記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法
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專利名稱-中文記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I286815, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是96, 計畫名稱是電子與光電領域環境建構計畫, 專利發明人是陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞.

序號3575
產出年度96
領域別(空)
專利名稱-中文記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱電子與光電領域環境建構計畫
專利發明人陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I286815
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種記憶胞,此記憶胞適於配置於一基板上,且此記憶胞包括一島狀多晶矽層、一第一介電層、一阻陷層、一第二介電層以及一控制閘極。其中,島狀多晶矽層配置於基板上,且島狀多晶矽包括一源極摻雜區、一汲極摻雜區以及一位於源極摻雜區與汲極摻雜區之間的通道區,且該通道區的表面上具有多個規律排列之尖端。第一介電層配置於島狀多晶矽層上,阻陷層配置於第一介電層上,而第二介電層配置於阻陷層上,且控制閘極配置於第二介電層上。上述之記憶胞可整合在低溫多晶矽液晶顯示面板或有機發光二極體顯示面板的製作中。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)

序號

3575

產出年度

96

領域別

(空)

專利名稱-中文

記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子與光電領域環境建構計畫

專利發明人

陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I286815

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種記憶胞,此記憶胞適於配置於一基板上,且此記憶胞包括一島狀多晶矽層、一第一介電層、一阻陷層、一第二介電層以及一控制閘極。其中,島狀多晶矽層配置於基板上,且島狀多晶矽包括一源極摻雜區、一汲極摻雜區以及一位於源極摻雜區與汲極摻雜區之間的通道區,且該通道區的表面上具有多個規律排列之尖端。第一介電層配置於島狀多晶矽層上,阻陷層配置於第一介電層上,而第二介電層配置於阻陷層上,且控制閘極配置於第二介電層上。上述之記憶胞可整合在低溫多晶矽液晶顯示面板或有機發光二極體顯示面板的製作中。_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,339,190 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,445,972 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7339190 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7445972 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

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顯示器用記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I336508 | 專利期間起: 100/01/21 | 專利期間訖: 114/10/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞 | 陳紀文 | 張鼎張

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,851,801 | 專利期間起: 99/12/14 | 專利期間訖: 116/10/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7851801 | 專利期間起: 1999/12/14 | 專利期間訖: 116/10/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,339,190 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,445,972 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7339190 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7445972 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳麒麟 陳昱丞

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顯示器用記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I336508 | 專利期間起: 100/01/21 | 專利期間訖: 114/10/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞 | 陳紀文 | 張鼎張

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,851,801 | 專利期間起: 99/12/14 | 專利期間訖: 116/10/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7851801 | 專利期間起: 1999/12/14 | 專利期間訖: 116/10/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞

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顯示器用存儲單元、像素結構以及存儲單元的制造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200510109542.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞 | 陳紀文 | 張鼎張

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存儲單元、像素結構以及存儲單元的制造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200510123233.1 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞

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顯示器用存儲單元、像素結構以及存儲單元的制造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200510109542.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞 | 陳紀文 | 張鼎張

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存儲單元、像素結構以及存儲單元的制造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200510123233.1 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 | 陳麒麟 | 陳昱丞

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一種高速假撚方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207547 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 | 專利發明人: 陳哲陽 | 簡淑華 | 黃麗娟 | 黃泳彬

@ 技術司專利資料集

增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 王興昇 | 李榮賢 | 陳棓煌

@ 技術司專利資料集

熱管均熱板

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 226177 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張長生 | 楊書榮

@ 技術司專利資料集

一種資料通訊的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6496481 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳炯憲 | 馬金溝

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Optical Disk Control Mechanism

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6665253 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 專利發明人: 藍永松 | 張啟伸

@ 技術司專利資料集

時序還原之方法與系統

核准國家: 德國 | 證書號碼: 573696 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥 | 余基祥 | 林妍君 | 薛勝文

@ 技術司專利資料集

時序還原之方法與系統

核准國家: 英國 | 證書號碼: 573696 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥 | 余基祥 | 林妍君 | 薛勝文

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萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 157850 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 | 專利發明人: 潘一紅 | 李連滋 | 邱惜禾 | 劉惠儒 | 姚心然

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一種高速假撚方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207547 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 | 專利發明人: 陳哲陽 | 簡淑華 | 黃麗娟 | 黃泳彬

@ 技術司專利資料集

增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 王興昇 | 李榮賢 | 陳棓煌

@ 技術司專利資料集

熱管均熱板

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 226177 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張長生 | 楊書榮

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一種資料通訊的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6496481 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳炯憲 | 馬金溝

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Optical Disk Control Mechanism

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6665253 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 專利發明人: 藍永松 | 張啟伸

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時序還原之方法與系統

核准國家: 德國 | 證書號碼: 573696 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥 | 余基祥 | 林妍君 | 薛勝文

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時序還原之方法與系統

核准國家: 英國 | 證書號碼: 573696 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥 | 余基祥 | 林妍君 | 薛勝文

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萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 157850 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 | 專利發明人: 潘一紅 | 李連滋 | 邱惜禾 | 劉惠儒 | 姚心然

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微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188284 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁 | 吳志文 | 姚南光 | 龐紹華 | 郭遠峰

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6725882 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁 | 吳志文 | 姚南光 | 龐紹華 | 郭遠峰

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198288 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐 | 葉永輝

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220255 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任 | 陳尚立 | 王博文 | 林展瑞

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192543 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明 | 陳昌昇 | 吳俊昆 | 魏培森 | 翁卿亮 | 賴穎俊

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202861 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維 | 李永忠 | 潘宗銘 | 卓言

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200178 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚 | 鄭弘隆 | 賴志明 | 廖奇璋

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200905 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔 | 蕭名君 | 劉康弘 | 林偉義

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198431 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6757189 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189045 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻 | 何璨佑 | 許家榮

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189620 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋 | 鍾震桂 | 陳仲竹

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 196530 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂 | 莊世瑋 | 陳仲竹

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206597 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑 | 莊景桑 | 陳志強

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198718 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏 | 顏凱翔 | 王欽宏 | 陳振頤 | 房佩怡

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188284 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁 | 吳志文 | 姚南光 | 龐紹華 | 郭遠峰

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6725882 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁 | 吳志文 | 姚南光 | 龐紹華 | 郭遠峰

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198288 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐 | 葉永輝

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220255 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任 | 陳尚立 | 王博文 | 林展瑞

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192543 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明 | 陳昌昇 | 吳俊昆 | 魏培森 | 翁卿亮 | 賴穎俊

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202861 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維 | 李永忠 | 潘宗銘 | 卓言

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200178 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚 | 鄭弘隆 | 賴志明 | 廖奇璋

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200905 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔 | 蕭名君 | 劉康弘 | 林偉義

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198431 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6757189 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189045 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻 | 何璨佑 | 許家榮

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189620 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋 | 鍾震桂 | 陳仲竹

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 196530 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂 | 莊世瑋 | 陳仲竹

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206597 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑 | 莊景桑 | 陳志強

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198718 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏 | 顏凱翔 | 王欽宏 | 陳振頤 | 房佩怡

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