薄膜電晶體、有機電激發光顯示元件及其製作方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文薄膜電晶體、有機電激發光顯示元件及其製作方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是胡堂祥王怡凱顏精一林宗賢何家充, 證書號碼是I298211.

序號	4929
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	薄膜電晶體、有機電激發光顯示元件及其製作方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	胡堂祥王怡凱顏精一林宗賢何家充
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I298211
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種薄膜電晶體的製作方法，其包含下列步驟：首先，於一基板上形成一閘極；之後，於基板上形成一閘絕緣層，以覆蓋此閘極；接著，於閘絕緣層上形成一源極/汲極層，此源極/汲極層係暴露出閘極上方之部分的閘絕緣層；繼之，於源極/汲極層上形成一絕緣層，此絕緣層具有一開口，以暴露出閘極上方之部分的閘絕緣層與部分的源極/汲極層；最後，於絕緣層之開口中形成一通道層，使通道層與源極/汲極層電性連接，且通道層係由上述開口中暴露出來。 A method of fabricating a thin film transistor including the following steps is provided. A gate is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed on the substrate to cover the gate. A source/drain layer is formed on the gate insulating layer, and a part of the gate insulating layer above the gate is exposed by the source/drain layer. An insulating layer is formed on the source/drain layer and has an opening to expose a part of the gate insulating layer and a part of the source/drain layer. A channel layer is formed on the opening of the insulating layer to electrically connect to the source/drain layer, and the channel layer is exposed by the opening.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

4929

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

薄膜電晶體、有機電激發光顯示元件及其製作方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

胡堂祥王怡凱顏精一林宗賢何家充

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I298211

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種薄膜電晶體的製作方法，其包含下列步驟：首先，於一基板上形成一閘極；之後，於基板上形成一閘絕緣層，以覆蓋此閘極；接著，於閘絕緣層上形成一源極/汲極層，此源極/汲極層係暴露出閘極上方之部分的閘絕緣層；繼之，於源極/汲極層上形成一絕緣層，此絕緣層具有一開口，以暴露出閘極上方之部分的閘絕緣層與部分的源極/汲極層；最後，於絕緣層之開口中形成一通道層，使通道層與源極/汲極層電性連接，且通道層係由上述開口中暴露出來。 A method of fabricating a thin film transistor including the following steps is provided. A gate is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed on the substrate to cover the gate. A source/drain layer is formed on the gate insulating layer, and a part of the gate insulating layer above the gate is exposed by the source/drain layer. An insulating layer is formed on the source/drain layer and has an opening to expose a part of the gate insulating layer and a part of the source/drain layer. A channel layer is formed on the opening of the insulating layer to electrically connect to the source/drain layer, and the channel layer is exposed by the opening.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

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2019-07-24

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薄膜電晶體、有機電激發光顯示元件及其製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 胡堂祥 ,王怡凱 ,顏精一 ,林宗賢 ,何家充 \| 證書號碼: 7,741,163 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
薄膜電晶體、有機電激發光顯示元件及其製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 胡堂祥,王怡凱,顏精一,林宗賢,何家充 \| 證書號碼: 7,851,800 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

薄膜電晶體、有機電激發光顯示元件及其製作方法

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薄膜電晶體、有機電激發光顯示元件及其製作方法

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薄膜晶體管、有機電致發光顯示元件及其制造方法

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透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 \| 證書號碼: I321313 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
植入奈米碳管之製程方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , \| 證書號碼: I321123 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 \| 證書號碼: 7,904,736 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 \| 證書號碼: 7,916,129 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
無線環境下定位系統的新取樣點決定方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 徐銘駿, 崔文, 陳昭男 \| 證書號碼: I321928 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
通訊網路下之行動管理方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫 \| 專利發明人: 江為國, 何哲勳, 許建昌 \| 證書號碼: I321411 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏, 柯明道 \| 證書號碼: 7,692,907 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
直流偏移消除電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 高小文 \| 證書號碼: I320993 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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高高溫伸長率電解銅箔之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 \| 證書號碼: TW 192043
含細微化組織之合金靶材製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 \| 證書號碼: TW 197245
電子連接器之後端電磁遮蔽元件	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖 \| 證書號碼: US 6,705,897
具耐折性之電解銅箔的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 \| 證書號碼: TW 200903
具散熱結構之連接器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌 \| 證書號碼: TW 206075
軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 \| 證書號碼: TW 206917
廢棄晶片回收分離及純化之裝置及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 賴明雄, 溫志中, 鄭楚丕 \| 證書號碼: TW 207333
場發射顯示器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱正茂, 郭鐘亮, 張光榮, 賴詩文, 栗愛綱, 賴宏仁, 橫山明聰 \| 證書號碼: TW I224352
液晶面板及其製造方	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 鄭華琦, 溫俊祥, 吳耀庭, 鄭淑惠, 詹明香, 安川淳一, 桑原一 \| 證書號碼: 182317
具有低介電常數之高頻電路基板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 黃仕穎, 陳永志, 王先毅, 鄭龍正, 陳俊昇 \| 證書號碼: 185492
一種可增加膽固醇液晶反射波寬的方法及其應用	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆 \| 證書號碼: 6669999
有機電致發光元件	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 \| 證書號碼: 190466
有機電致發光元件	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 \| 證書號碼: 6649284
具聲波導件之吸音板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 李芳慶, 陳文華, 姜達銘, 楊宗龍 \| 證書號碼: 218521
自發配向的膽固醇液晶型增亮膜的製法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆, 吳平耀, 朱文彬 \| 證書號碼: 196478

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