專利名稱-中文高靈敏度指控滑板裝置(MovableTouchpadwithHighSensitivity)的核准國家是美國, 證書號碼是US8125499B2, 專利期間起是1998/12/16, 專利期間訖是119/10/26, 專利性質是發明, 執行單位是中科院材料所, 產出年度是101, 計畫名稱是光電半導體元件與系統應用關鍵計畫, 專利發明人是黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃.
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| 核准國家: 美國 | 證書號碼: US008125449B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: US008125449B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: @ 技術司專利資料集 |
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| 核准國家: 歐盟 | 證書號碼: 2336715 | 專利期間起: 119/11/24 | 專利期間訖: 光斑定位方法及光斑定位系統 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕 | 廖志明 | 黃欽德 | 馬心一 | 江廷尉 | 陳君豪 | 黃文政 | 王茂燃 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: US8144339B2 | 專利期間起: 1998/12/10 | 專利期間訖: 119/09/08 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 日本 | 證書號碼: 5106521 | 專利期間起: 1998/12/10 | 專利期間訖: 118/12/10 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 歐盟 | 證書號碼: 2336715 | 專利期間起: 119/11/24 | 專利期間訖: 光斑定位方法及光斑定位系統 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕 | 廖志明 | 黃欽德 | 馬心一 | 江廷尉 | 陳君豪 | 黃文政 | 王茂燃 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: US8144339B2 | 專利期間起: 1998/12/10 | 專利期間訖: 119/09/08 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 日本 | 證書號碼: 5106521 | 專利期間起: 1998/12/10 | 專利期間訖: 118/12/10 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 @ 技術司專利資料集 |
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| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第I360838號 | 專利期間起: 101/03/21 | 專利期間訖: 117/06/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 楊錫杭 | 張家華 | 葉茂勳 @ 技術司專利資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作波長為:可見光至紅外光 | 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光 | 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN Al含量 > 30%_x000D_波長 < 360 nm_x000D_ | 潛力預估: 可應用於高功率電子元件與高速電子元件等 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 | 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性,可發展整合式光電系統晶片 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.可量測晶片尺寸10x10mm-3x3mm 2.追日角度精確度 | 潛力預估: 對於CPV廠商以及晶片磊晶廠具有食用價值,可減少開發時程及經費 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 新型第M369349號 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | 專利發明人: 張國仁 | 吳昆家 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第I360838號 | 專利期間起: 101/03/21 | 專利期間訖: 117/06/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 楊錫杭 | 張家華 | 葉茂勳 @ 技術司專利資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作波長為:可見光至紅外光 | 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光 | 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN Al含量 > 30%_x000D_波長 < 360 nm_x000D_ | 潛力預估: 可應用於高功率電子元件與高速電子元件等 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 | 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性,可發展整合式光電系統晶片 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.可量測晶片尺寸10x10mm-3x3mm 2.追日角度精確度 | 潛力預估: 對於CPV廠商以及晶片磊晶廠具有食用價值,可減少開發時程及經費 @ 技術司可移轉技術資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 新型第M369349號 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | 專利發明人: 張國仁 | 吳昆家 @ 技術司專利資料集 |
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| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201861 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達 | 曾光宏 | 侯信男 | 黃仁隆 | 曾界彰 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 204712 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順 | 古嘉琳 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 224033 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達 | 曾光宏 | 曾界彰 | 吳隆佃 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 242619 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順 | 仲之豪 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 638372 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順 | 仲之豪 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 203561 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張 桓 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223674 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健 | 楊玉森 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 205882 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬二次加工自動化系統技術四年計畫 | 專利發明人: 黃華銘 | 薛博文 | 林勢敏 | 孫義偉 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 186640 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬二次加工自動化系統技術四年計畫 | 專利發明人: 柯博文 | 郭子禎 | 謝幼安 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 225147 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬二次加工自動化系統技術四年計畫 | 專利發明人: 呂英誠 | 葉光明 | 洪全成 | 薛博文 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第200931號 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 曾誠齊 | 陳義龍 | 柯逢年 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第203510號 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 陳基旺 | 柯逢年 |
| 核准國家: 美國分割案一 | 證書號碼: US6911222B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 柯逢年 | 韓玉鳳 | 劉正格 | 陳品方 |
| 核准國家: 美國分割案 | 證書號碼: US 6,800,304 B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 柯逢年 | 石謙仁 | 林哲毅 | 吳佩琪 | 鄭模池 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第 I222357號 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 柯逢年 | 石謙仁 | 林哲毅 | 吳佩琪 | 鄭模池 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201861 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達 | 曾光宏 | 侯信男 | 黃仁隆 | 曾界彰 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 204712 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順 | 古嘉琳 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 224033 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達 | 曾光宏 | 曾界彰 | 吳隆佃 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 242619 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順 | 仲之豪 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 638372 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順 | 仲之豪 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 203561 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張 桓 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223674 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健 | 楊玉森 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 205882 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬二次加工自動化系統技術四年計畫 | 專利發明人: 黃華銘 | 薛博文 | 林勢敏 | 孫義偉 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 186640 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬二次加工自動化系統技術四年計畫 | 專利發明人: 柯博文 | 郭子禎 | 謝幼安 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 225147 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬二次加工自動化系統技術四年計畫 | 專利發明人: 呂英誠 | 葉光明 | 洪全成 | 薛博文 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第200931號 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 曾誠齊 | 陳義龍 | 柯逢年 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第203510號 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 陳基旺 | 柯逢年 |
核准國家: 美國分割案一 | 證書號碼: US6911222B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 柯逢年 | 韓玉鳳 | 劉正格 | 陳品方 |
核准國家: 美國分割案 | 證書號碼: US 6,800,304 B2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 柯逢年 | 石謙仁 | 林哲毅 | 吳佩琪 | 鄭模池 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 發明第 I222357號 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 藥技中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 提升傳統中草藥產業研發技術四年計畫 | 專利發明人: 柯逢年 | 石謙仁 | 林哲毅 | 吳佩琪 | 鄭模池 |
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