壓印用模仁之製程與結構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文壓印用模仁之製程與結構的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 專利發明人是蔡宏營, 吳志宏, 程智勇, 證書號碼是I224078.

序號977
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文壓印用模仁之製程與結構
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人蔡宏營, 吳志宏, 程智勇
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I224078
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係有關一種壓印用模仁之製程方法與結構,其主要係可用於奈米壓印技術中。本發明係於一基板材料上依序形成一鑽石材料層與一光阻層,其中該阻劑(Resist)層與鑽石材料相比更具有蝕刻抵抗性。接著利用能量束微影技術使光阻層形成特定排列圖案之光阻遮罩,再利用鑽石材料與光阻層材料之蝕刻選擇比的差異,以乾蝕刻方式直接對於鑽石材料表面進行蝕刻製程便可輕易形成相對應該阻劑遮罩圖樣之凹凸圖形,進而完成以鑽石材料為主體之壓印用模仁。此一模仁結構除了具有高抗磨性外,還兼具有脫模容易之特性。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

977

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

壓印用模仁之製程與結構

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

專利發明人

蔡宏營, 吳志宏, 程智勇

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I224078

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係有關一種壓印用模仁之製程方法與結構,其主要係可用於奈米壓印技術中。本發明係於一基板材料上依序形成一鑽石材料層與一光阻層,其中該阻劑(Resist)層與鑽石材料相比更具有蝕刻抵抗性。接著利用能量束微影技術使光阻層形成特定排列圖案之光阻遮罩,再利用鑽石材料與光阻層材料之蝕刻選擇比的差異,以乾蝕刻方式直接對於鑽石材料表面進行蝕刻製程便可輕易形成相對應該阻劑遮罩圖樣之凹凸圖形,進而完成以鑽石材料為主體之壓印用模仁。此一模仁結構除了具有高抗磨性外,還兼具有脫模容易之特性。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

賴麗惠

電話

03-5915788

傳真

(空)

電子信箱

LHL@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

根據識別碼 I224078 找到的相關資料

無其他 I224078 資料。

[ 搜尋所有 I224078 ... ]

根據名稱 壓印用模仁之製程與結構 找到的相關資料

# 壓印用模仁之製程與結構 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號4507
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文壓印用模仁之製程與結構
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱機械與系統領域環境建構計畫
專利發明人蔡宏營 吳志宏 程智勇
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼7,309,515
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係有關一種壓印用模仁之製程方法與結構,其主要係可用於奈米壓印技術中。本發明係於一基板材料上依序形成一鑽石材料層與一光阻層,其中該阻劑(Resist)層與鑽石材料相比更具有蝕刻抵抗性。接著利用能量束微影技術使光阻層形成特定排列圖案之光阻遮罩,再利用鑽石材料與光阻層材料之蝕刻選擇比的差異,以乾蝕刻方式直接對於鑽石材料表面進行蝕刻製程便可輕易形成相對應該阻劑遮罩圖樣之凹凸圖形,進而完成以鑽石材料為主體之壓印用模仁。此一模仁結構除了具有高抗磨性外,還兼具有脫模容易之特性。 The present invention is related to a structure of an imprint mold and a method for fabricating the same, which can be used in the field of nano-imprint lithography. Firstly, a diamond film and a photoresist film are successively formed onto a substrate; wherein the photoresist film is more capable of anticorrosion than the diamond film. Then an energy beam lithography system is provided to make the photoresist film form a photoresist mask with particularly arranged patterns. Because of the etching selectivity between the diamond film and the photoresist film, on the surface of the diamond film can be easily formed a pattern with recessions and protrusions according to the photoresist mask by dry etching method. Thus an imprint mold characterized as better antifriction and easily taking off from imprinted materials is completed.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4507
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 壓印用模仁之製程與結構
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫
專利發明人: 蔡宏營 吳志宏 程智勇
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 7,309,515
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係有關一種壓印用模仁之製程方法與結構,其主要係可用於奈米壓印技術中。本發明係於一基板材料上依序形成一鑽石材料層與一光阻層,其中該阻劑(Resist)層與鑽石材料相比更具有蝕刻抵抗性。接著利用能量束微影技術使光阻層形成特定排列圖案之光阻遮罩,再利用鑽石材料與光阻層材料之蝕刻選擇比的差異,以乾蝕刻方式直接對於鑽石材料表面進行蝕刻製程便可輕易形成相對應該阻劑遮罩圖樣之凹凸圖形,進而完成以鑽石材料為主體之壓印用模仁。此一模仁結構除了具有高抗磨性外,還兼具有脫模容易之特性。 The present invention is related to a structure of an imprint mold and a method for fabricating the same, which can be used in the field of nano-imprint lithography. Firstly, a diamond film and a photoresist film are successively formed onto a substrate; wherein the photoresist film is more capable of anticorrosion than the diamond film. Then an energy beam lithography system is provided to make the photoresist film form a photoresist mask with particularly arranged patterns. Because of the etching selectivity between the diamond film and the photoresist film, on the surface of the diamond film can be easily formed a pattern with recessions and protrusions according to the photoresist mask by dry etching method. Thus an imprint mold characterized as better antifriction and easily taking off from imprinted materials is completed.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 0
特殊情形: (空)
[ 搜尋所有 壓印用模仁之製程與結構 ... ]

根據姓名 蔡宏營 吳志宏 程智勇 找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 蔡宏營 吳志宏 程智勇 ...)

奈米壓印之模仁結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡宏營, 吳志宏, 程智勇 | 證書號碼: 219613

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米顆粒與微奈米結構結合之製作方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 謝丞聿 劉丙寅 吳志宏 程智勇 蔡宏營 張延瑜 丁嘉仁 | 證書號碼: I286600

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米壓印之模仁結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡宏營, 吳志宏, 程智勇 | 證書號碼: 219613

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米顆粒與微奈米結構結合之製作方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 謝丞聿 劉丙寅 吳志宏 程智勇 蔡宏營 張延瑜 丁嘉仁 | 證書號碼: I286600

@ 經濟部產業技術司–專利資料集
[ 搜尋所有 蔡宏營 吳志宏 程智勇 ... ]

根據電話 03-5915788 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915788 ...)

# 03-5915788 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號949
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文無間隙3-D微結構陣列模仁之製程
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人林坤龍, 周敏傑, 潘正堂
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼201594
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種無間隙3-D微結構陣列模仁之製程,其主要係於一基板上塗佈高分子緩衝層,以增加對基板的附著力,再於高分子緩衝層上塗佈光阻組成物層,隨之以黃光微影法(lithography)將圖樣(pattern)成形於光阻組成物層,接著加熱至光阻組成物至玻璃轉換溫度(Tg),使光阻組成物形成具有間隙之微結構陣列,再於微結構表面鍍覆金屬薄膜的導電層,最後以電鑄(Electro forming)的方式填補間隙,即可獲得無間隙的陣列模仁;藉此,利用該模仁即可翻製出金屬模具,而以微射出成型或微熱壓成型,製作出無間隙微結構陣列,進而可以簡便製程有效降低生產成本。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 949
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 無間隙3-D微結構陣列模仁之製程
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 201594
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種無間隙3-D微結構陣列模仁之製程,其主要係於一基板上塗佈高分子緩衝層,以增加對基板的附著力,再於高分子緩衝層上塗佈光阻組成物層,隨之以黃光微影法(lithography)將圖樣(pattern)成形於光阻組成物層,接著加熱至光阻組成物至玻璃轉換溫度(Tg),使光阻組成物形成具有間隙之微結構陣列,再於微結構表面鍍覆金屬薄膜的導電層,最後以電鑄(Electro forming)的方式填補間隙,即可獲得無間隙的陣列模仁;藉此,利用該模仁即可翻製出金屬模具,而以微射出成型或微熱壓成型,製作出無間隙微結構陣列,進而可以簡便製程有效降低生產成本。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 賴麗惠
電話: 03-5915788
傳真: (空)
電子信箱: LHL@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915788 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號950
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文無間隙3-D微結構陣列模仁之製程
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人林坤龍, 周敏傑, 潘正堂
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,746,823
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種無間隙3-D微結構陣列模仁之製程,其主要係於一基板上塗佈高分子緩衝層,以增加對基板的附著力,再於高分子緩衝層上塗佈光阻組成物層,隨之以黃光微影法(lithography)將圖樣(pattern)成形於光阻組成物層,接著加熱至光阻組成物至玻璃轉換溫度(Tg),使光阻組成物形成具有間隙之微結構陣列,再於微結構表面鍍覆金屬薄膜的導電層,最後以電鑄(Electro forming)的方式填補間隙,即可獲得無間隙的陣列模仁;藉此,利用該模仁即可翻製出金屬模具,而以微射出成型或微熱壓成型,製作出無間隙微結構陣列,進而可以簡便製程有效降低生產成本。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 950
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 無間隙3-D微結構陣列模仁之製程
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6,746,823
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種無間隙3-D微結構陣列模仁之製程,其主要係於一基板上塗佈高分子緩衝層,以增加對基板的附著力,再於高分子緩衝層上塗佈光阻組成物層,隨之以黃光微影法(lithography)將圖樣(pattern)成形於光阻組成物層,接著加熱至光阻組成物至玻璃轉換溫度(Tg),使光阻組成物形成具有間隙之微結構陣列,再於微結構表面鍍覆金屬薄膜的導電層,最後以電鑄(Electro forming)的方式填補間隙,即可獲得無間隙的陣列模仁;藉此,利用該模仁即可翻製出金屬模具,而以微射出成型或微熱壓成型,製作出無間隙微結構陣列,進而可以簡便製程有效降低生產成本。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 賴麗惠
電話: 03-5915788
傳真: (空)
電子信箱: LHL@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915788 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號951
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文降低鎳基合金鍍層內應力之方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人柯世宗, 李仁智, 葛明德, 王樂民, 宋鈺, 楊詔中, 黃雅如
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6699379
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種降低鎳基合金鍍層(如鎳鎢合金鍍層)內應力之方法,其步驟包括:添加陶瓷微粒於含鎳鹽的電鍍液中;及將一基材置於該電鍍液中進行脈衝電流電鍍。該降低鎳基合金鍍層內應力之方法可使鎳基合金鍍層的內應力降低,以減少或消除鍍層的裂紋,進而增加鎳基合金鍍層的耐久性。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 951
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 降低鎳基合金鍍層內應力之方法
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人: 柯世宗, 李仁智, 葛明德, 王樂民, 宋鈺, 楊詔中, 黃雅如
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6699379
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種降低鎳基合金鍍層(如鎳鎢合金鍍層)內應力之方法,其步驟包括:添加陶瓷微粒於含鎳鹽的電鍍液中;及將一基材置於該電鍍液中進行脈衝電流電鍍。該降低鎳基合金鍍層內應力之方法可使鎳基合金鍍層的內應力降低,以減少或消除鍍層的裂紋,進而增加鎳基合金鍍層的耐久性。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 賴麗惠
電話: 03-5915788
傳真: (空)
電子信箱: LHL@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915788 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號952
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文球形工件加工裝置
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人林衛助, 蔡坤龍
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼211484
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文一種球形工件加工裝置,其主要係在於該機台上固設一水平旋轉機構,並於其上方固設一具有二刀塔之進給機構,而各刀塔上架設有車削刀具,另於水平旋轉機構之側方以機架架設有主軸及可上下擺動之檢測機構;藉此,該進給機構可先帶動二刀塔上之各刀具碰觸檢測機構之感測器,以自動檢測刀具位置,當主軸帶動球形工件旋轉作動時,可令進給機構配合水平旋轉機構帶動刀塔上之刀具自動到定位並進行圓弧切削加工,達到可確實精密定位及大幅提高加工效率之實用效益。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 952
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 球形工件加工裝置
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人: 林衛助, 蔡坤龍
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 211484
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 一種球形工件加工裝置,其主要係在於該機台上固設一水平旋轉機構,並於其上方固設一具有二刀塔之進給機構,而各刀塔上架設有車削刀具,另於水平旋轉機構之側方以機架架設有主軸及可上下擺動之檢測機構;藉此,該進給機構可先帶動二刀塔上之各刀具碰觸檢測機構之感測器,以自動檢測刀具位置,當主軸帶動球形工件旋轉作動時,可令進給機構配合水平旋轉機構帶動刀塔上之刀具自動到定位並進行圓弧切削加工,達到可確實精密定位及大幅提高加工效率之實用效益。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 賴麗惠
電話: 03-5915788
傳真: (空)
電子信箱: LHL@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915788 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號953
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文物件與膠膜分離之方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人劉俊賢, 黃國興, 徐嘉彬, 洪嘉宏
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼194407
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種物件與膠膜分離之方法,其特徵在於:預先施予膠膜一能與物件適度分離之如撕離之外力,使降低物件與膠膜間之黏合性,再以取放頭吸取物件;為達到前述目的,可於膠膜底部設置一具有真空吸附孔且可移動之真空吸取座,藉由真空吸取座之吸力對膠膜產生如撕離之外力,再由取放頭吸取物件;亦可設置一連桿與取放頭同步升降,取放頭下降與物件接觸前,可帶動連桿先下壓於膠膜上對膠膜產生如撕離之外力,再由取放頭吸取物件;由於外力未作用於物件上,因此可使物件變形量控制至極小之程度,避免物件破損,且物件不致移位,並可一次直接剝離多個晶片,增加生產速度,縮短拾取時間者。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 953
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 物件與膠膜分離之方法
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人: 劉俊賢, 黃國興, 徐嘉彬, 洪嘉宏
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 194407
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係提供一種物件與膠膜分離之方法,其特徵在於:預先施予膠膜一能與物件適度分離之如撕離之外力,使降低物件與膠膜間之黏合性,再以取放頭吸取物件;為達到前述目的,可於膠膜底部設置一具有真空吸附孔且可移動之真空吸取座,藉由真空吸取座之吸力對膠膜產生如撕離之外力,再由取放頭吸取物件;亦可設置一連桿與取放頭同步升降,取放頭下降與物件接觸前,可帶動連桿先下壓於膠膜上對膠膜產生如撕離之外力,再由取放頭吸取物件;由於外力未作用於物件上,因此可使物件變形量控制至極小之程度,避免物件破損,且物件不致移位,並可一次直接剝離多個晶片,增加生產速度,縮短拾取時間者。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 賴麗惠
電話: 03-5915788
傳真: (空)
電子信箱: LHL@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915788 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號954
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文可三維即時修正之尋光方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人周甘霖, 李閔凱
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼188264
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種可三維即時修正之尋光方法,其係用來尋找一發光源與接收端之間的對位點,主要係於XY平面上先以粗尋光的方式搜尋出光源,當粗尋光得到光源位置後,即進行細尋光的搜尋,該細尋光係以粗尋光光源位置,在XZ(或YZ)平面上,以R為半徑繞圓,並比較其中局部最大光強度點,再以該最大光強度點於YZ(或XZ)平面上,以R為半徑繞圓,並比較獲得該局部最大光強度點,依序在XZ及YZ平面上交錯搜尋,而漸趨獲得光強度的局部最大值,接著再降低搜尋半徑R,於局部的最大值內,依序在XZ及YZ平面上交錯搜尋,即可找尋到所定義的最佳光強度值;藉此,在整個尋光過程中,不但可即時修正X、Y兩軸的位置參數,同時在交錯搜尋的過程中,亦即時修正Z軸的位置,而以三維空間的方式,迅速的獲得最佳光強度位置,完成最佳的尋光對位。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 954
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 可三維即時修正之尋光方法
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人: 周甘霖, 李閔凱
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 188264
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種可三維即時修正之尋光方法,其係用來尋找一發光源與接收端之間的對位點,主要係於XY平面上先以粗尋光的方式搜尋出光源,當粗尋光得到光源位置後,即進行細尋光的搜尋,該細尋光係以粗尋光光源位置,在XZ(或YZ)平面上,以R為半徑繞圓,並比較其中局部最大光強度點,再以該最大光強度點於YZ(或XZ)平面上,以R為半徑繞圓,並比較獲得該局部最大光強度點,依序在XZ及YZ平面上交錯搜尋,而漸趨獲得光強度的局部最大值,接著再降低搜尋半徑R,於局部的最大值內,依序在XZ及YZ平面上交錯搜尋,即可找尋到所定義的最佳光強度值;藉此,在整個尋光過程中,不但可即時修正X、Y兩軸的位置參數,同時在交錯搜尋的過程中,亦即時修正Z軸的位置,而以三維空間的方式,迅速的獲得最佳光強度位置,完成最佳的尋光對位。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 賴麗惠
電話: 03-5915788
傳真: (空)
電子信箱: LHL@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915788 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號955
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文隔膜閥
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人林春宏, 蔡陳德, 吳錦清, 何榮振, 王漢聰
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼218453
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文一種隔膜閥,利用金屬碟形膜片組來控制流體之進出,此金屬碟形膜片組設置於氣體流道的上方,藉由控制設置於金屬碟形膜片組上方的中心軸,以壓迫金屬碟形膜片組與設置於氣體流道內之非金屬閥座密合,而達到阻絕氣體通過之效果;此非金屬閥座係藉由具有錐形截面的固定套環將其固定於氣體流道中,且金屬碟形膜片組中夾置於中央之金屬膜片是採中央環形之設計,以降低金屬膜片間之金屬摩擦,增加其使用次數,且降低隔膜閥之洩漏率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 955
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 隔膜閥
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 吳錦清, 何榮振, 王漢聰
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 218453
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 一種隔膜閥,利用金屬碟形膜片組來控制流體之進出,此金屬碟形膜片組設置於氣體流道的上方,藉由控制設置於金屬碟形膜片組上方的中心軸,以壓迫金屬碟形膜片組與設置於氣體流道內之非金屬閥座密合,而達到阻絕氣體通過之效果;此非金屬閥座係藉由具有錐形截面的固定套環將其固定於氣體流道中,且金屬碟形膜片組中夾置於中央之金屬膜片是採中央環形之設計,以降低金屬膜片間之金屬摩擦,增加其使用次數,且降低隔膜閥之洩漏率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 賴麗惠
電話: 03-5915788
傳真: (空)
電子信箱: LHL@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915788 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號956
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文二片式繞射/折射複合型成像系統
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼220699
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種二片式繞射/折射複合型成像系統,其係由一第一透鏡及一第二透鏡構成,該第一透鏡具有一凹面及一凸面,其凹面係為物面,該第二透鏡具有一凸面及一凹面,其凸面朝向第一透鏡之凸面,其凹面則朝向一濾光片,該第一透鏡及第二透鏡之任一面可以是球面或一般非球面,並且該成像系統至少包括一繞射面,其中,該繞射/折射複合透鏡面可位於該第一透鏡或第二透鏡之任一面上,藉由繞射元件特有之光學特性,可在不增加元件片數下,消除更多像差及提高成像品質,達到降低成本、省空間、小型化之目的。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 956
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 二片式繞射/折射複合型成像系統
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 220699
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係提供一種二片式繞射/折射複合型成像系統,其係由一第一透鏡及一第二透鏡構成,該第一透鏡具有一凹面及一凸面,其凹面係為物面,該第二透鏡具有一凸面及一凹面,其凸面朝向第一透鏡之凸面,其凹面則朝向一濾光片,該第一透鏡及第二透鏡之任一面可以是球面或一般非球面,並且該成像系統至少包括一繞射面,其中,該繞射/折射複合透鏡面可位於該第一透鏡或第二透鏡之任一面上,藉由繞射元件特有之光學特性,可在不增加元件片數下,消除更多像差及提高成像品質,達到降低成本、省空間、小型化之目的。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 賴麗惠
電話: 03-5915788
傳真: (空)
電子信箱: LHL@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
[ 搜尋所有 03-5915788 ... ]

與壓印用模仁之製程與結構同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

以低電壓製作塊狀鐵電性材料區域反轉之方式

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 彭隆瀚, 林宜慶, 房宜澂 | 證書號碼: 186269

光加取多工器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林士強, 周維仁, 江行健, 吳俊雄 | 證書號碼: 6,661,944

具有三端口的光學循環器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 胡杰, 黃承彬, 廖浚男 | 證書號碼: ZL01109959.3

表面層以複合材料CaF2和TiO2所構成且具撥水功能之光學鍍膜元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡榮源, 林浪津, 崋沐怡 | 證書號碼: I223009

分佈回饋式(DFB)半導體雷射及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 余昱辰, 郭宗南, 潘彥廷 | 證書號碼: 194417

光盤承載裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃偉煜 | 證書號碼: ZL00129763.5

動態減震系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊志軒, 謝政揚, 黃振源, 張啟伸 | 證書號碼: 206772

聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 朱良謙, 張志吉 | 證書號碼: ZL00108097.0

可調整的鏡群裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 涂銀發, 姜皇成, 陳志文, 張耿智 | 證書號碼: 195758

雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林明慧, 劉通發 | 證書號碼: 201010

環場影像接圖器及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝君偉, 江政欽, 魏德樂 | 證書號碼: 6,798,923

取紙傳動模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林智堅, 陳英棋, 鄭兆凱, 張惠珍 | 證書號碼: 215325

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟 | 證書號碼: ZL98106298.9

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: ZL98116196.0

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: 19914700

以低電壓製作塊狀鐵電性材料區域反轉之方式

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 彭隆瀚, 林宜慶, 房宜澂 | 證書號碼: 186269

光加取多工器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林士強, 周維仁, 江行健, 吳俊雄 | 證書號碼: 6,661,944

具有三端口的光學循環器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 胡杰, 黃承彬, 廖浚男 | 證書號碼: ZL01109959.3

表面層以複合材料CaF2和TiO2所構成且具撥水功能之光學鍍膜元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡榮源, 林浪津, 崋沐怡 | 證書號碼: I223009

分佈回饋式(DFB)半導體雷射及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 余昱辰, 郭宗南, 潘彥廷 | 證書號碼: 194417

光盤承載裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃偉煜 | 證書號碼: ZL00129763.5

動態減震系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊志軒, 謝政揚, 黃振源, 張啟伸 | 證書號碼: 206772

聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 朱良謙, 張志吉 | 證書號碼: ZL00108097.0

可調整的鏡群裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 涂銀發, 姜皇成, 陳志文, 張耿智 | 證書號碼: 195758

雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林明慧, 劉通發 | 證書號碼: 201010

環場影像接圖器及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝君偉, 江政欽, 魏德樂 | 證書號碼: 6,798,923

取紙傳動模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林智堅, 陳英棋, 鄭兆凱, 張惠珍 | 證書號碼: 215325

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟 | 證書號碼: ZL98106298.9

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: ZL98116196.0

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: 19914700

 |