影像深度資訊更新方法及裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文影像深度資訊更新方法及裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是李家昶 ,廖惇利 ,丁文宏 ,陳柏戎, 證書號碼是I433054.

序號13185
產出年度103
領域別服務創新
專利名稱-中文影像深度資訊更新方法及裝置
執行單位工研院院本部
產出單位工研院南分院
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人李家昶 ,廖惇利 ,丁文宏 ,陳柏戎
核准國家中華民國
獲證日期103/04/01
證書號碼I433054
專利期間起119/10/28
專利期間訖一種影像深度資訊更新方法,應用於一影像深度資訊更新裝置,影像深度資訊更新裝置包括一儲存單元以及一運算單元,儲存單元儲存對應於一先前影像的先前深度圖。影像深度資訊更新方法包括下列步驟。運算單元將由一影像擷取單元所擷取的一當前影像分割為多個影像區塊。運算單元依據對應於先前深度圖計算每一影像區塊的深度參考值,並依據此些深度參考值決定每一影像區塊的權重。運算單元依據此些權重決定每一影像區塊的更新頻率。運算單元依據此些影像區塊的更新頻率分別對此些影像區塊進行更新,並產生對應於當前影像的當前深度圖。
專利性質發明
技術摘要-中文一種影像深度資訊更新方法,應用於一影像深度資訊更新裝置,影像深度資訊更新裝置包括一儲存單元以及一運算單元,儲存單元儲存對應於一先前影像的先前深度圖。影像深度資訊更新方法包括下列步驟。運算單元將由一影像擷取單元所擷取的一當前影像分割為多個影像區塊。運算單元依據對應於先前深度圖計算每一影像區塊的深度參考值,並依據此些深度參考值決定每一影像區塊的權重。運算單元依據此些權重決定每一影像區塊的更新頻率。運算單元依據此些影像區塊的更新頻率分別對此些影像區塊進行更新,並產生對應於當前影像的當前深度圖。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917955
傳真03-5917574
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

13185

產出年度

103

領域別

服務創新

專利名稱-中文

影像深度資訊更新方法及裝置

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院南分院

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

李家昶 ,廖惇利 ,丁文宏 ,陳柏戎

核准國家

中華民國

獲證日期

103/04/01

證書號碼

I433054

專利期間起

119/10/28

專利期間訖

一種影像深度資訊更新方法,應用於一影像深度資訊更新裝置,影像深度資訊更新裝置包括一儲存單元以及一運算單元,儲存單元儲存對應於一先前影像的先前深度圖。影像深度資訊更新方法包括下列步驟。運算單元將由一影像擷取單元所擷取的一當前影像分割為多個影像區塊。運算單元依據對應於先前深度圖計算每一影像區塊的深度參考值,並依據此些深度參考值決定每一影像區塊的權重。運算單元依據此些權重決定每一影像區塊的更新頻率。運算單元依據此些影像區塊的更新頻率分別對此些影像區塊進行更新,並產生對應於當前影像的當前深度圖。

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種影像深度資訊更新方法,應用於一影像深度資訊更新裝置,影像深度資訊更新裝置包括一儲存單元以及一運算單元,儲存單元儲存對應於一先前影像的先前深度圖。影像深度資訊更新方法包括下列步驟。運算單元將由一影像擷取單元所擷取的一當前影像分割為多個影像區塊。運算單元依據對應於先前深度圖計算每一影像區塊的深度參考值,並依據此些深度參考值決定每一影像區塊的權重。運算單元依據此些權重決定每一影像區塊的更新頻率。運算單元依據此些影像區塊的更新頻率分別對此些影像區塊進行更新,並產生對應於當前影像的當前深度圖。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917955

傳真

03-5917574

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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影像深度資訊更新方法及裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李家昶 ,廖惇利 ,丁文宏 ,陳柏戎 | 證書號碼: 8643643

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影像深度資訊更新方法及裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李家昶 ,廖惇利 ,丁文宏 ,陳柏戎 | 證書號碼: 8643643

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移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 198717

自組裝奈米導電凸塊及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 汪若蕙, 陳裕華 | 證書號碼: 200159

貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 李啟聖, 黃順發, 張榮芳, 許財源, 胡文智, 王亮棠 | 證書號碼: 200277

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 198717

自組裝奈米導電凸塊及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 汪若蕙, 陳裕華 | 證書號碼: 200159

貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 李啟聖, 黃順發, 張榮芳, 許財源, 胡文智, 王亮棠 | 證書號碼: 200277

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