流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置與製造方法
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專利名稱-中文流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置與製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I435990, 專利期間起是120/05/12, 專利期間訖是一種流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置、製造方法。其流體動壓軸封包括殼體、靜止環、旋轉環、流道與刻紋圖案。靜止環連接於殼體,其具有第一表面。旋轉環,係位於靜止環之一側,其具有第二表面。流道,係涵蓋靜止環與旋轉環之間的空間。刻紋圖案,係形成於第一表面及第二表面至少其中一者的全部或部分區..., 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是李旺龍 ,吳博雄 ,鍾崇仁 ,陳建佑 ,簡志維.

序號13188
產出年度103
領域別服務創新
專利名稱-中文流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置與製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院南分院
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人李旺龍 | 吳博雄 | 鍾崇仁 | 陳建佑 | 簡志維
核准國家中華民國
獲證日期103/05/01
證書號碼I435990
專利期間起120/05/12
專利期間訖一種流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置、製造方法。其流體動壓軸封包括殼體、靜止環、旋轉環、流道與刻紋圖案。靜止環連接於殼體,其具有第一表面。旋轉環,係位於靜止環之一側,其具有第二表面。流道,係涵蓋靜止環與旋轉環之間的空間。刻紋圖案,係形成於第一表面及第二表面至少其中一者的全部或部分區域,且形成刻紋圖案之刻痕具有不同的深淺。其中旋轉環藉由外部壓力抵向靜止環,使第一表面接觸第二表面,旋轉環並可相對於靜止環作同軸轉動,並於相對轉動時,第一表面與第二表面之間因空蝕現象而保持非接觸。
專利性質發明
技術摘要-中文一種流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置、製造方法。其流體動壓軸封包括殼體、靜止環、旋轉環、流道與刻紋圖案。靜止環連接於殼體,其具有第一表面。旋轉環,係位於靜止環之一側,其具有第二表面。流道,係涵蓋靜止環與旋轉環之間的空間。刻紋圖案,係形成於第一表面及第二表面至少其中一者的全部或部分區域,且形成刻紋圖案之刻痕具有不同的深淺。其中旋轉環藉由外部壓力抵向靜止環,使第一表面接觸第二表面,旋轉環並可相對於靜止環作同軸轉動,並於相對轉動時,第一表面與第二表面之間因空蝕現象而保持非接觸。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917958
傳真03-5917577
電子信箱noralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

13188

產出年度

103

領域別

服務創新

專利名稱-中文

流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置與製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院南分院

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

李旺龍 | 吳博雄 | 鍾崇仁 | 陳建佑 | 簡志維

核准國家

中華民國

獲證日期

103/05/01

證書號碼

I435990

專利期間起

120/05/12

專利期間訖

一種流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置、製造方法。其流體動壓軸封包括殼體、靜止環、旋轉環、流道與刻紋圖案。靜止環連接於殼體,其具有第一表面。旋轉環,係位於靜止環之一側,其具有第二表面。流道,係涵蓋靜止環與旋轉環之間的空間。刻紋圖案,係形成於第一表面及第二表面至少其中一者的全部或部分區域,且形成刻紋圖案之刻痕具有不同的深淺。其中旋轉環藉由外部壓力抵向靜止環,使第一表面接觸第二表面,旋轉環並可相對於靜止環作同軸轉動,並於相對轉動時,第一表面與第二表面之間因空蝕現象而保持非接觸。

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種流體動壓軸封內靜止環或旋轉環之表面結構及其製造裝置、製造方法。其流體動壓軸封包括殼體、靜止環、旋轉環、流道與刻紋圖案。靜止環連接於殼體,其具有第一表面。旋轉環,係位於靜止環之一側,其具有第二表面。流道,係涵蓋靜止環與旋轉環之間的空間。刻紋圖案,係形成於第一表面及第二表面至少其中一者的全部或部分區域,且形成刻紋圖案之刻痕具有不同的深淺。其中旋轉環藉由外部壓力抵向靜止環,使第一表面接觸第二表面,旋轉環並可相對於靜止環作同軸轉動,並於相對轉動時,第一表面與第二表面之間因空蝕現象而保持非接觸。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917958

傳真

03-5917577

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noralp@itri.org.tw

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強 | 莊景桑 | 張鈞傑

自組裝奈米導電凸塊及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200159 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 汪若蕙 | 陳裕華

貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200277 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥 | 李啟聖 | 黃順發 | 張榮芳 | 許財源 | 胡文智 | 王亮棠

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