用於織品及鞋具之除菌裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文用於織品及鞋具之除菌裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料所, 產出年度是98, 專利性質是新型, 計畫名稱是光電感測辨識模組與應用技術計畫, 專利發明人是張國仁、吳昆家, 證書號碼是新型第M369349號.

序號	6086
產出年度	98
領域別	(空)
專利名稱-中文	用於織品及鞋具之除菌裝置
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電感測辨識模組與應用技術計畫
專利發明人	張國仁、吳昆家
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	新型第M369349號
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	新型
技術摘要-中文	本創作係提供一種用於織品及鞋具之除菌裝置，使用一光滅菌式裝置或除濕裝置，將該些裝置設置於收納該織品及該鞋具處，以將該織品及該鞋具，例如:服飾或桌巾等等，進行滅菌或除濕，也可同時設置，對該織品可以在穿戴或使用時，可更加安全或乾爽。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張國仁
電話	03-4712201#357082
傳真	03-4711024
電子信箱	csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址	(空)
備註	20101352-Joanne
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

6086

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

用於織品及鞋具之除菌裝置

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

光電感測辨識模組與應用技術計畫

專利發明人

張國仁、吳昆家

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

新型第M369349號

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

新型

技術摘要-中文

本創作係提供一種用於織品及鞋具之除菌裝置，使用一光滅菌式裝置或除濕裝置，將該些裝置設置於收納該織品及該鞋具處，以將該織品及該鞋具，例如:服飾或桌巾等等，進行滅菌或除濕，也可同時設置，對該織品可以在穿戴或使用時，可更加安全或乾爽。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張國仁

電話

03-4712201#357082

傳真

03-4711024

電子信箱

csist_mrdc@csnet.gov.tw

參考網址

(空)

備註

20101352-Joanne

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 \| 專利發明人: 楊錫杭,張家華,葉茂勳 \| 證書號碼: 發明第I360838號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
光斑定位方法及光斑定位系統(Methodandsystemforpositioningbyusingopticalspeckle)	核准國家: 美國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 \| 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 \| 證書號碼: US8144339B2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
MBE磊晶生長太陽電池技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作波長為：可見光至紅外光 \| 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
MOCVD InN系列磊晶生長技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光 \| 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
MOCVD AlGaN系列磊晶生長技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: AlGaN Al含量 > 30%_x000D_波長 < 360 nm_x000D_ \| 潛力預估: 可應用於高功率電子元件與高速電子元件等 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
以分子束磊晶成長三五族含銦磷化物與砷化物於基板之研究	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 \| 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性，可發展整合式光電系統晶片 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
聚光型太陽光電量測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.可量測晶片尺寸10x10mm-3x3mm 2.追日角度精確度<0.5度 3.溫度量測 4.Ⅰ-Ⅴ量測 5.可進行全日日照變化對轉換效率影響 6.聚光倍率：10-700倍 \| 潛力預估: 對於CPV廠商以及晶片磊晶廠具有食用價值，可減少開發時程及經費 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
一種不變形光斑的取像裝置及方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 \| 專利發明人: 黃宜裕.馬心一.王茂燃.黃文政.黃欽德.劉光新 \| 證書號碼: 930446 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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熱性能量測系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 191653
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6663278
接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 \| 證書號碼: 200260
形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 \| 證書號碼: 6692983
可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 \| 證書號碼: 184717
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 220265
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 6769945
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 \| 證書號碼: 206590
主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 202661
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 6753655
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 \| 證書號碼: 6737303
薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源 \| 證書號碼: 189563
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲 \| 證書號碼: 200395
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲 \| 證書號碼: 6642595
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 \| 證書號碼: 188234

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專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

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核准國家

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專利期間訖

專利性質

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