多晶矽薄膜的形成方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文多晶矽薄膜的形成方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I348730, 專利期間起是100/09/11, 專利期間訖是116/07/16, 專利性質是發明, 執行單位是工研院顯示中心, 產出年度是100, 計畫名稱是新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫, 專利發明人是曾志遠,彭逸軒,葉永輝,黃俊杰,蔡政儒,.

序號	8680
產出年度	100
領域別	電資通光
專利名稱-中文	多晶矽薄膜的形成方法
執行單位	工研院顯示中心
產出單位	工研院顯示中心
計畫名稱	新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫
專利發明人	曾志遠 \| 彭逸軒 \| 葉永輝 \| 黃俊杰 \| 蔡政儒
核准國家	中華民國
獲證日期	100/09/21
證書號碼	I348730
專利期間起	100/09/11
專利期間訖	116/07/16
專利性質	發明
技術摘要-中文	新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	廖素珍
電話	03-5916501
傳真	03-5920467
電子信箱	suchenliao@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

8680

產出年度

100

領域別

電資通光

專利名稱-中文

多晶矽薄膜的形成方法

執行單位

工研院顯示中心

產出單位

工研院顯示中心

計畫名稱

新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫

專利發明人

曾志遠 | 彭逸軒 | 葉永輝 | 黃俊杰 | 蔡政儒

核准國家

中華民國

獲證日期

100/09/21

證書號碼

I348730

專利期間起

100/09/11

專利期間訖

116/07/16

專利性質

發明

技術摘要-中文

新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

廖素珍

電話

03-5916501

傳真

03-5920467

電子信箱

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多晶矽薄膜的形成方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,939,434 \| 專利期間起: 100/05/10 \| 專利期間訖: 117/09/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 曾志遠 \| 彭逸軒 \| 葉永輝 \| 黃俊杰 \| 蔡政儒 @ 技術司專利資料集
多晶矽薄膜的形成方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7939434 \| 專利期間起: 100/05/10 \| 專利期間訖: 117/09/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 曾志遠 \| 彭逸軒 \| 葉永輝 \| 黃俊杰 \| 蔡政儒 @ 技術司專利資料集

多晶矽薄膜的形成方法

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三極場發射顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,531 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 116/07/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 林炳南 \| 李正中 \| 張悠揚 \| 林偉義 @ 技術司專利資料集
列印資料處理裝置及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,637,578 \| 專利期間起: 98/12/29 \| 專利期間訖: 117/07/07 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 張家銘 \| 鄭兆凱 \| 林智堅 \| 邱至軒 @ 技術司專利資料集
步階式充放電之低功率液晶顯示器的驅動電路及其驅動方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4702725 \| 專利期間起: 100/03/18 \| 專利期間訖: 109/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳尚立 \| 易建宇 @ 技術司專利資料集
半反射半穿透液晶顯示器及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,089,595 \| 專利期間起: 101/01/03 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 \| 專利發明人: 陳中豪 \| 廖奇璋 \| 沙益安 @ 技術司專利資料集
彩色膽固醇液晶顯示器裝置以及其驅動方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I368077 \| 專利期間起: 101/07/11 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 \| 專利發明人: 李達為 \| 胥智文 \| 沙益安 \| 張郁培 @ 技術司專利資料集
電子元件裝置及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I370933 \| 專利期間起: 101/08/21 \| 專利期間訖: 117/03/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 \| 專利發明人: 廖貞慧 \| 詹立雄 \| 彭智平 \| 賴詩文 @ 技術司專利資料集
電晶體陣列下板	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I360011 \| 專利期間起: 101/03/11 \| 專利期間訖: 117/10/08 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 \| 專利發明人: 林政偉 \| 何金原 \| 黃彥士 @ 技術司專利資料集
半反射半穿透液晶顯示器及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8089595 \| 專利期間起: 101/01/03 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 \| 專利發明人: 陳中豪 \| 廖奇璋 \| 沙益安 @ 技術司專利資料集

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一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220265 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚 \| 鄭華琦 \| 許志榮 \| 趙慶勳 \| 陳光中
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6769945 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚 \| 鄭華琦 \| 許志榮 \| 趙慶勳 \| 陳光中
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主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202661 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 陳建儒
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6753655 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 陳建儒
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6737303 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆 \| 周維揚 \| 許財源 \| 王右武 \| 何家充 \| 廖奇璋
薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189563 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆 \| 王右武 \| 趙慶勳 \| 李正中 \| 許財源
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200395 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6642595 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188234 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹 \| 鍾震桂 \| 陳世輝
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6663214 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹 \| 鍾震桂 \| 陳世輝
積體化流體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189552 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 林俊仁
電磁驅動光開關及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191670 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 盧慧娟 \| 李新立 \| 張文陽 \| 李政鴻
應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206522 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 歐政隆 \| 李宗昇
可撓性之光電傳輸匯流排	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206592 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈里正 \| 陳有志 \| 張恕銘 \| 柯志祥

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執行單位

產出單位

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