石墨烯層的形成方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文石墨烯層的形成方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是黃昆平 ,張志振 ,謝宇澤 ,邱博文 ,亨利邁迪納, 證書號碼是8859044.

序號	13483
產出年度	103
領域別	服務創新
專利名稱-中文	石墨烯層的形成方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院機械所
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	黃昆平 ,張志振 ,謝宇澤 ,邱博文 ,亨利邁迪納
核准國家	美國
獲證日期	103/10/14
證書號碼	8859044
專利期間起	121/10/08
專利期間訖	本發明提供之石墨烯層的形成方法，包括：將基板置入電子磁旋共振裝置之腔室後，將腔室抽真空；將含碳氣體通入腔室中，使含碳氣體之壓力介於10-2torr至10-4torr之間；加熱基板，使基板溫度介於100℃至600℃之間；以微波輔以電子磁旋共振機制激發碳氫源氣體，以沉積石墨烯層於基板上。
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供之石墨烯層的形成方法，包括：將基板置入電子磁旋共振裝置之腔室後，將腔室抽真空；將含碳氣體通入腔室中，使含碳氣體之壓力介於10-2torr至10-4torr之間；加熱基板，使基板溫度介於100℃至600℃之間；以微波輔以電子磁旋共振機制激發碳氫源氣體，以沉積石墨烯層於基板上。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5918064
傳真	03-5917683
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

13483

產出年度

103

領域別

服務創新

專利名稱-中文

石墨烯層的形成方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院機械所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

黃昆平 ,張志振 ,謝宇澤 ,邱博文 ,亨利邁迪納

核准國家

美國

獲證日期

103/10/14

證書號碼

8859044

專利期間起

121/10/08

專利期間訖

本發明提供之石墨烯層的形成方法，包括：將基板置入電子磁旋共振裝置之腔室後，將腔室抽真空；將含碳氣體通入腔室中，使含碳氣體之壓力介於10-2torr至10-4torr之間；加熱基板，使基板溫度介於100℃至600℃之間；以微波輔以電子磁旋共振機制激發碳氫源氣體，以沉積石墨烯層於基板上。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5918064

傳真

03-5917683

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

根據識別碼 8859044 找到的相關資料

無其他 8859044 資料。

[ 搜尋所有 8859044 ... ]

根據名稱石墨烯層的形成方法找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 石墨烯層的形成方法 ...)

石墨烯層的形成方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 黃昆平 ,張志振 ,謝宇澤 ,邱博文 ,亨利邁迪納 \| 證書號碼: I458678 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
石墨烯層的形成方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 黃昆平 ,張志振 ,謝宇澤 ,邱博文 ,亨利邁迪納 \| 證書號碼: ZL201210264979.4 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

石墨烯層的形成方法

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

石墨烯層的形成方法

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

[ 搜尋所有 石墨烯層的形成方法 ... ]

根據姓名黃昆平張志振謝宇澤邱博文亨利邁迪納找到的相關資料

無其他黃昆平張志振謝宇澤邱博文亨利邁迪納資料。

[ 搜尋所有 黃昆平張志振謝宇澤邱博文亨利邁迪納 ... ]

根據電話 03-5918064 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5918064 ...)

毫微型基地台中具有應用層閘道支援網路位址轉換的區域網際網路通訊協定存取系統與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 葛達 ,楊人順 ,王瑞堂 ,Shubhranshu Singh ,黃貴笠 \| 證書號碼: I431995 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
微波等離子體激發裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張志振 ,黃昆平 ,謝宇澤 \| 證書號碼: ZL201110065895.3 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
前置編碼與解碼的系統、裝置及方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王煥宗 ,黃德振 , \| 證書號碼: ZL200810085399.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
減少上行傳輸多基地台干擾的裝置及方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭秉衡 ,丁邦安 \| 證書號碼: 8605803 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
非接觸式擾動感測裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 趙哲寬 ,吳秉勳 \| 證書號碼: 8665098 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
組播廣播服務區域裡可靠同步裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭維翰 ,劉家隆 ,王瑞堂 ,楊人順 \| 證書號碼: I432062 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
認證方法、金鑰分配方法及認證與金鑰分配方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王瑞堂 ,黃貴笠 ,Shubhranshu Singh ,葛達 ,楊人順 \| 證書號碼: I432040 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
注入鎖定除頻器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張鴻埜 ,葉彥良 ,張家宏 ,陳俊仁 \| 證書號碼: I431943 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

[ 搜尋所有 03-5918064 ... ]

與石墨烯層的形成方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為 \| 證書號碼: 223446
具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜 \| 證書號碼: 206598
橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸 \| 證書號碼: 206589
測試蝕刻速率的結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華 \| 證書號碼: 197248
微通道流體導引元件	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 \| 證書號碼: 188284
微通道流體導引元件	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 \| 證書號碼: 6725882
薄膜電晶體的結構、其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 \| 證書號碼: 198288
移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 \| 證書號碼: 220255
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 \| 證書號碼: 192543
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 \| 證書號碼: 202861
有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 \| 證書號碼: 200178
直下式背光模組	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 \| 證書號碼: 200905
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 \| 證書號碼: 198431
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 \| 證書號碼: 6757189
改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 \| 證書號碼: 189045

石墨烯層的形成方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

同步更新日期

與石墨烯層的形成方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

石墨烯層的形成方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部