磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器的核准國家是美國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 專利發明人是洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥, 證書號碼是6791887.

序號870
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6791887
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真(空)
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

870

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

專利發明人

洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6791887

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

hchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號869
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼223259
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真(空)
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 869
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 223259
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: (空)
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號4737
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人洪建中 高明哲 潘宗銘 陳永祥
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL03152660.8
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。 The present invention relates to a simplified reference current generator for a magnetic random access memory. The reference current generator is positioned in the vicinity of the memory cells of the magnetic random access memory, and applies reference elements which are the same as the magnetic tunnel junctions of the memory cell and bear the same cross voltages. The plurality reference elements are used for forming the reference current generator by applying one or several bit lines, and the voltage which is the same as the voltage of the memory cell is crossly connected to the reference elements so as to generate a plurality of current signals; and a peripheral IC circuit is used for generating the plurality of midpoint reference current signals and judging the data states. By means of the midpoint current reference signals, the multiple-states memory cell, including the 2-states memory cell, can read data more accurately.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4737
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 洪建中 高明哲 潘宗銘 陳永祥
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL03152660.8
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。 The present invention relates to a simplified reference current generator for a magnetic random access memory. The reference current generator is positioned in the vicinity of the memory cells of the magnetic random access memory, and applies reference elements which are the same as the magnetic tunnel junctions of the memory cell and bear the same cross voltages. The plurality reference elements are used for forming the reference current generator by applying one or several bit lines, and the voltage which is the same as the voltage of the memory cell is crossly connected to the reference elements so as to generate a plurality of current signals; and a peripheral IC circuit is used for generating the plurality of midpoint reference current signals and judging the data states. By means of the midpoint current reference signals, the multiple-states memory cell, including the 2-states memory cell, can read data more accurately.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 0
特殊情形: (空)

# 磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號1527
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人洪建中、高明哲、潘宗銘、陳永祥
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6862228
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1527
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 洪建中、高明哲、潘宗銘、陳永祥
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6862228
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)
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# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號8331
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人FREDERICKT.CHEN
核准國家中華民國
獲證日期100/03/07
證書號碼I338392
專利期間起100/03/01
專利期間訖118/04/23
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8331
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人: FREDERICKT.CHEN
核准國家: 中華民國
獲證日期: 100/03/07
證書號碼: I338392
專利期間起: 100/03/01
專利期間訖: 118/04/23
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號8332
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人FREDERICKT.CHEN
核准國家美國
獲證日期100/03/10
證書號碼7,888,155
專利期間起100/02/15
專利期間訖118/07/31
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8332
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人: FREDERICKT.CHEN
核准國家: 美國
獲證日期: 100/03/10
證書號碼: 7,888,155
專利期間起: 100/02/15
專利期間訖: 118/07/31
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號675
產出年度93
技術名稱-中文MRAM 元件製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心，所呈現獨特的磁阻特性，具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。
潛力預估MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343
所須軟硬體設備具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。
序號: 675
產出年度: 93
技術名稱-中文: MRAM 元件製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心，所呈現獨特的磁阻特性，具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。
潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343
所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號676
產出年度93
技術名稱-中文用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本計劃利用SiGe異質接面的材料特性，來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor)，進一步應用在光偵測器(optical detector)上，以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低，可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢，致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計，可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體，其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文(空)
技術規格電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT)：> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) ：> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO)：> 3.5 Volt.
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC)：應用於無線通訊系統與高速區域網路系統，提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器，光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345
所須軟硬體設備具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。
序號: 676
產出年度: 93
技術名稱-中文: 用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本計劃利用SiGe異質接面的材料特性，來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor)，進一步應用在光偵測器(optical detector)上，以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低，可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢，致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計，可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體，其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT)：> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) ：> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO)：> 3.5 Volt.
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC)：應用於無線通訊系統與高速區域網路系統，提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器，光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345
所須軟硬體設備: 具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號677
產出年度93
技術名稱-中文相變化薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心，本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441
所須軟硬體設備具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
序號: 677
產出年度: 93
技術名稱-中文: 相變化薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心，本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441
所須軟硬體設備: 具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號678
產出年度93
技術名稱-中文高介電值閘極介電物技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要
技術現況敘述-英文(空)
技術規格高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級
技術成熟度雛型
可應用範圍矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi
潛力預估本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833
所須軟硬體設備具記憶體或foundry能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 678
產出年度: 93
技術名稱-中文: 高介電值閘極介電物技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi
潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833
所須軟硬體設備: 具記憶體或foundry能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號679
產出年度93
技術名稱-中文相變化記憶體元件與製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質，是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術，除了開發記憶胞的關鍵製程模組外，更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。
技術成熟度雛型
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1836
所須軟硬體設備具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
序號: 679
產出年度: 93
技術名稱-中文: 相變化記憶體元件與製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質，是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術，除了開發記憶胞的關鍵製程模組外，更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1836
所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號680
產出年度93
技術名稱-中文應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題，具有提昇性能的特性，主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術，以建立起CMOS製程與元件技術平台，提昇載子移動率和元件效能，使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度雛型
可應用範圍高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 680
產出年度: 93
技術名稱-中文: 應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題，具有提昇性能的特性，主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術，以建立起CMOS製程與元件技術平台，提昇載子移動率和元件效能，使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備: 具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
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與磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

新型窄長平直薄型基材專用浸泡塗佈裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 葉清銘, 陳燦林, 陳譽元 | 證書號碼: 206450

反射尺讀頭裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林慶芳, 高清芬, 陳燦林, 陳譽元 | 證書號碼: 201496

物體表面三維形貌量測方法和系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 宋新岳, 田立芬 | 證書號碼: 200161

利用共軛光路量測二維位移量之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張中柱, 高清芬, 李世光 | 證書號碼: 6,744,520

紅外光轉換可見光之顯微影像裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王浩偉, 林耀明, 葉迎春 | 證書號碼: 6,687,051

可調光徑之光學捕捉裙

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 王浩偉, 羅偕益 | 證書號碼: 6,667,838

利用雙波混合干涉術之掃瞄式超音波裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李朱育, 施學兢 | 證書號碼: 194233

全光學激發雷射外調制式之原子鐘裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 姚 鵬, 陳志光 | 證書號碼: 200261

控制奈米碳管長度之方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 戴鴻名, 施能謙, 陳燦林 | 證書號碼: 200165

平面定位機構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林慶芳, 張中柱 | 證書號碼: 201505

即時紅外化學影像光譜裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李耀昌, 王浩偉 | 證書號碼: 203435

光譜偏移式奈米近接裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 王浩偉 | 證書號碼: 200276

光學用高度調整裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 石宇森 | 證書號碼: 201467

位移微擾裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 陳志光, 石宇森 | 證書號碼: 201468

電磁場感測元件及其裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃卯生, 薛文崇, 曾文仁, 馮勁敏, 梁文烈 | 證書號碼: 201837

新型窄長平直薄型基材專用浸泡塗佈裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 葉清銘, 陳燦林, 陳譽元 | 證書號碼: 206450

反射尺讀頭裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林慶芳, 高清芬, 陳燦林, 陳譽元 | 證書號碼: 201496

物體表面三維形貌量測方法和系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 宋新岳, 田立芬 | 證書號碼: 200161

利用共軛光路量測二維位移量之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張中柱, 高清芬, 李世光 | 證書號碼: 6,744,520

紅外光轉換可見光之顯微影像裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王浩偉, 林耀明, 葉迎春 | 證書號碼: 6,687,051

可調光徑之光學捕捉裙

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 王浩偉, 羅偕益 | 證書號碼: 6,667,838

利用雙波混合干涉術之掃瞄式超音波裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李朱育, 施學兢 | 證書號碼: 194233

全光學激發雷射外調制式之原子鐘裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 姚 鵬, 陳志光 | 證書號碼: 200261

控制奈米碳管長度之方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 戴鴻名, 施能謙, 陳燦林 | 證書號碼: 200165

平面定位機構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林慶芳, 張中柱 | 證書號碼: 201505

即時紅外化學影像光譜裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李耀昌, 王浩偉 | 證書號碼: 203435

光譜偏移式奈米近接裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 王浩偉 | 證書號碼: 200276

光學用高度調整裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 石宇森 | 證書號碼: 201467

位移微擾裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 陳志光, 石宇森 | 證書號碼: 201468

電磁場感測元件及其裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃卯生, 薛文崇, 曾文仁, 馮勁敏, 梁文烈 | 證書號碼: 201837

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