磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是李元仁洪建中高明哲, 證書號碼是I300224.

序號	4908
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	李元仁洪建中高明哲
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I300224
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種磁性記憶胞結構適用於雙態型模式存取操作的一磁性記憶裝置，包括一磁性固定疊層，做為一基層結構的一部份。一穿隧絕緣層位於該磁性固定疊層之上。一磁性自由疊層位於該穿隧絕緣層之上。一磁性偏壓疊層，位於該磁性自由疊層之上。其中，磁性偏壓疊層提供一偏壓磁場給該磁性自由疊層，以使一雙態操作區域更接近於一磁場零點。又，磁性偏壓疊層所產生的磁場作用也包括縮小鄰接於該雙態操作區域的一直接區域。 A structure of magnetic memory cell, suitable for a magnetic memory device with toggle mode access operation is provided, which includes a magnetic pinned stacked layer as a portion of a substrate structure; a tunnel barrier layer disposed on the magnetic pinned stacked layer; a magnetic free stacked layer disposed on the tunnel barrier layer; a magnetic bias stacked layer disposed on the magnetic free stacked layer, wherein the magnetic bias stacked layer applies a compensative magnetic field to the magnetic free stacked layer, so as to move a toggle operation region towards a magnetic zero point. Further, the magnetic field effect of the magnetic bias stacked layer also includes reducing a direct mode region adjacent to the toggle operation region.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

4908

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

李元仁洪建中高明哲

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I300224

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種磁性記憶胞結構適用於雙態型模式存取操作的一磁性記憶裝置，包括一磁性固定疊層，做為一基層結構的一部份。一穿隧絕緣層位於該磁性固定疊層之上。一磁性自由疊層位於該穿隧絕緣層之上。一磁性偏壓疊層，位於該磁性自由疊層之上。其中，磁性偏壓疊層提供一偏壓磁場給該磁性自由疊層，以使一雙態操作區域更接近於一磁場零點。又，磁性偏壓疊層所產生的磁場作用也包括縮小鄰接於該雙態操作區域的一直接區域。 A structure of magnetic memory cell, suitable for a magnetic memory device with toggle mode access operation is provided, which includes a magnetic pinned stacked layer as a portion of a substrate structure; a tunnel barrier layer disposed on the magnetic pinned stacked layer; a magnetic free stacked layer disposed on the tunnel barrier layer; a magnetic bias stacked layer disposed on the magnetic free stacked layer, wherein the magnetic bias stacked layer applies a compensative magnetic field to the magnetic free stacked layer, so as to move a toggle operation region towards a magnetic zero point. Further, the magnetic field effect of the magnetic bias stacked layer also includes reducing a direct mode region adjacent to the toggle operation region.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

根據識別碼 I300224 找到的相關資料

無其他 I300224 資料。

[ 搜尋所有 I300224 ... ]

根據名稱磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置找到的相關資料

無其他磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置資料。

[ 搜尋所有 磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置 ... ]

根據姓名李元仁洪建中高明哲找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 李元仁洪建中高明哲 ...)

高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 , \| 證書號碼: I313457 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中李元仁高明哲 \| 證書號碼: 7,463,510 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
提升正確率及降低拴扣型磁性隨機存取記憶體細胞元寫入電流之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中高明哲李元仁王連昌 \| 證書號碼: 7,420,837 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
堆疊結構的多位元磁性記憶胞以及磁性記憶裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 , \| 證書號碼: 7577019 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中,高明哲,李元仁,王連昌, \| 證書號碼: I343574 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁性存儲單元結構與磁性存儲裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 李元仁 ,洪建中 ,高明哲 , \| 證書號碼: ZL200610059116.8 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
提升正確率及降低拴扣型磁性隨機存取記憶體細胞元寫入電流之方法	核准國家: 南韓 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 , \| 證書號碼: 10-0915975 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中,高明哲,李元仁,王連昌, \| 證書號碼: 4668864 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法

透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 \| 證書號碼: I321313 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
植入奈米碳管之製程方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , \| 證書號碼: I321123 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 \| 證書號碼: 7,904,736 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 \| 證書號碼: 7,916,129 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
無線環境下定位系統的新取樣點決定方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 徐銘駿, 崔文, 陳昭男 \| 證書號碼: I321928 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
通訊網路下之行動管理方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫 \| 專利發明人: 江為國, 何哲勳, 許建昌 \| 證書號碼: I321411 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏, 柯明道 \| 證書號碼: 7,692,907 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
直流偏移消除電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 高小文 \| 證書號碼: I320993 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

一種長管內表面電解拋光裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 鍾允昇, 吳錦清, 陳裕豐, 王漢聰 \| 證書號碼: 218376
一種長管內表面電解拋光裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 鍾允昇, 吳錦清, 陳裕豐, 王漢聰 \| 證書號碼: 6660138
一種金屬內外表面電解拋光裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏, 吳錦清, 鍾允昇, 涂運泉, 吳清吉, 彭永振 \| 證書號碼: 6776884
手持式光纖切割裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李文宇, 周大鑫 \| 證書號碼: 6754426
直結式主軸於機台上之安裝機構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡垂錫, 黃興杰, 陳義堂 \| 證書號碼: 6772660
具位置.速度與力量控制之晶片取放裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃國興, 劉俊賢, 李思慧, 張瀛方, 林宏毅, 徐嘉彬 \| 證書號碼: 6651865
無間隙3-D微結構陣列模仁之製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂 \| 證書號碼: 201594
無間隙3-D微結構陣列模仁之製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂 \| 證書號碼: 6,746,823
降低鎳基合金鍍層內應力之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 柯世宗, 李仁智, 葛明德, 王樂民, 宋鈺, 楊詔中, 黃雅如 \| 證書號碼: 6699379
球形工件加工裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林衛助, 蔡坤龍 \| 證書號碼: 211484
物件與膠膜分離之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 劉俊賢, 黃國興, 徐嘉彬, 洪嘉宏 \| 證書號碼: 194407
可三維即時修正之尋光方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 周甘霖, 李閔凱 \| 證書號碼: 188264
隔膜閥	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 吳錦清, 何榮振, 王漢聰 \| 證書號碼: 218453
二片式繞射/折射複合型成像系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘 \| 證書號碼: 220699
二片式繞射/折射複合型成像系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘 \| 證書號碼: 6,724,532

磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

同步更新日期

在『經濟部產業技術司–專利資料集』資料集內搜尋:

與磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

磁性記憶胞結構與磁性記憶裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部