具有光子晶體之水平共振面射型半導體雷射裝置
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專利名稱-中文具有光子晶體之水平共振面射型半導體雷射裝置的執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 專利性質是一種半導體雷射裝置,其包括一波導結構與一光子晶體。波導結構包括一共振腔與一第一端部,共振腔產生一初始光波,初始光波投射至第一端部而形成一第一既定光波與一第二既定光波。光子晶體設置於共振腔之上,光子晶體對於第一既定光波進行光波導而導出,並且光子晶體將第二既定光波傳送至共振腔。 A semiconduc..., 計畫名稱是宣融 王日富 趙主立, 專利發明人是中華民國.

序號4923
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文具有光子晶體之水平共振面射型半導體雷射裝置
執行單位工研院院本部
產出單位工研院創新前瞻技術研究計畫
計畫名稱宣融 王日富 趙主立
專利發明人中華民國
核准國家(空)
獲證日期I298218
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖發明
專利性質一種半導體雷射裝置,其包括一波導結構與一光子晶體。波導結構包括一共振腔與一第一端部,共振腔產生一初始光波,初始光波投射至第一端部而形成一第一既定光波與一第二既定光波。光子晶體設置於共振腔之上,光子晶體對於第一既定光波進行光波導而導出,並且光子晶體將第二既定光波傳送至共振腔。 A semiconductor laser device comprises a waveguide structure and a photonic crystal. The waveguide structure comprises a resonance chamber generating an initial light wave and a first end. The initial light is projected to the first end of the waveguide structure to form a first predetermined light wave and a second predetermined light wave. The photonic crystal disposed on the resonance chamber guides the first predetermined light wave and transmits the second predetermined light wave to the resonance chamber.
技術摘要-中文(空)
技術摘要-英文李露蘋
聯絡人員03-59117812
電話03-5917431
傳真oralp@itri.org.tw
電子信箱http://www.patentportfolio.itri.org.tw
參考網址0
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

4923

產出年度

97

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有光子晶體之水平共振面射型半導體雷射裝置

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院創新前瞻技術研究計畫

計畫名稱

宣融 王日富 趙主立

專利發明人

中華民國

核准國家

(空)

獲證日期

I298218

證書號碼

(空)

專利期間起

(空)

專利期間訖

發明

專利性質

一種半導體雷射裝置,其包括一波導結構與一光子晶體。波導結構包括一共振腔與一第一端部,共振腔產生一初始光波,初始光波投射至第一端部而形成一第一既定光波與一第二既定光波。光子晶體設置於共振腔之上,光子晶體對於第一既定光波進行光波導而導出,並且光子晶體將第二既定光波傳送至共振腔。 A semiconductor laser device comprises a waveguide structure and a photonic crystal. The waveguide structure comprises a resonance chamber generating an initial light wave and a first end. The initial light is projected to the first end of the waveguide structure to form a first predetermined light wave and a second predetermined light wave. The photonic crystal disposed on the resonance chamber guides the first predetermined light wave and transmits the second predetermined light wave to the resonance chamber.

技術摘要-中文

(空)

技術摘要-英文

李露蘋

聯絡人員

03-59117812

電話

03-5917431

傳真

oralp@itri.org.tw

電子信箱

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

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0

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特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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彩色膽固醇型液晶顯示器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 王興龍 ,沙益安 ,廖奇璋 ,路智強 ,丁兆民, | 證書號碼: I320858

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 | 證書號碼: I321313

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

植入奈米碳管之製程方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , | 證書號碼: I321123

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 | 證書號碼: 7,904,736

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

互動式顯示系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資訊中心 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 | 證書號碼: 7,916,129

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

記憶體位址對應方法以及記憶體存取裝置與方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 王尊賢, | 證書號碼: 8194752

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

光源集光模組

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 林暉雄,楊文勛,鮑友南,丁嘉仁 | 證書號碼: DE102009001976

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

物件表面之傾斜角的偵測方法、補償方法及其系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 雷射光谷關鍵技術開發暨整合應用計畫 | 專利發明人: 楊映暉 ,陳峻明 ,鄭暉達 ,劉松河 | 證書號碼: 8,970,833

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彩色膽固醇型液晶顯示器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 王興龍 ,沙益安 ,廖奇璋 ,路智強 ,丁兆民, | 證書號碼: I320858

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透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 | 證書號碼: I321313

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植入奈米碳管之製程方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , | 證書號碼: I321123

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 | 證書號碼: 7,904,736

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互動式顯示系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資訊中心 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 | 證書號碼: 7,916,129

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記憶體位址對應方法以及記憶體存取裝置與方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 王尊賢, | 證書號碼: 8194752

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光源集光模組

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 林暉雄,楊文勛,鮑友南,丁嘉仁 | 證書號碼: DE102009001976

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物件表面之傾斜角的偵測方法、補償方法及其系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 雷射光谷關鍵技術開發暨整合應用計畫 | 專利發明人: 楊映暉 ,陳峻明 ,鄭暉達 ,劉松河 | 證書號碼: 8,970,833

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與具有光子晶體之水平共振面射型半導體雷射裝置同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 6725882

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 | 證書號碼: 198288

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 198717

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 6725882

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 | 證書號碼: 198288

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 198717

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