類鑽碳複合膜層結構材料及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文類鑽碳複合膜層結構材料及其製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I372111, 專利期間起是101/09/11, 專利期間訖是116/12/27, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材化所, 產出年度是101, 計畫名稱是行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫, 專利發明人是呂明生,吳金寶,張嘉珍,.

序號	10283
產出年度	101
領域別	電資通光
專利名稱-中文	類鑽碳複合膜層結構材料及其製造方法
執行單位	工研院材化所
產出單位	工研院材化所
計畫名稱	行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫
專利發明人	呂明生 \| 吳金寶 \| 張嘉珍
核准國家	中華民國
獲證日期	101/10/05
證書號碼	I372111
專利期間起	101/09/11
專利期間訖	116/12/27
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種類鑽碳複合膜層結構材料，包括：由一層金屬層、一層第一金屬氮化物層與一層類鑽碳薄膜所組成的一複合材料，其中金屬層包括鋁(Al)、銅(Cu)、鋯(Zr)、鎳(Ni)或釩(V)，而第一金屬氮化物層包括氮化鋁(Al-N)、氮化鋯(Zr-N)、氮化釩(V-N)或氮化鎳(Ni-N)。上述類鑽碳複合膜層結構材料中的類鑽碳薄膜具有高品質之四面體非晶碳(ta-C)結構，其中sp3(C-C)鍵結比例大於30%以上，適用於各類機械、化學、電學、光電以及熱傳等領域工件應用。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

10283

產出年度

101

領域別

電資通光

專利名稱-中文

類鑽碳複合膜層結構材料及其製造方法

執行單位

工研院材化所

產出單位

工研院材化所

計畫名稱

行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫

專利發明人

呂明生 | 吳金寶 | 張嘉珍

核准國家

中華民國

獲證日期

101/10/05

證書號碼

I372111

專利期間起

101/09/11

專利期間訖

116/12/27

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種類鑽碳複合膜層結構材料，包括：由一層金屬層、一層第一金屬氮化物層與一層類鑽碳薄膜所組成的一複合材料，其中金屬層包括鋁(Al)、銅(Cu)、鋯(Zr)、鎳(Ni)或釩(V)，而第一金屬氮化物層包括氮化鋁(Al-N)、氮化鋯(Zr-N)、氮化釩(V-N)或氮化鎳(Ni-N)。上述類鑽碳複合膜層結構材料中的類鑽碳薄膜具有高品質之四面體非晶碳(ta-C)結構，其中sp3(C-C)鍵結比例大於30%以上，適用於各類機械、化學、電學、光電以及熱傳等領域工件應用。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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類鑽碳複合膜層結構材料及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,816,011 \| 專利期間起: 99/10/19 \| 專利期間訖: 117/07/18 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 專利發明人: 呂明生 ,吳金寶 ,張嘉珍 , @ 技術司專利資料集
類鑽碳複合膜層結構材料及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7816011 \| 專利期間起: 1999/10/19 \| 專利期間訖: 117/07/18 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 專利發明人: 呂明生 ,吳金寶 ,張嘉珍 , @ 技術司專利資料集

類鑽碳複合膜層結構材料及其製造方法

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受保護的活性金屬電極及具有此電極的元件

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揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200810211084.8 \| 專利期間起: 102/01/23 \| 專利期間訖: 117/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , @ 技術司專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,384,215 \| 專利期間起: 102/02/26 \| 專利期間訖: 120/06/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 @ 技術司專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,416,213 \| 專利期間起: 102/04/09 \| 專利期間訖: 120/03/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 @ 技術司專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 \| 專利期間起: 102/03/20 \| 專利期間訖: 116/10/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 \| 專利期間起: 102/04/03 \| 專利期間訖: 118/05/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,391,520 \| 專利期間起: 102/03/05 \| 專利期間訖: 120/12/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I402456 \| 專利期間起: 102/07/21 \| 專利期間訖: 119/03/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 @ 技術司專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,940,333 \| 專利期間起: 104/01/27 \| 專利期間訖: 116/05/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 @ 技術司專利資料集

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移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220255 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192543 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202861 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言
有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200178 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋
直下式背光模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200905 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198431 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6757189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘
改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189045 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮
多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189620 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹
低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196530 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹
具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206597 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強
靜電式驅動之微繼電器及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198718 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡
形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198717 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑
自組裝奈米導電凸塊及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200159 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 汪若蕙, 陳裕華
貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200277 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥, 李啟聖, 黃順發, 張榮芳, 許財源, 胡文智, 王亮棠

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執行單位

產出單位

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