氮化物半導體模板及其制作方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文氮化物半導體模板及其制作方法的核准國家是中國大陸, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是蔡政達 ,劉柏均, 證書號碼是ZL201010606225.3.

序號	13401
產出年度	103
領域別	服務創新
專利名稱-中文	氮化物半導體模板及其制作方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	蔡政達 ,劉柏均
核准國家	中國大陸
獲證日期	103/04/02
證書號碼	ZL201010606225.3
專利期間起	119/12/23
專利期間訖	一種氮化物半導體模板及其製作方法。氮化物半導體模板包括一具有一第一熱膨脹係數的承載基板、一具有一第二熱膨脹係數的氮化物半導體層以及一接合層，且第一熱膨脹係數不同於第二熱膨脹係數。配置於承載基板上的氮化物半導體層至少有10μm厚。氮化物半導體層在第一表面比上第二表面的一差排密度比值由0.1至10。接合層配置於承載基板與氮化物半導體層之間以使氮化物半導體層貼合至承載基板上。第二表面接近氮化物半導體層與接合層之間的一介面，而第一表面距離第二表面10μm。
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氮化物半導體模板及其製作方法。氮化物半導體模板包括一具有一第一熱膨脹係數的承載基板、一具有一第二熱膨脹係數的氮化物半導體層以及一接合層，且第一熱膨脹係數不同於第二熱膨脹係數。配置於承載基板上的氮化物半導體層至少有10μm厚。氮化物半導體層在第一表面比上第二表面的一差排密度比值由0.1至10。接合層配置於承載基板與氮化物半導體層之間以使氮化物半導體層貼合至承載基板上。第二表面接近氮化物半導體層與接合層之間的一介面，而第一表面距離第二表面10μm。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5918064
傳真	03-5917683
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

13401

產出年度

103

領域別

服務創新

專利名稱-中文

氮化物半導體模板及其制作方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

蔡政達 ,劉柏均

核准國家

中國大陸

獲證日期

103/04/02

證書號碼

ZL201010606225.3

專利期間起

119/12/23

專利期間訖

一種氮化物半導體模板及其製作方法。氮化物半導體模板包括一具有一第一熱膨脹係數的承載基板、一具有一第二熱膨脹係數的氮化物半導體層以及一接合層，且第一熱膨脹係數不同於第二熱膨脹係數。配置於承載基板上的氮化物半導體層至少有10μm厚。氮化物半導體層在第一表面比上第二表面的一差排密度比值由0.1至10。接合層配置於承載基板與氮化物半導體層之間以使氮化物半導體層貼合至承載基板上。第二表面接近氮化物半導體層與接合層之間的一介面，而第一表面距離第二表面10μm。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5918064

傳真

03-5917683

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

根據識別碼 ZL201010606225.3 找到的相關資料

無其他 ZL201010606225.3 資料。

[ 搜尋所有 ZL201010606225.3 ... ]

根據名稱氮化物半導體模板及其制作方法找到的相關資料

無其他氮化物半導體模板及其制作方法資料。

[ 搜尋所有 氮化物半導體模板及其制作方法 ... ]

根據姓名蔡政達劉柏均找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 蔡政達劉柏均 ...)

氮化物半導體襯底的制造方法及複合材料襯底	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , \| 證書號碼: ZL200610100109.8 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , \| 證書號碼: I334164 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , \| 證書號碼: 7687378 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 劉柏均,劉文岳,賴志銘,郭義德,蔡政達 \| 證書號碼: 8,058,705 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體基板、氮化物半導體層之形成方法以及其與基板之分離方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭義德 ,賴志銘 ,蔡政達 ,劉柏均 , \| 證書號碼: I319893 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體基板、氮化物半導體層之形成方法以及其與基板之分離方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭義德 ,賴志銘 ,蔡政達 ,劉柏均 , \| 證書號碼: 7772595 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
島狀式承載板及其制作方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭義德,蔡政達,劉柏均, \| 證書號碼: ZL200710181527.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
島狀式承載板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭義德,蔡政達,劉柏均, \| 證書號碼: I353657 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體襯底的制造方法及複合材料襯底

毫微型基地台中具有應用層閘道支援網路位址轉換的區域網際網路通訊協定存取系統與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 葛達 ,楊人順 ,王瑞堂 ,Shubhranshu Singh ,黃貴笠 \| 證書號碼: I431995 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
微波等離子體激發裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張志振 ,黃昆平 ,謝宇澤 \| 證書號碼: ZL201110065895.3 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
前置編碼與解碼的系統、裝置及方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王煥宗 ,黃德振 , \| 證書號碼: ZL200810085399.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
減少上行傳輸多基地台干擾的裝置及方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭秉衡 ,丁邦安 \| 證書號碼: 8605803 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
非接觸式擾動感測裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 趙哲寬 ,吳秉勳 \| 證書號碼: 8665098 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
組播廣播服務區域裡可靠同步裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭維翰 ,劉家隆 ,王瑞堂 ,楊人順 \| 證書號碼: I432062 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
認證方法、金鑰分配方法及認證與金鑰分配方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王瑞堂 ,黃貴笠 ,Shubhranshu Singh ,葛達 ,楊人順 \| 證書號碼: I432040 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
注入鎖定除頻器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張鴻埜 ,葉彥良 ,張家宏 ,陳俊仁 \| 證書號碼: I431943 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

一種金屬內外表面電解拋光裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏, 吳錦清, 鍾允昇, 涂運泉, 吳清吉, 彭永振 \| 證書號碼: 6776884
手持式光纖切割裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李文宇, 周大鑫 \| 證書號碼: 6754426
直結式主軸於機台上之安裝機構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡垂錫, 黃興杰, 陳義堂 \| 證書號碼: 6772660
具位置.速度與力量控制之晶片取放裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃國興, 劉俊賢, 李思慧, 張瀛方, 林宏毅, 徐嘉彬 \| 證書號碼: 6651865
無間隙3-D微結構陣列模仁之製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂 \| 證書號碼: 201594
無間隙3-D微結構陣列模仁之製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂 \| 證書號碼: 6,746,823
降低鎳基合金鍍層內應力之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 柯世宗, 李仁智, 葛明德, 王樂民, 宋鈺, 楊詔中, 黃雅如 \| 證書號碼: 6699379
球形工件加工裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林衛助, 蔡坤龍 \| 證書號碼: 211484
物件與膠膜分離之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 劉俊賢, 黃國興, 徐嘉彬, 洪嘉宏 \| 證書號碼: 194407
可三維即時修正之尋光方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 周甘霖, 李閔凱 \| 證書號碼: 188264
隔膜閥	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 吳錦清, 何榮振, 王漢聰 \| 證書號碼: 218453
二片式繞射/折射複合型成像系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘 \| 證書號碼: 220699
二片式繞射/折射複合型成像系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘 \| 證書號碼: 6,724,532
分離脆性材料的旋轉對位機構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳貴榮, 江錦忠 \| 證書號碼: 209926
改善非晶矽薄膜基板之製程方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林宏彝, 吳東權, 李三保 \| 證書號碼: 194454

氮化物半導體模板及其制作方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

同步更新日期

與氮化物半導體模板及其制作方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體模板及其制作方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部