以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法
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專利名稱-中文以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法的核准國家是中華民國, 證書號碼是發明第I360838號, 專利期間起是101/03/21, 專利期間訖是117/06/29, 專利性質是發明, 執行單位是中科院材料所, 產出年度是101, 計畫名稱是光電半導體元件與系統應用關鍵計畫, 專利發明人是楊錫杭,張家華,葉茂勳.

序號	10418
產出年度	101
領域別	電資通光
專利名稱-中文	以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法
執行單位	中科院材料所
產出單位	中科院五所
計畫名稱	光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
專利發明人	楊錫杭 \| 張家華 \| 葉茂勳
核准國家	中華民國
獲證日期	101/03/21
證書號碼	發明第I360838號
專利期間起	101/03/21
專利期間訖	117/06/29
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係有關一種以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法，其兼具可以單一光罩製作不同的微結構、製程簡單且尺寸穩定、可縮短製程並降低製作成本、與應用範圍廣泛等優點及功效。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	林家慶
電話	03-4712201#357082
傳真	03-4711024
電子信箱	blackgodlin@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

10418

產出年度

101

領域別

電資通光

專利名稱-中文

以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法

執行單位

中科院材料所

產出單位

中科院五所

計畫名稱

光電半導體元件與系統應用關鍵計畫

專利發明人

楊錫杭 | 張家華 | 葉茂勳

核准國家

中華民國

獲證日期

101/03/21

證書號碼

發明第I360838號

專利期間起

101/03/21

專利期間訖

117/06/29

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係有關一種以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法，其兼具可以單一光罩製作不同的微結構、製程簡單且尺寸穩定、可縮短製程並降低製作成本、與應用範圍廣泛等優點及功效。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

林家慶

電話

03-4712201#357082

傳真

03-4711024

電子信箱

blackgodlin@yahoo.com.tw

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光斑定位方法及光斑定位系統(Methodandsystemforpositioningbyusingopticalspeckle)	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US8144339B2 \| 專利期間起: 1998/12/10 \| 專利期間訖: 119/09/08 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 \| 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 @ 技術司專利資料集
MBE磊晶生長太陽電池技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作波長為：可見光至紅外光 \| 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池 @ 技術司可移轉技術資料集
MOCVD InN系列磊晶生長技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光 \| 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池 @ 技術司可移轉技術資料集
MOCVD AlGaN系列磊晶生長技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: AlGaN Al含量 > 30%_x000D_波長 < 360 nm_x000D_ \| 潛力預估: 可應用於高功率電子元件與高速電子元件等 @ 技術司可移轉技術資料集
以分子束磊晶成長三五族含銦磷化物與砷化物於基板之研究	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 \| 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性，可發展整合式光電系統晶片 @ 技術司可移轉技術資料集
聚光型太陽光電量測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.可量測晶片尺寸10x10mm-3x3mm 2.追日角度精確度 \| 潛力預估: 對於CPV廠商以及晶片磊晶廠具有食用價值，可減少開發時程及經費 @ 技術司可移轉技術資料集
用於織品及鞋具之除菌裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 新型第M369349號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 \| 專利發明人: 張國仁 \| 吳昆家 @ 技術司專利資料集
一種不變形光斑的取像裝置及方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 930446 \| 專利期間起: 101/04/11 \| 專利期間訖: 119/12/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 \| 專利發明人: 黃宜裕.馬心一.王茂燃.黃文政.黃欽德.劉光新 @ 技術司專利資料集

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Sample injection device for gas chromatography	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US 6,718,817 B1 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 專利發明人: 柯賢文 \| 李文雄 \| 王富祥 \| 邱宗蔚
可程控電容式微泵浦	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195367 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 專利發明人: 楊聲震 \| 吳憲明 \| 郭飛虎 \| 陳順林 \| 楊貴朱 \| 王政揚
微加工無閥磁流動力微幫浦	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 217793 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 專利發明人: 康德人 \| 黃科志 \| 吳憲明 \| 郭飛虎 \| 陳順林
近場光學讀寫系統的跟蹤誤差檢測方法與裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00103540.1 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 喬作文 \| 吳國瑞 \| 黃得瑞
生醫晶片檢測裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220926 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 朱朝居 \| 黃得瑞 \| 楊子平
生物芯片的訊號檢測方法與裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00130065.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 朱朝居 \| 黃得瑞 \| 楊子平 \| 李耀裕 \| 陳錦森
卡匣活動扇門之開啟裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,643,242 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃安穎 \| 柯朝元
導線懸吊型制動器之結構與電流路徑配置方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,714,491 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 柯朝元 \| 魏立鼎 \| 何明風
複合透鏡的制作方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL99118515.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 郭孟鑫 \| 韓偉國
通用型數字影音錄放裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00118357.5 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳國瑞 \| 桂清平 \| 黃得瑞 \| 喬作文 \| 陳傳章
具有多層記錄層的光碟片的製作方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL99111450.7 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃得瑞 \| 蔣東堯 \| 鄭尊仁 \| 應台發 \| 林耕華
可擦拭之光學記錄材料	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189318 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳至原 \| 莊永欽 \| 蔣東堯 \| 鄭尊仁 \| 姚永德 \| 黃得瑞 \| 陳雲嬌 \| 顏文信
以旋鍍模壓方式製作多層光學記錄媒體的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00109085.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃得瑞
多層光信息記錄載體的製造方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00130277.9 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 廖文毅 \| 黃得瑞 \| 鄭尊仁 \| 黃建喨 \| 楊惠雯 \| 顏伯甫
多層光資訊記錄載體的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192474 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 廖文毅 \| 黃得瑞 \| 鄭尊仁 \| 黃建喨 \| 楊惠雯 \| 顏伯甫

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