觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法
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專利名稱-中文觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法的核准國家是中國大陸, 執行單位是工研院南分院, 產出年度是101, 專利性質是發明, 計畫名稱是南部新興產業發展關鍵技術計畫, 專利發明人是葉紹興,郭乃豪,沈煜棠, 證書號碼是ZL201010223129.0.

序號10729
產出年度101
領域別機械運輸
專利名稱-中文觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法
執行單位工研院南分院
產出單位工研院南分院
計畫名稱南部新興產業發展關鍵技術計畫
專利發明人葉紹興,郭乃豪,沈煜棠
核准國家中國大陸
獲證日期101/11/15
證書號碼ZL201010223129.0
專利期間起101/10/10
專利期間訖119/07/11
專利性質發明
技術摘要-中文一種觸壓裝置、透明掃描電極及其幾何電極結構製造方法。透明掃描電極結構包括第一透明掃描電極、第二透明掃描電極及絕緣層。第一透明掃描電極包括低電阻區及高電阻區。高電阻區之電阻值係大於低電阻區。絕緣層係位於第一透明掃描電極及第二透明掃描電極之間。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

10729

產出年度

101

領域別

機械運輸

專利名稱-中文

觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

執行單位

工研院南分院

產出單位

工研院南分院

計畫名稱

南部新興產業發展關鍵技術計畫

專利發明人

葉紹興,郭乃豪,沈煜棠

核准國家

中國大陸

獲證日期

101/11/15

證書號碼

ZL201010223129.0

專利期間起

101/10/10

專利期間訖

119/07/11

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種觸壓裝置、透明掃描電極及其幾何電極結構製造方法。透明掃描電極結構包括第一透明掃描電極、第二透明掃描電極及絕緣層。第一透明掃描電極包括低電阻區及高電阻區。高電阻區之電阻值係大於低電阻區。絕緣層係位於第一透明掃描電極及第二透明掃描電極之間。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠 | 證書號碼: I402740

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠 | 證書號碼: 8,558,722

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠 | 證書號碼: I402740

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠 | 證書號碼: 8,558,722

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , | 證書號碼: ZL200810211084.8

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 | 證書號碼: 8,384,215

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感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 | 證書號碼: 8,416,213

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200710184913.3

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200910202828.4

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: 8,391,520

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照明裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 | 證書號碼: I402456

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 | 證書號碼: 8,940,333

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , | 證書號碼: ZL200810211084.8

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 | 證書號碼: 8,384,215

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感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 | 證書號碼: 8,416,213

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200710184913.3

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200910202828.4

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: 8,391,520

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照明裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 | 證書號碼: I402456

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 | 證書號碼: 8,940,333

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一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 220265

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 6769945

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 | 證書號碼: 206590

主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 | 證書號碼: 202661

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 | 證書號碼: 6753655

形成具有分子排列之有機半導體層的方法,以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 | 證書號碼: 6737303

薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源 | 證書號碼: 189563

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲 | 證書號碼: 200395

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲 | 證書號碼: 6642595

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 | 證書號碼: 188234

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 | 證書號碼: 6663214

積體化流體元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁 | 證書號碼: 189552

電磁驅動光開關及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 盧慧娟, 李新立, 張文陽, 李政鴻 | 證書號碼: 191670

應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇 | 證書號碼: 206522

可撓性之光電傳輸匯流排

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 沈里正, 陳有志, 張恕銘, 柯志祥 | 證書號碼: 206592

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 220265

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 6769945

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 | 證書號碼: 206590

主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 | 證書號碼: 202661

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 | 證書號碼: 6753655

形成具有分子排列之有機半導體層的方法,以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 | 證書號碼: 6737303

薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源 | 證書號碼: 189563

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲 | 證書號碼: 200395

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲 | 證書號碼: 6642595

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 | 證書號碼: 188234

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 | 證書號碼: 6663214

積體化流體元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁 | 證書號碼: 189552

電磁驅動光開關及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 盧慧娟, 李新立, 張文陽, 李政鴻 | 證書號碼: 191670

應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇 | 證書號碼: 206522

可撓性之光電傳輸匯流排

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 沈里正, 陳有志, 張恕銘, 柯志祥 | 證書號碼: 206592

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