含有電感與電容並聯的電路元件
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專利名稱(中文)含有電感與電容並聯的電路元件的核准國家是中國大陸, 執行單位是工研院資通所, 產出年度是100, 專利性質是發明, 計畫名稱是新世代行動通訊技術發展計畫, 專利發明人是李明緯,王錦荔, 證書號碼是ZL200810088659.1.

序號8458
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱(中文)含有電感與電容並聯的電路元件
執行單位工研院資通所
產出單位工研院資通所
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
專利發明人李明緯,王錦荔
核准國家中國大陸
獲證日期100/11/17
證書號碼ZL200810088659.1
專利期間起100/10/12
專利期間訖117/04/09
專利性質發明
技術摘要(中文)一種含有電感與電容並聯的電路元件,包括一平面型電感,內埋於一絕緣材料層中,其中平面型電感有一環繞線部,一第一連接端與一第二連接端。第一連接端與第二連接端位於不同高度,且有一重疊區域。一電容介電層位於第一連接端與第二連接端之間的該重疊區域內,與第一連接端及第二連接端構成一電容。
技術摘要(英文)(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-01-05

序號

8458

產出年度

100

領域別

電資通光

專利名稱(中文)

含有電感與電容並聯的電路元件

執行單位

工研院資通所

產出單位

工研院資通所

計畫名稱

新世代行動通訊技術發展計畫

專利發明人

李明緯,王錦荔

核准國家

中國大陸

獲證日期

100/11/17

證書號碼

ZL200810088659.1

專利期間起

100/10/12

專利期間訖

117/04/09

專利性質

發明

技術摘要(中文)

一種含有電感與電容並聯的電路元件,包括一平面型電感,內埋於一絕緣材料層中,其中平面型電感有一環繞線部,一第一連接端與一第二連接端。第一連接端與第二連接端位於不同高度,且有一重疊區域。一電容介電層位於第一連接端與第二連接端之間的該重疊區域內,與第一連接端及第二連接端構成一電容。

技術摘要(英文)

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-01-05

與含有電感與電容並聯的電路元件同分類的經濟部技術處–專利資料集

一種全彩化發光二極體裝置及製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 彭遠清, 陳建志 | 證書號碼: 6730937

調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 | 證書號碼: 190460

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 190469

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 6680755

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 3522705

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 190470

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 6778161

矽單晶液晶顯示器及製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖 | 證書號碼: 6721027

簡易式塊狀彈性體的製程方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 | 證書號碼: 6605525

蝕刻玻璃面板之裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 | 證書號碼: 6673195

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 184692

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 6714268

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 191581

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 6677189

薄膜電晶體面板的製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 李啟聖, 張鈞傑 | 證書號碼: 6713328

一種全彩化發光二極體裝置及製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 彭遠清, 陳建志 | 證書號碼: 6730937

調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 | 證書號碼: 190460

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 190469

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 6680755

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 3522705

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 190470

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 6778161

矽單晶液晶顯示器及製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖 | 證書號碼: 6721027

簡易式塊狀彈性體的製程方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 | 證書號碼: 6605525

蝕刻玻璃面板之裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 | 證書號碼: 6673195

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 184692

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 6714268

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 191581

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 6677189

薄膜電晶體面板的製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 李啟聖, 張鈞傑 | 證書號碼: 6713328

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