磁性移位暫存記憶體
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專利名稱-中文磁性移位暫存記憶體的核准國家是中華民國, 證書號碼是I366824, 專利期間起是101/06/21, 專利期間訖是118/12/28, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是101, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是洪建中,沈桂弘,蔡慶祥.

序號9498
產出年度101
領域別創新前瞻
專利名稱-中文磁性移位暫存記憶體
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人洪建中 | 沈桂弘 | 蔡慶祥
核准國家中華民國
獲證日期101/07/19
證書號碼I366824
專利期間起101/06/21
專利期間訖118/12/28
專利性質發明
技術摘要-中文一種磁性移位暫存記憶體包括一磁性軌道與一參考磁區。磁性軌道上有多個磁區。每一個磁區可以儲存一個位元資料。在該些磁區的一端設定有一第一資料注入磁區,儲存一第一資料,以及一第二資料注入磁區設置於該第一資料注入磁區附近。參考磁區對應第二資料注入磁區,設置在磁性軌道的一側邊,儲存一第二資料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱noralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

9498

產出年度

101

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

磁性移位暫存記憶體

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院院本部

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

洪建中 | 沈桂弘 | 蔡慶祥

核准國家

中華民國

獲證日期

101/07/19

證書號碼

I366824

專利期間起

101/06/21

專利期間訖

118/12/28

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種磁性移位暫存記憶體包括一磁性軌道與一參考磁區。磁性軌道上有多個磁區。每一個磁區可以儲存一個位元資料。在該些磁區的一端設定有一第一資料注入磁區,儲存一第一資料,以及一第二資料注入磁區設置於該第一資料注入磁區附近。參考磁區對應第二資料注入磁區,設置在磁性軌道的一側邊,儲存一第二資料。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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堆疊式磁性移位暫存記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I428914 | 專利期間起: 118/06/28 | 專利期間訖: 一種堆疊式磁性移位暫存記憶體包含多層磁性移位暫存記憶層,構成一堆疊結構單元。每一個磁性移位暫存記憶層有多個磁區,每一個磁區有一磁化方向對應一儲存資料。相鄰二個磁性移位暫存記憶層分別有一上磁區與一下磁區... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 洪建中

@ 技術司專利資料集

堆疊式磁性移位暫存記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8279653 | 專利期間起: 101/10/02 | 專利期間訖: 119/09/27 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 洪建中

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磁性移位暫存記憶體以及操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,872,896 | 專利期間起: 100/01/18 | 專利期間訖: 118/04/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中

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磁性移位暫存記憶體以及操作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I416529 | 專利期間起: 102/11/21 | 專利期間訖: 117/09/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中

@ 技術司專利資料集

磁性移位暫存記憶體以及操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7872896 | 專利期間起: 100/01/18 | 專利期間訖: 118/04/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中

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磁性移位暫存存儲器及其操作方法和架構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810174614.6 | 專利期間起: 102/02/27 | 專利期間訖: 117/10/27 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中

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磁性移位暫存記憶體以及資料存取方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7843719 | 專利期間起: 1999/11/30 | 專利期間訖: 118/06/24 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘

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磁性移位暫存記憶體以及資料存取方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I338898 | 專利期間起: 100/03/11 | 專利期間訖: 117/11/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘

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堆疊式磁性移位暫存記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I428914 | 專利期間起: 118/06/28 | 專利期間訖: 一種堆疊式磁性移位暫存記憶體包含多層磁性移位暫存記憶層,構成一堆疊結構單元。每一個磁性移位暫存記憶層有多個磁區,每一個磁區有一磁化方向對應一儲存資料。相鄰二個磁性移位暫存記憶層分別有一上磁區與一下磁區... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 洪建中

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堆疊式磁性移位暫存記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8279653 | 專利期間起: 101/10/02 | 專利期間訖: 119/09/27 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 洪建中

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磁性移位暫存記憶體以及操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,872,896 | 專利期間起: 100/01/18 | 專利期間訖: 118/04/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中

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磁性移位暫存記憶體以及操作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I416529 | 專利期間起: 102/11/21 | 專利期間訖: 117/09/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中

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磁性移位暫存記憶體以及操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7872896 | 專利期間起: 100/01/18 | 專利期間訖: 118/04/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中

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磁性移位暫存存儲器及其操作方法和架構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810174614.6 | 專利期間起: 102/02/27 | 專利期間訖: 117/10/27 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中

@ 技術司專利資料集

磁性移位暫存記憶體以及資料存取方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7843719 | 專利期間起: 1999/11/30 | 專利期間訖: 118/06/24 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘

@ 技術司專利資料集

磁性移位暫存記憶體以及資料存取方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I338898 | 專利期間起: 100/03/11 | 專利期間訖: 117/11/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘

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磁性記憶體結構及操作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I366929 | 專利期間起: 101/06/21 | 專利期間訖: 118/10/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 沈桂弘 | 洪建中

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磁性記憶體結構及操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8130531 | 專利期間起: 101/03/06 | 專利期間訖: 119/10/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 沈桂弘 | 洪建中

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磁性移位暫存記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8164939 | 專利期間起: 101/04/24 | 專利期間訖: 119/09/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘 | 蔡慶祥

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磁性記憶體結構及操作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I366929 | 專利期間起: 101/06/21 | 專利期間訖: 118/10/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 沈桂弘 | 洪建中

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磁性記憶體結構及操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8130531 | 專利期間起: 101/03/06 | 專利期間訖: 119/10/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 蔡慶祥 | 沈桂弘 | 洪建中

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磁性移位暫存記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8164939 | 專利期間起: 101/04/24 | 專利期間訖: 119/09/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 沈桂弘 | 蔡慶祥

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 劉昌和

@ 技術司專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 | 莊敬業 | 林育民

@ 技術司專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 | 葉紹興

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 | 許詔開

@ 技術司專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發 | 張學曾 | 陳進富 | 張原嘉 | 甘霈 | 林才祐

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 劉昌和

@ 技術司專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 | 莊敬業 | 林育民

@ 技術司專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 | 葉紹興

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 | 許詔開

@ 技術司專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發 | 張學曾 | 陳進富 | 張原嘉 | 甘霈 | 林才祐

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利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

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電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒 | 陳尚立 | 施俊任

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200381 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文 | 蔡晴翔 | 吳清沂

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206462 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6806929 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220733 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥 | 范榮昌 | 劉君愷

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6808323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰 | 劉君愷 | 周意工

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190623 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維 | 盧威華 | 呂芳俊

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184711 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊 | 盧思維 | 樓百堯

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202493 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武 | 李鈞道 | 李正中

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6682311 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強 | 吳得群 | 郭遠峰 | 黃士豪

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184703 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6617264 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191653 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663278 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6773870 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明 | 翁逸君 | 廖奇璋

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒 | 陳尚立 | 施俊任

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200381 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文 | 蔡晴翔 | 吳清沂

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206462 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6806929 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220733 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥 | 范榮昌 | 劉君愷

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6808323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰 | 劉君愷 | 周意工

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190623 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維 | 盧威華 | 呂芳俊

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184711 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊 | 盧思維 | 樓百堯

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202493 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武 | 李鈞道 | 李正中

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6682311 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強 | 吳得群 | 郭遠峰 | 黃士豪

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184703 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6617264 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191653 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663278 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

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