟較少、製程條件較易控制及多樣化顯示模式等特色之電泳顯示器。 |
技術摘要-英文 | (空) |
聯絡人員 | 李露蘋 |
電話 | 03-59117812 |
傳真 | 03-5917431 |
電子信箱 | oralp@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
備註 | 20101229-Joanne |
特殊情形 | (空) |
序號: 5963 |
產出年度: 98 |
領域別: (空) |
專利名稱-中文: 電泳顯示器之製造方法 |
執行單位: 工研院顯示中心 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 |
專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 |
核准國家: 日本 |
獲證日期: (空) |
證書號碼: 4416464 |
專利期間起: (空) |
專利期間訖: (空) |
專利性質: 發明 |
技術摘要-中文: 本發明是應用光聚合材料於電泳顯示器製造方法。主要特徵係將具有色彩之帶電粒子以光聚合材料包裹,以達成電泳法顯示之目的。其製程為先將第一層光聚合材料塗佈於具有緩衝層之輔助基板上進行光聚合製程,於聚合後之第一層光聚合材料層上,再進行電泳顯示器所需之製程;將第二層光聚合材料塗佈於具有複數電極圖案等電泳顯示器所需之一基板後,利用光罩曝光使光聚合材料形成固化聚合壁(polymer wall),或是利用模製方式(mold)並配合紫外光照射,使光聚合材料固化形成聚合壁。接著,於聚合壁形成之空穴內,填充具有色彩之帶電粒子與少量光聚合材料形成之混合物,再將輔助基板與基板對準,進行光罩曝光聚合製程,使輔助基板與基板結合,最後將輔助基板剝離而完成單一基板電泳顯示器之製作,另外,更可製造成一無基板之電泳顯示器。應用本發明製程方法之顯示器將具有製程步驟較少、製程條件較易控制及多樣化顯示模式等特色之電泳顯示器。 |
技術摘要-英文: (空) |
聯絡人員: 李露蘋 |
電話: 03-59117812 |
傳真: 03-5917431 |
電子信箱: oralp@itri.org.tw |
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
備註: 20101229-Joanne |
特殊情形: (空) |
序號 | 895 |
產出年度 | 93 |
領域別 | (空) |
專利名稱-中文 | 電泳顯示器之製造方法 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
專利發明人 | 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 |
核准國家 | 中華民國 |
獲證日期 | (空) |
證書號碼 | 203568 |
專利期間起 | (空) |
專利期間訖 | (空) |
專利性質 | 發明 |
技術摘要-中文 | 本發明是應用光聚合材料於電泳顯示器製造方法。主要特徵係將具有色彩之帶電粒子以光聚合材料包裹,以達成電泳法顯示之目的。其製程為先將第一層光聚合材料塗佈於具有緩衝層之輔助基板上進行光聚合製程,於聚合後之第一層光聚合材料層上,再進行電泳顯示器所需之製程;將第二層光聚合材料塗佈於具有複數電極圖案等電泳顯示器所需之一基板後,利用光罩曝光使光聚合材料形成固化聚合壁(polymer wall),或是利用模製方式(mold)並配合紫外光照射,使光聚合材料固化形成聚合壁。接著,於聚合壁形成之空穴內,填充具有色彩之帶電粒子與少量光聚合材料形成之混合物,再將輔助基板與基板對準,進行光罩曝光聚合製程,使輔助基板與基板結合,最後將輔助基板剝離而完成單一基板電泳顯示器之製作,另外,更可製造成一無基板之電泳顯示器。應用本發明製程方法之顯示器將具有製程步驟較少、製程條件較易控制及多樣化顯示模式等特色之電泳顯示器。 |
技術摘要-英文 | (空) |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | (空) |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | www.itri.org.tw |
備註 | 原領域別為通訊光電,95年改為電資通光 |
特殊情形 | (空) |
序號: 895 |
產出年度: 93 |
領域別: (空) |
專利名稱-中文: 電泳顯示器之製造方法 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 |
核准國家: 中華民國 |
獲證日期: (空) |
證書號碼: 203568 |
專利期間起: (空) |
專利期間訖: (空) |
專利性質: 發明 |
技術摘要-中文: 本發明是應用光聚合材料於電泳顯示器製造方法。主要特徵係將具有色彩之帶電粒子以光聚合材料包裹,以達成電泳法顯示之目的。其製程為先將第一層光聚合材料塗佈於具有緩衝層之輔助基板上進行光聚合製程,於聚合後之第一層光聚合材料層上,再進行電泳顯示器所需之製程;將第二層光聚合材料塗佈於具有複數電極圖案等電泳顯示器所需之一基板後,利用光罩曝光使光聚合材料形成固化聚合壁(polymer wall),或是利用模製方式(mold)並配合紫外光照射,使光聚合材料固化形成聚合壁。接著,於聚合壁形成之空穴內,填充具有色彩之帶電粒子與少量光聚合材料形成之混合物,再將輔助基板與基板對準,進行光罩曝光聚合製程,使輔助基板與基板結合,最後將輔助基板剝離而完成單一基板電泳顯示器之製作,另外,更可製造成一無基板之電泳顯示器。應用本發明製程方法之顯示器將具有製程步驟較少、製程條件較易控制及多樣化顯示模式等特色之電泳顯示器。 |
技術摘要-英文: (空) |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: (空) |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: www.itri.org.tw |
備註: 原領域別為通訊光電,95年改為電資通光 |
特殊情形: (空) |
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產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | 4"10"20" 奈米碳管背光技術 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源,開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | LCD-TV之背光源 |
潛力預估 | 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力 |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | 03-5820046 |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
序號: 972 |
產出年度: 94 |
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源,開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: LCD-TV之背光源 |
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力 |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: 03-5820046 |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備: 無 |
需具備之專業人才: 電子相關背景 |
序號 | 973 |
產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板,以達到低成本之目標。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture ratio: 30%;Brightness:> 100 nits;Gray level:4 bits;Top emission AMOLED;Strong light readable |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 車用型顯示器 |
潛力預估 | 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力 |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | 03-5820046 |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
序號: 973 |
產出年度: 94 |
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板,以達到低成本之目標。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture ratio: 30%;Brightness:> 100 nits;Gray level:4 bits;Top emission AMOLED;Strong light readable |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 車用型顯示器 |
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力 |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: 03-5820046 |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備: 無 |
需具備之專業人才: 電子相關背景 |
序號 | 974 |
產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟,各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板,再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | (空) |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | (空) |
潛力預估 | 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力 |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | 03-5820046 |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備 | (空) |
需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
序號: 974 |
產出年度: 94 |
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟,各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板,再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: (空) |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: (空) |
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力 |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: 03-5820046 |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備: (空) |
需具備之專業人才: 電子相關背景 |
序號 | 975 |
產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | 20吋奈米碳管場發射顯示技術 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | Size:20”;均勻度 |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 戶外資訊顯示,車用顯示器 |
潛力預估 | 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力 |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | 03-5820046 |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
序號: 975 |
產出年度: 94 |
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: Size:20”;均勻度 |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器 |
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力 |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: 03-5820046 |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備: 無 |
需具備之專業人才: 電子相關背景 |
序號 | 976 |
產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | CNT-BLU技術商品化規格驗證 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | LCD-TV等背光源 |
潛力預估 | 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力 |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | 03-5820046 |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
序號: 976 |
產出年度: 94 |
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: LCD-TV等背光源 |
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力 |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: 03-5820046 |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備: 無 |
需具備之專業人才: 電子相關背景 |
序號 | 977 |
產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | CNT-FED/CNT-BLU材料驗證 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU) |
潛力預估 | 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力 |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | 03-5820046 |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
序號: 977 |
產出年度: 94 |
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU) |
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力 |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: 03-5820046 |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備: 無 |
需具備之專業人才: 電子相關背景 |
序號 | 978 |
產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等. |
潛力預估 | 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力 |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | 03-5820046 |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
序號: 978 |
產出年度: 94 |
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等. |
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力 |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: 03-5820046 |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備: 無 |
需具備之專業人才: 電子相關背景 |
序號 | 979 |
產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 10“ LTPS AMOLED模組設計 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30%_x000D_;Brightness:> 300 nits;Gray level:4 bits;Vth compensation circuit |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 車用型顯示器。_x000D_ |
潛力預估 | 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力 |
聯絡人員 | 謝旺廷 |
電話 | 03-5913551 |
傳真 | 03-5820046 |
電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
序號: 979 |
產出年度: 94 |
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30%_x000D_;Brightness:> 300 nits;Gray level:4 bits;Vth compensation circuit |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_ |
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力 |
聯絡人員: 謝旺廷 |
電話: 03-5913551 |
傳真: 03-5820046 |
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
所須軟硬體設備: 無 |
需具備之專業人才: 電子相關背景 |
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| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、邱松茂、羅萬中 | 證書號碼: 199489 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、劉伍健、卓廷彬、楊玉森 | 證書號碼: 207037 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健、楊玉森 | 證書號碼: 210407 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張瑞模、陳建仁、蔡兆豐、陳正義、鄭勝元 | 證書號碼: 184907 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 211530 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林志浩、蔡行知、魏江銘 | 證書號碼: 214980 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 220003 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、楊玉森、邱松茂 | 證書號碼: 195390 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 222536 |
| 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 634651 |
| 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 634266 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 翁震杰、賴逸林、鄭勝元 | 證書號碼: 201043 |
| 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 639900 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達、曾光宏、侯信男、黃仁隆、曾界彰 | 證書號碼: 201861 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順、古嘉琳 | 證書號碼: 204712 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、邱松茂、羅萬中 | 證書號碼: 199489 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、劉伍健、卓廷彬、楊玉森 | 證書號碼: 207037 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健、楊玉森 | 證書號碼: 210407 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張瑞模、陳建仁、蔡兆豐、陳正義、鄭勝元 | 證書號碼: 184907 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 211530 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林志浩、蔡行知、魏江銘 | 證書號碼: 214980 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 220003 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、楊玉森、邱松茂 | 證書號碼: 195390 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 222536 |
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 634651 |
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 634266 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 翁震杰、賴逸林、鄭勝元 | 證書號碼: 201043 |
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 639900 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達、曾光宏、侯信男、黃仁隆、曾界彰 | 證書號碼: 201861 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順、古嘉琳 | 證書號碼: 204712 |
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