半導體結構及其製造方法
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專利名稱-中文半導體結構及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是102, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是林哲歆 ,顧子琨, 證書號碼是I416679.

序號11685
產出年度102
領域別創新前瞻
專利名稱-中文半導體結構及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林哲歆 ,顧子琨
核准國家中華民國
獲證日期102/12/12
證書號碼I416679
專利期間起102/11/21
專利期間訖120/05/22
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體結構及其製造方法。此製造方法包括提供基底,其具有上表面以及下表面。在基底中形成多個第一開口,且所述第一開口從上表面往基底內延伸。進行氧化程序,以使具有第一開口之基底部分氧化,以形成氧化材料層,其中氧化材料層中具有多個第二開口。在第二開口內填入導電材料,以形成多個導電柱。在氧化材料層上形成第一元件層,其與導電柱之部份或全部電性連接。對基底之下表面進行薄化程序,直到導電柱以及氧化材料層暴露出來。在被暴露出來的氧化材料層上形成第二元件層,其與被暴露出來的導電柱之部份或全部電性連接。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

11685

產出年度

102

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

半導體結構及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院院本部

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

林哲歆 ,顧子琨

核准國家

中華民國

獲證日期

102/12/12

證書號碼

I416679

專利期間起

102/11/21

專利期間訖

120/05/22

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種半導體結構及其製造方法。此製造方法包括提供基底,其具有上表面以及下表面。在基底中形成多個第一開口,且所述第一開口從上表面往基底內延伸。進行氧化程序,以使具有第一開口之基底部分氧化,以形成氧化材料層,其中氧化材料層中具有多個第二開口。在第二開口內填入導電材料,以形成多個導電柱。在氧化材料層上形成第一元件層,其與導電柱之部份或全部電性連接。對基底之下表面進行薄化程序,直到導電柱以及氧化材料層暴露出來。在被暴露出來的氧化材料層上形成第二元件層,其與被暴露出來的導電柱之部份或全部電性連接。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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同步更新日期

2019-07-24

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具有應力吸收緩衝層之半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 張國仁、林家慶 | 證書號碼: I457985

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半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧轉能/儲能系統驅控與管理模組技術開發計畫 | 專利發明人: 李隆盛 ,李傳英 | 證書號碼: I521570

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氮化物半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 | 證書號碼: I386981

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半導體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林哲歆,顧子琨 | 證書號碼: 8309402

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半導體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: 8445995

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三維多層堆疊半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 王舜民 ,王勢輝 ,徐惇穎 ,李傳英 | 證書號碼: I405321

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氮化物半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 方彥翔 ,趙主立 ,葉沛璇 ,郭義德 | 證書號碼: I416723

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半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 節能電動化車輛關鍵模組技術暨產業化發展計畫 | 專利發明人: 彭明燦, 丁一華, 張欣宏 | 證書號碼: I433295

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具有應力吸收緩衝層之半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 張國仁、林家慶 | 證書號碼: I457985

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半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧轉能/儲能系統驅控與管理模組技術開發計畫 | 專利發明人: 李隆盛 ,李傳英 | 證書號碼: I521570

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氮化物半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 | 證書號碼: I386981

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半導體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林哲歆,顧子琨 | 證書號碼: 8309402

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半導體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: 8445995

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三維多層堆疊半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 王舜民 ,王勢輝 ,徐惇穎 ,李傳英 | 證書號碼: I405321

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氮化物半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 方彥翔 ,趙主立 ,葉沛璇 ,郭義德 | 證書號碼: I416723

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半導體結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 節能電動化車輛關鍵模組技術暨產業化發展計畫 | 專利發明人: 彭明燦, 丁一華, 張欣宏 | 證書號碼: I433295

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具有矽穿孔之雙重鑲嵌結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 廖書辰 ,顧子琨 ,林哲歆 ,曾培哲 ,何志宏 | 證書號碼: I441281

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矽穿孔基板結構及其堆疊組合

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 王寵智 ,曾培哲 ,林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: I500134

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

矽穿孔基板結構及其堆疊組合

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 王寵智 ,曾培哲 ,林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: 9,257,338

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基底穿孔的製造方法、矽穿孔結構及其電容控制方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳邇浩 ,林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: 9,257,322

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半導體結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳瑞琴 ,林哲歆 ,劉漢誠 ,顧子琨 | 證書號碼: I453864

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晶片接合結構及其接合方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: I534973

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具有矽穿孔之雙重鑲嵌結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 廖書辰 ,顧子琨 ,林哲歆 ,曾培哲 ,何志宏 | 證書號碼: I441281

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矽穿孔基板結構及其堆疊組合

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 王寵智 ,曾培哲 ,林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: I500134

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

矽穿孔基板結構及其堆疊組合

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 王寵智 ,曾培哲 ,林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: 9,257,338

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

基底穿孔的製造方法、矽穿孔結構及其電容控制方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳邇浩 ,林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: 9,257,322

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳瑞琴 ,林哲歆 ,劉漢誠 ,顧子琨 | 證書號碼: I453864

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晶片接合結構及其接合方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨 | 證書號碼: I534973

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , | 證書號碼: ZL200810211084.8

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 | 證書號碼: 8,384,215

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 | 證書號碼: 8,416,213

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200710184913.3

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200910202828.4

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: 8,391,520

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 | 證書號碼: I402456

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 | 證書號碼: 8,940,333

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , | 證書號碼: ZL200810211084.8

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 | 證書號碼: 8,384,215

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 | 證書號碼: 8,416,213

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200710184913.3

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200910202828.4

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: 8,391,520

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照明裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 | 證書號碼: I402456

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 | 證書號碼: 8,940,333

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與半導體結構及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

一種具抗菌性的不銹鋼

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 孫道中, 于作浩 | 證書號碼: TW 189417

光碟薄膜用相變化靶材之回收及再利用技術

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 溫志中, 賴明雄, 李秉璋 | 證書號碼: US 6,635,219

高高溫伸長率電解銅箔之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 192043

含細微化組織之合金靶材製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 | 證書號碼: TW 197245

電子連接器之後端電磁遮蔽元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖 | 證書號碼: US 6,705,897

具耐折性之電解銅箔的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 200903

具散熱結構之連接器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌 | 證書號碼: TW 206075

軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 | 證書號碼: TW 206917

廢棄晶片回收分離及純化之裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 溫志中, 鄭楚丕 | 證書號碼: TW 207333

場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱正茂, 郭鐘亮, 張光榮, 賴詩文, 栗愛綱, 賴宏仁, 橫山明聰 | 證書號碼: TW I224352

液晶面板及其製造方

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 溫俊祥, 吳耀庭, 鄭淑惠, 詹明香, 安川淳一, 桑原一 | 證書號碼: 182317

具有低介電常數之高頻電路基板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 黃仕穎, 陳永志, 王先毅, 鄭龍正, 陳俊昇 | 證書號碼: 185492

一種可增加膽固醇液晶反射波寬的方法及其應用

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆 | 證書號碼: 6669999

有機電致發光元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 | 證書號碼: 190466

有機電致發光元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 | 證書號碼: 6649284

一種具抗菌性的不銹鋼

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 孫道中, 于作浩 | 證書號碼: TW 189417

光碟薄膜用相變化靶材之回收及再利用技術

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 溫志中, 賴明雄, 李秉璋 | 證書號碼: US 6,635,219

高高溫伸長率電解銅箔之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 192043

含細微化組織之合金靶材製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 | 證書號碼: TW 197245

電子連接器之後端電磁遮蔽元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖 | 證書號碼: US 6,705,897

具耐折性之電解銅箔的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 200903

具散熱結構之連接器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌 | 證書號碼: TW 206075

軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 | 證書號碼: TW 206917

廢棄晶片回收分離及純化之裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 溫志中, 鄭楚丕 | 證書號碼: TW 207333

場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱正茂, 郭鐘亮, 張光榮, 賴詩文, 栗愛綱, 賴宏仁, 橫山明聰 | 證書號碼: TW I224352

液晶面板及其製造方

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 溫俊祥, 吳耀庭, 鄭淑惠, 詹明香, 安川淳一, 桑原一 | 證書號碼: 182317

具有低介電常數之高頻電路基板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 黃仕穎, 陳永志, 王先毅, 鄭龍正, 陳俊昇 | 證書號碼: 185492

一種可增加膽固醇液晶反射波寬的方法及其應用

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆 | 證書號碼: 6669999

有機電致發光元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 | 證書號碼: 190466

有機電致發光元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 王宜凡, 翁文國, 呂伯彥 | 證書號碼: 6649284

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