可控制結構尺寸之液態重力蝕刻停止技術
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文可控制結構尺寸之液態重力蝕刻停止技術的核准國家是美國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是林韋至梁兆鈞蔡晴翔張惠玲謝建文李裕文, 證書號碼是7,435,355.

序號	4897
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	可控制結構尺寸之液態重力蝕刻停止技術
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	林韋至梁兆鈞蔡晴翔張惠玲謝建文李裕文
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	7,435,355
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種使用對立蝕刻槽與蝕刻停止液體搭配，達到晶圓級的元件微結構尺寸控制的技術。而控制的技術，則是在晶圓兩面，分別蝕刻一組包圍元件的對立溝槽，而在晶片正面，與元件微結構同面之溝槽，深度則等同於所需求的微結構尺寸。反之在晶片背面之溝槽深度，則無須特別定義，只須待最後待元件釋放的同時，背面的溝槽蝕刻與正面溝槽接觸時，元件將會由整片晶圓上自動分離，由原本的蝕刻液中，落入下層的蝕刻停止液體（二碘甲烷）中，進而停止蝕刻，藉此達到元件微結構尺寸的控制。 A liquid-based gravity-driven etching-stop technique used for microstructure dimension control of device on the wafer level is disclosed. The technique makes use of the opposite etching trenches or the depth rulers to control the dimension of microstructure at first. A pair of opposite trenches surrounds several devices on both sides of the wafer to form device chips. The trench depth on the microstructure front-side is equal to the design dimension of microstructure. In the final step of the fabrication process, the backside of wafer is etched by enchants to form the device handles. The device chips will be separated from the wafer simultaneously with the penetration of wafers at the trenches. The separated device chips therefore fall into the etch-stop solution beneath the etchant and the wet etching of the device stops automatically.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

4897

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

可控制結構尺寸之液態重力蝕刻停止技術

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

林韋至梁兆鈞蔡晴翔張惠玲謝建文李裕文

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7,435,355

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種使用對立蝕刻槽與蝕刻停止液體搭配，達到晶圓級的元件微結構尺寸控制的技術。而控制的技術，則是在晶圓兩面，分別蝕刻一組包圍元件的對立溝槽，而在晶片正面，與元件微結構同面之溝槽，深度則等同於所需求的微結構尺寸。反之在晶片背面之溝槽深度，則無須特別定義，只須待最後待元件釋放的同時，背面的溝槽蝕刻與正面溝槽接觸時，元件將會由整片晶圓上自動分離，由原本的蝕刻液中，落入下層的蝕刻停止液體（二碘甲烷）中，進而停止蝕刻，藉此達到元件微結構尺寸的控制。 A liquid-based gravity-driven etching-stop technique used for microstructure dimension control of device on the wafer level is disclosed. The technique makes use of the opposite etching trenches or the depth rulers to control the dimension of microstructure at first. A pair of opposite trenches surrounds several devices on both sides of the wafer to form device chips. The trench depth on the microstructure front-side is equal to the design dimension of microstructure. In the final step of the fabrication process, the backside of wafer is etched by enchants to form the device handles. The device chips will be separated from the wafer simultaneously with the penetration of wafers at the trenches. The separated device chips therefore fall into the etch-stop solution beneath the etchant and the wet etching of the device stops automatically.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

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可控制結構尺寸之液態重力蝕刻停止技術

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可控制結構尺寸之液態重力蝕刻停止技術

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可控制結構尺寸的重力液態蝕刻方法

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可控制結構尺寸的重力液態蝕刻方法

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透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 \| 證書號碼: I321313 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
植入奈米碳管之製程方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , \| 證書號碼: I321123 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 \| 證書號碼: 7,904,736 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 \| 證書號碼: 7,916,129 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
無線環境下定位系統的新取樣點決定方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 徐銘駿, 崔文, 陳昭男 \| 證書號碼: I321928 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
通訊網路下之行動管理方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫 \| 專利發明人: 江為國, 何哲勳, 許建昌 \| 證書號碼: I321411 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏, 柯明道 \| 證書號碼: 7,692,907 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
直流偏移消除電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 高小文 \| 證書號碼: I320993 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 \| 證書號碼: 6617264
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 191653
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6663278
接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 \| 證書號碼: 200260
形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 \| 證書號碼: 6692983
可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 \| 證書號碼: 184717
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 220265
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 6769945
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 \| 證書號碼: 206590
主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 202661
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 6753655
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 \| 證書號碼: 6737303
薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源 \| 證書號碼: 189563
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲 \| 證書號碼: 200395
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲 \| 證書號碼: 6642595

可控制結構尺寸之液態重力蝕刻停止技術 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

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執行單位

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