以聚二甲基矽氧烷增韌之酚醛樹脂及其製法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文以聚二甲基矽氧烷增韌之酚醛樹脂及其製法的核准國家是中華民國, 專利性質是發明, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是95, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 專利發明人是楊正乾、馬振基、陳鴻斌、陳欽義.

序號	2876
產出年度	95
領域別	(空)
專利名稱-中文	以聚二甲基矽氧烷增韌之酚醛樹脂及其製法
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
專利發明人	楊正乾 \| 馬振基 \| 陳鴻斌 \| 陳欽義
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	(空)
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種以聚二甲基矽氧烷增韌之酚醛樹脂及其製法，係利用PDMS增韌以γ-環氧基丙三甲氧基矽烷(GPTS)改質過後之酚醛樹脂，更藉由偶合劑改善PDMS與酚醛樹脂之相容性，並與四乙氧基矽烷(TEOS)一併進行水解縮合反應，以製得高韌性與高熱穩性樹脂。_x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	楊正乾
電話	03-4458063
傳真	03-4719940
電子信箱	lcc36@tsrp.org.tw
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

2876

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

以聚二甲基矽氧烷增韌之酚醛樹脂及其製法

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫

專利發明人

楊正乾 | 馬振基 | 陳鴻斌 | 陳欽義

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

(空)

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種以聚二甲基矽氧烷增韌之酚醛樹脂及其製法，係利用PDMS增韌以γ-環氧基丙三甲氧基矽烷(GPTS)改質過後之酚醛樹脂，更藉由偶合劑改善PDMS與酚醛樹脂之相容性，並與四乙氧基矽烷(TEOS)一併進行水解縮合反應，以製得高韌性與高熱穩性樹脂。_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊正乾

電話

03-4458063

傳真

03-4719940

電子信箱

lcc36@tsrp.org.tw

參考網址

(空)

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

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Toughness-increased phenolic resin and preparation thereof

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Toughness-increased phenolic resin and preparation thereof

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Process for preparing poly(urea-urethane)	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US6841646B2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 馬振基 \| 陳鴻斌 \| 陳欽義 @ 技術司專利資料集
Method for Preparing a Novolac Resin/Silica Hybrid Organic Nanocomposite	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7365135B2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 馬振基 \| 陳鴻斌 \| 陳欽義 @ 技術司專利資料集
清漆型酚醛樹脂/矽石有機無機混成奈米複合材料的製備方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 297013 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 馬振基 \| 陳鴻斌 \| 陳欽義 @ 技術司專利資料集

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Manufacturing method of ladder-like phosphorous-containing polysilsesquioxanes nanocomposite materia...	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7700711B2 \| 專利期間起: 1996/3/2 \| 專利期間訖: 116/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 馬振基 @ 技術司專利資料集
含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乙烯基：0.01~1.1mmole/g，粘度：0.001~4.0kp(25℃)，比重：0.7~1.1，揮發度：＜2%，顏色：透明 \| 潛力預估: LSR可取代HTV，節省人工、可大量生產，隨著汽車安全氣囊之發展，市場潛力很大 @ 技術司可移轉技術資料集
高分子型催化劑合成與分析	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 分子量：約1000g/mole，分布度：＜3.0 \| 潛力預估: 高分子型催化劑合成技術大大提高矽酮高分子合成之穩定性及再現性，預期將取代一般催化劑之使用 @ 技術司可移轉技術資料集
矽酮壓克力改質技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OH/NCO＝2：1~2.3：1，NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate＝1：0.6：0.4~1：0.4：0.6 \| 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。 @ 技術司可移轉技術資料集
反應型熱熔膠配方研發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: NCO含量2~10％，多元醇分子量2000~10000 \| 潛力預估: 提升傳統熱熔膠耐熱性能，取代並開發新應用範圍。 @ 技術司可移轉技術資料集
高透明度及高機械強度矽橡膠製程研究與分析檢測	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 撕裂強度(die C)：>40kgf/cm、伸長率：>750%、抗拉強度：>80kgf/cm2、穿透率(550nm)：~50%(厚度:2mm) \| 潛力預估: 混?強化劑後，提升矽橡膠機能性與功能性，增廣矽橡膠之應用範圍與附加價值。 @ 技術司可移轉技術資料集
長效型抗靜電塗料配方評估與分析檢測	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率＞70％(550nm) \| 潛力預估: 可做為半導體與液晶製程防靜電披覆膜，市場年成長率可達20%。 @ 技術司可移轉技術資料集
聚醇合成與應用研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 產物名稱：PEA(polyethylene glycol adipate)_x000D_分子量：2000，酸值：＜1，OH值：＜28，含水量＜1%。 \| 潛力預估: 用於潛水衣、汽車車燈及粘扣帶膠黏劑，取代傳統熱熔膠，產量100噸/月，產值約8千萬元。 @ 技術司可移轉技術資料集

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埋藏式電容結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6813138 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 吳俊昆 \| 陳昌昇
超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223446 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 賴理學 \| 陳邦旭 \| 陸新起 \| 劉致為
具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206598 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋 \| 翁逸君 \| 劉康弘 \| 范揚宜
橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206589 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明 \| 范揚宜 \| 許家榮 \| 陳慶逸
測試蝕刻速率的結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197248 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 王欽宏 \| 梁兆鈞 \| 陳玉華
微通道流體導引元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188284 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
微通道流體導引元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6725882 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
薄膜電晶體的結構、其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198288 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林炯暐 \| 葉永輝
移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220255 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 王博文 \| 林展瑞
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192543 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 陳昌昇 \| 吳俊昆 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 賴穎俊
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202861 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維 \| 李永忠 \| 潘宗銘 \| 卓言
有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200178 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚 \| 鄭弘隆 \| 賴志明 \| 廖奇璋
直下式背光模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200905 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹景翔 \| 蕭名君 \| 劉康弘 \| 林偉義
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198431 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6757189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘

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