磁性記憶體結構及操作方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文磁性記憶體結構及操作方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I366929, 專利期間起是101/06/21, 專利期間訖是118/10/19, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是101, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是蔡慶祥,沈桂弘,洪建中.

序號9495
產出年度101
領域別創新前瞻
專利名稱-中文磁性記憶體結構及操作方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡慶祥 | 沈桂弘 | 洪建中
核准國家中華民國
獲證日期101/07/19
證書號碼I366929
專利期間起101/06/21
專利期間訖118/10/19
專利性質發明
技術摘要-中文一種磁性記憶體結構,包括一記憶軌道,具有連續的多個磁區,每一個該磁區有一位元的記憶容量。又,一第一磁壁注入層與該記憶軌道的一端點交叉連接,且固定儲存一第一位元資料。一第二磁壁注入層相對於該第一磁壁注入層與該記憶軌道的該端點交叉連接,且固定儲存與該第一位元資料相異的一第二位元資料。第一磁壁注入層與第二磁壁注入層的其一與記憶軌道之間構成一磁壁。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱noralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

9495

產出年度

101

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

磁性記憶體結構及操作方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院院本部

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

蔡慶祥 | 沈桂弘 | 洪建中

核准國家

中華民國

獲證日期

101/07/19

證書號碼

I366929

專利期間起

101/06/21

專利期間訖

118/10/19

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種磁性記憶體結構,包括一記憶軌道,具有連續的多個磁區,每一個該磁區有一位元的記憶容量。又,一第一磁壁注入層與該記憶軌道的一端點交叉連接,且固定儲存一第一位元資料。一第二磁壁注入層相對於該第一磁壁注入層與該記憶軌道的該端點交叉連接,且固定儲存與該第一位元資料相異的一第二位元資料。第一磁壁注入層與第二磁壁注入層的其一與記憶軌道之間構成一磁壁。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

根據識別碼 I366929 找到的相關資料

無其他 I366929 資料。

[ 搜尋所有 I366929 ... ]

根據名稱 磁性記憶體結構及操作方法 找到的相關資料

磁性記憶體結構及操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8130531 | 專利期間起: 101/03/06 | 專利期間訖: 119/10/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 沈桂弘 | 洪建中

@ 技術司專利資料集

磁性記憶體結構及操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8130531 | 專利期間起: 101/03/06 | 專利期間訖: 119/10/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 沈桂弘 | 洪建中

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 磁性記憶體結構及操作方法 ... ]

根據姓名 蔡慶祥 沈桂弘 洪建中 找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 蔡慶祥 沈桂弘 洪建中 ...)

磁性移位暫存記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I366824 | 專利期間起: 101/06/21 | 專利期間訖: 118/12/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘 | 蔡慶祥

@ 技術司專利資料集

磁性移位暫存記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8164939 | 專利期間起: 101/04/24 | 專利期間訖: 119/09/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘 | 蔡慶祥

@ 技術司專利資料集

磁性移位暫存記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I366824 | 專利期間起: 101/06/21 | 專利期間訖: 118/12/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘 | 蔡慶祥

@ 技術司專利資料集

磁性移位暫存記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8164939 | 專利期間起: 101/04/24 | 專利期間訖: 119/09/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘 | 蔡慶祥

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 蔡慶祥 沈桂弘 洪建中 ... ]

根據電話 03-5917812 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5917812 ...)

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 劉昌和

@ 技術司專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 | 莊敬業 | 林育民

@ 技術司專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 | 葉紹興

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 | 許詔開

@ 技術司專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發 | 張學曾 | 陳進富 | 張原嘉 | 甘霈 | 林才祐

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 劉昌和

@ 技術司專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 | 莊敬業 | 林育民

@ 技術司專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 | 葉紹興

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 | 許詔開

@ 技術司專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發 | 張學曾 | 陳進富 | 張原嘉 | 甘霈 | 林才祐

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 03-5917812 ... ]

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:


與磁性記憶體結構及操作方法同分類的技術司專利資料集

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 187289 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明 | 翁逸君 | 廖奇璋

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6773870 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明 | 翁逸君 | 廖奇璋

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒 | 陳尚立 | 施俊任

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200381 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文 | 蔡晴翔 | 吳清沂

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206462 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6806929 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220733 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥 | 范榮昌 | 劉君愷

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6808323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰 | 劉君愷 | 周意工

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190623 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維 | 盧威華 | 呂芳俊

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184711 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊 | 盧思維 | 樓百堯

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202493 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武 | 李鈞道 | 李正中

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6682311 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強 | 吳得群 | 郭遠峰 | 黃士豪

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184703 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6617264 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191653 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 187289 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明 | 翁逸君 | 廖奇璋

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6773870 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明 | 翁逸君 | 廖奇璋

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒 | 陳尚立 | 施俊任

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200381 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文 | 蔡晴翔 | 吳清沂

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206462 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6806929 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220733 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥 | 范榮昌 | 劉君愷

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6808323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰 | 劉君愷 | 周意工

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190623 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維 | 盧威華 | 呂芳俊

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184711 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊 | 盧思維 | 樓百堯

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202493 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武 | 李鈞道 | 李正中

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6682311 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強 | 吳得群 | 郭遠峰 | 黃士豪

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184703 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6617264 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191653 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

 |