ApparatusofcontinuouslymanufacturingstoichiometricMG2NIhydrogenstoragecompound
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文ApparatusofcontinuouslymanufacturingstoichiometricMG2NIhydrogenstoragecompound的核准國家是美國, 執行單位是中科院材料所, 產出年度是101, 專利性質是發明, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 專利發明人是伍員鵬, 證書號碼是8137612B2.

序號	10753
產出年度	101
領域別	機械運輸
專利名稱-中文	ApparatusofcontinuouslymanufacturingstoichiometricMG2NIhydrogenstoragecompound
執行單位	中科院材料所
產出單位	中科院五所
計畫名稱	CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人	伍員鵬
核准國家	美國
獲證日期	101/03/20
證書號碼	8137612B2
專利期間起	101/03/20
專利期間訖	121/03/19
專利性質	發明
技術摘要-中文	先將鎂原料置放坩鍋中，並以?性氣體充入熔爐中，再使熔爐加熱熔解鎂金屬，再利用進料系統加入鎳原料，並以攪拌器充分攪拌，當MG2NI合金形成固相沉積後，將坩鍋中的熔液倒至另一組坩鍋中以分離液固相合金，再以坩鍋換置機構設計將二組坩鍋換置，以達到連續製造均質MG2NI合金之目的。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	伍員鵬
電話	03-4712201ext357219
傳真	03-4711024
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

10753

產出年度

101

領域別

機械運輸

專利名稱-中文

ApparatusofcontinuouslymanufacturingstoichiometricMG2NIhydrogenstoragecompound

執行單位

中科院材料所

產出單位

中科院五所

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

專利發明人

伍員鵬

核准國家

美國

獲證日期

101/03/20

證書號碼

8137612B2

專利期間起

101/03/20

專利期間訖

121/03/19

專利性質

發明

技術摘要-中文

先將鎂原料置放坩鍋中，並以?性氣體充入熔爐中，再使熔爐加熱熔解鎂金屬，再利用進料系統加入鎳原料，並以攪拌器充分攪拌，當MG2NI合金形成固相沉積後，將坩鍋中的熔液倒至另一組坩鍋中以分離液固相合金，再以坩鍋換置機構設計將二組坩鍋換置，以達到連續製造均質MG2NI合金之目的。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

伍員鵬

電話

03-4712201ext357219

傳真

03-4711024

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

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特殊情形

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鈦鎳功能性材料的熔製方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 伍員鵬、薄慧雲、鄭榮瑞、劉明浩 \| 證書號碼: I334447 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Method and Apparatus for Manufacturing High-Purity Hydrogen Storage Alloy Ma2Ni	核准國家: 美國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 新世代能源關鍵技術開發計畫 \| 專利發明人: 伍員鵬、聶若光 \| 證書號碼: 7651546B2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
高容量儲氫合金熔煉技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶粒大小：小於2μm 偏析度：99.8%以上儲氫量：大於3.0wt% \| 潛力預估: 搭配高功率燃料電池、鎳氫電池、3C行動電子產品及氫能汽車等具廣闊市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
限制光碟讀取次數之方法及限制層	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 伍員鵬、薄慧雲、李訓杰、葉建宏、黃鼎貴、周天佑、賴志輝、王東釧、巫諾文、陳怡礽 \| 證書號碼: I227014 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種可連續製造高純度Mg2Ni儲氫合金之方法與裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 綠色產業用金屬材料應用研究發展計畫 \| 專利發明人: 伍員鵬、薄慧雲、鄭榮瑞 \| 證書號碼: I341869 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種改善Ti-V-Cr系BCC儲氫合金活化性能之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 專利發明人: 鄭榮瑞;伍員鵬;聶若光;梁仕昌 \| 證書號碼: I393782 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種簡易生產高純度Ｍｇ2Ｎｉ儲氫合金之裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 專利發明人: 伍員鵬;鄭榮瑞;薄慧雲 \| 證書號碼: I393787 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種提升儲氫合金性能的熔製坩堝處理方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高值化金屬材料暨製造技術研發計畫 \| 專利發明人: 伍員鵬、薄慧雲、廖健鴻、劉明浩 \| 證書號碼: 403491 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸 \| 證書號碼: 206589
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微通道流體導引元件	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 \| 證書號碼: 188284
微通道流體導引元件	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 \| 證書號碼: 6725882
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移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 \| 證書號碼: 220255
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 \| 證書號碼: 192543
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 \| 證書號碼: 202861
有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 \| 證書號碼: 200178
直下式背光模組	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 \| 證書號碼: 200905
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 \| 證書號碼: 198431
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 \| 證書號碼: 6757189
改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 \| 證書號碼: 189045
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低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 \| 證書號碼: 196530

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產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

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專利期間起

專利期間訖

專利性質

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