化學機制控制型高濃度臭氧/反應液體產生系統及方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文化學機制控制型高濃度臭氧/反應液體產生系統及方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是197106, 專利性質是發明, 執行單位是工研院能資所, 產出年度是93, 計畫名稱是永續資源技術開發三年計畫, 專利發明人是金光祖, 陳秋美.

序號	926
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	化學機制控制型高濃度臭氧/反應液體產生系統及方法
執行單位	工研院能資所
產出單位	(空)
計畫名稱	永續資源技術開發三年計畫
專利發明人	金光祖 \| 陳秋美
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	197106
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供一種製造高濃度臭氧/反應液體(例如臭氧水)的方法與系統。不同於傳統單獨以控制物理性條件來提高臭氧溶解濃度，本發明透過添加適當的化學性自由基去除劑(radical scavenger)於臭氧/反應液體混合系統，以選擇性控制自由基的反應機制，使臭氧於反應液體中的溶解能力能突破系統物理性條件限制，使趨近系統熱力學的飽和濃度，於是提高臭氧於反應液體中的溶解濃度與穩定度。本發明並提供一套結合化學性添加及迴流循環機制的高濃度臭氧/反應液體產生系統。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	金光祖
電話	03-5913294
傳真	(空)
電子信箱	(空)
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

926

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

化學機制控制型高濃度臭氧/反應液體產生系統及方法

執行單位

工研院能資所

產出單位

(空)

計畫名稱

永續資源技術開發三年計畫

專利發明人

金光祖 | 陳秋美

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

197106

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種製造高濃度臭氧/反應液體(例如臭氧水)的方法與系統。不同於傳統單獨以控制物理性條件來提高臭氧溶解濃度，本發明透過添加適當的化學性自由基去除劑(radical scavenger)於臭氧/反應液體混合系統，以選擇性控制自由基的反應機制，使臭氧於反應液體中的溶解能力能突破系統物理性條件限制，使趨近系統熱力學的飽和濃度，於是提高臭氧於反應液體中的溶解濃度與穩定度。本發明並提供一套結合化學性添加及迴流循環機制的高濃度臭氧/反應液體產生系統。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

金光祖

電話

03-5913294

傳真

(空)

電子信箱

(空)

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

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略論五經正義原本格式及其標記「經」	出處: 書目季刊 \| 類型: 期刊論文 \| 出版年月: 197106 \| 出版者: \| 指導教授: \| 出版地: \| 關鍵詞: 群經總論;經學史;隋唐五代;孔穎達 \| 類目: 群經總論-經學史-隋唐五代 \| 備註: @ 經學研究論著目錄
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乾式UV光基板洗淨設備及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I241221 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發計畫 \| 專利發明人: 金光祖、張佩琳、鄭曉芬、陳秋美 @ 技術司專利資料集
使用氣泡的基材表面處理方法及設備	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 產業永續發展環安技術研發四年計畫 \| 專利發明人: 金光祖陳秋美羅正忠 Farhang Sh 徐靜怡 @ 技術司專利資料集
移除多孔性材質中不純物的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 產業永續發展環安技術研發四年計畫 \| 專利發明人: 金光祖陳秋美張佩琳鄭曉芬 @ 技術司專利資料集
以臭氧水成長超薄氧化層的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I255510 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 陳永裕、金光祖、陳秋美、羅正忠 @ 技術司專利資料集
超臨界流體清洗方法及其系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I291714 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 能源與環境領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 金光祖陳秋美張佩琳陳宜晶 @ 技術司專利資料集
具有表面微結構的材料之表面處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I292182 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 金光祖張佩琳陳秋美陳宜晶 @ 技術司專利資料集
使用氣泡的基材表面處理方法及設備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I286799 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 產業永續發展環安技術研發四年計畫 \| 專利發明人: 金光祖陳秋美羅正忠 Farhang Sh 徐靜怡 @ 技術司專利資料集
使用氣泡的基材表面處理方法及設備	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200310100135.7 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 優質生活環安技術開發計畫 \| 專利發明人: 金光祖陳秋美羅正忠 Farhang Sh 徐靜怡 @ 技術司專利資料集

乾式UV光基板洗淨設備及方法

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以臭氧水成長超薄氧化層的方法

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製程酸排水回收技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 提高處理效率並延長活性碳再生與薄膜更換成本。 @ 技術司可移轉技術資料集
全廠機台排水回收規劃技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 熟悉半導體產業機台操作程序，可充分掌控排水特性與分流最佳時間點。 @ 技術司可移轉技術資料集
金屬腐蝕抑制的方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.上述反應溶液的較佳臭氧濃度範圍為0.1~30百萬分比濃度(ppm)。2.添加物可包含碳酸、磷酸、硝酸、硼酸及矽酸所組成的族群其中之一，較佳濃度為10-5~10-1莫耳濃度。 \| 潛力預估: 改善光電業之化學後清洗製程所造成之金屬導線腐蝕現象，可衍生應用在含金屬材質之零組件的清洗及表面處理。 @ 技術司可移轉技術資料集
氣泡式反應清洗裝置及其方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無 \| 潛力預估: 無 @ 技術司可移轉技術資料集
液態樣品中微量有機物的採樣濃縮方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 能源與環境領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 水中微量有機物偵測範圍ppt~ppb level。 \| 潛力預估: 無 @ 技術司可移轉技術資料集
超純水微量有機物質之去除方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 能源與環境領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 純化水質至 TOC含量低於1 ppb以下。 \| 潛力預估: 無 @ 技術司可移轉技術資料集
半導體產業廢水中深次微米顆粒去除系統及方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無 \| 潛力預估: 無 @ 技術司可移轉技術資料集
廢水中有機物氧化去除系統與方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 去除廢水有機物至 TOC含量低於1ppm以下。 \| 潛力預估: 無 @ 技術司可移轉技術資料集

製程酸排水回收技術

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全廠機台排水回收規劃技術

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金屬腐蝕抑制的方法

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液態樣品中微量有機物的採樣濃縮方法

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超純水微量有機物質之去除方法

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半導體產業廢水中深次微米顆粒去除系統及方法

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廢水中有機物氧化去除系統與方法

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具有三明治結構的陶瓷生胚	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220426 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕, 張鳴助, 王譯慧
超高解析度可錄式光碟片	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220834 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐偉智, 蔡松雨, 曾美榕, 許世朋, 洪添燦, 郭博成
高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 204070 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡松雨, 洪添燦, 許世朋, 姜皞先
全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6811948 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚
單體電子元件結構之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 183802 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 林鴻欽, 石啟仁, 葉信賢, 林慧霓, 施劭儒
電路基板用樹脂組成物	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196551 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平
光資訊記錄媒體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6713148 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕
低溫共燒陶瓷基板之高精度內埋元件的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189386 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄧文浩, 陳聰文, 洪尚河, 傅坤福
正型光敏感性組成物、其製成物及其光阻圖形之形成方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6670090 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 許聯崇, 金進興, 李柏毅, 鄭志龍
無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207086 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷
高精度低溫共燒陶瓷之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189799 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳聰文, 鄧文浩, 傅坤福, 張麗玲
電漿顯示器背板結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195305 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 邱國創, 林江財, 曾英蘭
電路基板用樹脂組成物	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,780,943 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平
面陣列覆晶整體封裝製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 205929 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘
無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6809130 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷

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核准國家

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