直通矽晶穿孔結構及其製程
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文直通矽晶穿孔結構及其製程的核准國家是美國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是102, 專利性質是發明, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 專利發明人是戴明吉 ,簡恆傑 ,謝明哲 ,洪瑞鋒 ,譚瑞敏 ,劉漢誠, 證書號碼是8,456,017.

序號	12054
產出年度	102
領域別	電資通光
專利名稱-中文	直通矽晶穿孔結構及其製程
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人	戴明吉 ,簡恆傑 ,謝明哲 ,洪瑞鋒 ,譚瑞敏 ,劉漢誠
核准國家	美國
獲證日期	102/07/16
證書號碼	8,456,017
專利期間起	102/06/04
專利期間訖	120/07/26
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種直通矽晶穿孔結構及其製程。透過添加填充高導熱與低熱膨脹係數顆粒於銅基材裡面，並使用填補的方法將複合材料填充於通孔內，不但可以降低直通矽晶穿孔結構的熱膨脹係數與其應力，亦可提升直通矽晶穿孔結構製程裡結構的熱傳。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	tephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

12054

產出年度

102

領域別

電資通光

專利名稱-中文

直通矽晶穿孔結構及其製程

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫

專利發明人

戴明吉 ,簡恆傑 ,謝明哲 ,洪瑞鋒 ,譚瑞敏 ,劉漢誠

核准國家

美國

獲證日期

102/07/16

證書號碼

8,456,017

專利期間起

102/06/04

專利期間訖

120/07/26

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種直通矽晶穿孔結構及其製程。透過添加填充高導熱與低熱膨脹係數顆粒於銅基材裡面，並使用填補的方法將複合材料填充於通孔內，不但可以降低直通矽晶穿孔結構的熱膨脹係數與其應力，亦可提升直通矽晶穿孔結構製程裡結構的熱傳。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

tephen.chung@itri.org.tw

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(空)

備註

(空)

特殊情形

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同步更新日期

2019-07-24

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直通矽晶穿孔結構及其製程

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 , \| 證書號碼: ZL200610058803.8 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁性記憶胞的結構、存取方法以及磁性記憶體電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 , \| 證書號碼: I320929 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏 \| 證書號碼: 8,397,584 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁阻式記憶陣列	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳啟明 ,洪建中 ,陳永祥 ,王連昌 , \| 證書號碼: 4448485 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁性存儲單元的結構、存取方法以及磁性存儲器電路	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 , \| 證書號碼: ZL200610084560.5 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: ZL200610071485.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 , \| 證書號碼: 7,577,017 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 ,王丁勇 , \| 證書號碼: 7,646,635 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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人造鰓溶氧擷取裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張嘉原, 吳龍男 \| 證書號碼: 224193
LOC接著劑材料用聚亞醯胺組成	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉淑芬, 金進興, 潘金平 \| 證書號碼: 88108721
一種全光域,高密度,高解析度,高倍速,高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層設計及其匹配材料	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚 \| 證書號碼: ZL00109664.8
在多層電路板中形成接觸孔之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳曼玲, 林顯光, 邱創新, 謝添壽, 劉佩青 \| 證書號碼: 6632372
具有三明治結構的陶瓷生胚	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕, 張鳴助, 王譯慧 \| 證書號碼: 220426
超高解析度可錄式光碟片	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐偉智, 蔡松雨, 曾美榕, 許世朋, 洪添燦, 郭博成 \| 證書號碼: 220834
高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡松雨, 洪添燦, 許世朋, 姜皞先 \| 證書號碼: 204070
全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚 \| 證書號碼: 6811948
單體電子元件結構之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 林鴻欽, 石啟仁, 葉信賢, 林慧霓, 施劭儒 \| 證書號碼: 183802
電路基板用樹脂組成物	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 \| 證書號碼: 196551
光資訊記錄媒體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕 \| 證書號碼: 6713148
低溫共燒陶瓷基板之高精度內埋元件的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄧文浩, 陳聰文, 洪尚河, 傅坤福 \| 證書號碼: 189386
正型光敏感性組成物、其製成物及其光阻圖形之形成方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 許聯崇, 金進興, 李柏毅, 鄭志龍 \| 證書號碼: 6670090
無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 \| 證書號碼: 207086
高精度低溫共燒陶瓷之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳聰文, 鄧文浩, 傅坤福, 張麗玲 \| 證書號碼: 189799

直通矽晶穿孔結構及其製程 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

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特殊情形

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