磁性存儲單元結構與磁性存儲裝置
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專利名稱-中文磁性存儲單元結構與磁性存儲裝置的核准國家是中國大陸, 證書號碼是ZL200610059116.8, 專利期間起是1999/3/10, 專利期間訖是115/03/13, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是99, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是李元仁 ,洪建中 ,高明哲 ,.

序號	6596
產出年度	99
領域別	創新前瞻
專利名稱-中文	磁性存儲單元結構與磁性存儲裝置
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	李元仁 \| 洪建中 \| 高明哲
核准國家	中國大陸
獲證日期	1999/4/9
證書號碼	ZL200610059116.8
專利期間起	1999/3/10
專利期間訖	115/03/13
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種磁性記憶胞結構適用於雙態型模式存取操作的一磁性記憶裝置，包括一磁性固定疊層，做為一基層結構的一部份。一穿隧絕緣層位於該磁性固定疊層之上。一磁性自由疊層位於該穿隧絕緣層之上。一磁性偏壓疊層，位於該磁性自由疊層之上。其中，磁性偏壓疊層提供一偏壓磁場給該磁性自由疊層，以使一雙態操作區域更接近於一磁場零點。又，磁性偏壓疊層所產生的磁場作用也包括縮小鄰接於該雙態操作區域的一直接區域。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

6596

產出年度

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

磁性存儲單元結構與磁性存儲裝置

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

李元仁 | 洪建中 | 高明哲

核准國家

中國大陸

獲證日期

1999/4/9

證書號碼

ZL200610059116.8

專利期間起

1999/3/10

專利期間訖

115/03/13

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種磁性記憶胞結構適用於雙態型模式存取操作的一磁性記憶裝置，包括一磁性固定疊層，做為一基層結構的一部份。一穿隧絕緣層位於該磁性固定疊層之上。一磁性自由疊層位於該穿隧絕緣層之上。一磁性偏壓疊層，位於該磁性自由疊層之上。其中，磁性偏壓疊層提供一偏壓磁場給該磁性自由疊層，以使一雙態操作區域更接近於一磁場零點。又，磁性偏壓疊層所產生的磁場作用也包括縮小鄰接於該雙態操作區域的一直接區域。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

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高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I313457 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 , @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,463,510 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中李元仁高明哲 @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7463510 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中李元仁高明哲 @ 技術司專利資料集
提升正確率及降低拴扣型磁性隨機存取記憶體細胞元寫入電流之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,420,837 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中高明哲李元仁王連昌 @ 技術司專利資料集
提升正確率及降低拴扣型磁性隨機存取記憶體細胞元寫入電流之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7420837 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中高明哲李元仁王連昌 @ 技術司專利資料集
堆疊結構的多位元磁性記憶胞以及磁性記憶裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7577019 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 , @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中,高明哲,李元仁,王連昌, @ 技術司專利資料集
提升正確率及降低拴扣型磁性隨機存取記憶體細胞元寫入電流之方法	核准國家: 南韓 \| 證書號碼: 10-0915975 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 , @ 技術司專利資料集

高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200810211084.8 \| 專利期間起: 102/01/23 \| 專利期間訖: 117/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , @ 技術司專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,384,215 \| 專利期間起: 102/02/26 \| 專利期間訖: 120/06/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 @ 技術司專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,416,213 \| 專利期間起: 102/04/09 \| 專利期間訖: 120/03/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 @ 技術司專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 \| 專利期間起: 102/03/20 \| 專利期間訖: 116/10/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 \| 專利期間起: 102/04/03 \| 專利期間訖: 118/05/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,391,520 \| 專利期間起: 102/03/05 \| 專利期間訖: 120/12/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I402456 \| 專利期間起: 102/07/21 \| 專利期間訖: 119/03/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 @ 技術司專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,940,333 \| 專利期間起: 104/01/27 \| 專利期間訖: 116/05/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 @ 技術司專利資料集

具有自粘性高分子電解質的鋰電池及其制造方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01115531.0 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌
固態電解電容器以及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I223294 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋
電池負極材料及其製法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224404 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉茂煌, 陳金銘, 王富田, 黃國忠, 鄭季汝
以氣噴粉末製作鋁合金濺鍍靶材之方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01134646.9 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 賴明雄, 邱思議, 鄭楚丕, 溫志中
銅箔微瘤化處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 185721 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀
一種具抗菌性的不銹鋼	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 189417 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 孫道中, 于作浩
光碟薄膜用相變化靶材之回收及再利用技術	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US 6,635,219 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 溫志中, 賴明雄, 李秉璋
高高溫伸長率電解銅箔之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 192043 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲
含細微化組織之合金靶材製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 197245 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳
電子連接器之後端電磁遮蔽元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US 6,705,897 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖
具耐折性之電解銅箔的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 200903 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲
具散熱結構之連接器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 206075 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌
軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 206917 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀
廢棄晶片回收分離及純化之裝置及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 207333 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 賴明雄, 溫志中, 鄭楚丕
場發射顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW I224352 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱正茂, 郭鐘亮, 張光榮, 賴詩文, 栗愛綱, 賴宏仁, 橫山明聰

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