具電性絕緣結構之微機電裝置及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具電性絕緣結構之微機電裝置及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是8,695,426, 專利期間起是121/02/04, 專利期間訖是一種具電性絕緣結構之微機電裝置,其包含一基板、一第一運動件、一第二運動件、複數個第一彈簧、複數個第二彈簧、複數個支撐座及一絕緣層。該絕緣層分別將該第一運動件、該第二運動件、各該支撐座、各該第一彈簧及各該第二彈簧分隔成相對應之第一導電部及第二導電部。該第一運動件包括一連接其第一導電部及第二導電部之第一..., 專利性質是發明, 執行單位是工研院南分院, 產出年度是103, 計畫名稱是南部新興產業發展關鍵技術計畫, 專利發明人是許郁文 ,林式庭 ,陳振頤 ,黃肇達.

序號13927
產出年度103
領域別製造精進
專利名稱-中文具電性絕緣結構之微機電裝置及其製造方法
執行單位工研院南分院
產出單位工研院南分院
計畫名稱南部新興產業發展關鍵技術計畫
專利發明人許郁文 | 林式庭 | 陳振頤 | 黃肇達
核准國家美國
獲證日期103/04/15
證書號碼8,695,426
專利期間起121/02/04
專利期間訖一種具電性絕緣結構之微機電裝置,其包含一基板、一第一運動件、一第二運動件、複數個第一彈簧、複數個第二彈簧、複數個支撐座及一絕緣層。該絕緣層分別將該第一運動件、該第二運動件、各該支撐座、各該第一彈簧及各該第二彈簧分隔成相對應之第一導電部及第二導電部。該第一運動件包括一連接其第一導電部及第二導電部之第一導電通柱,又該第二運動件包含一第一隔絕部,該第一隔絕部分隔該第二運動件之第二導電部為一外導電區及一內導電區。至少一該支撐座包括一第二隔絕部及一第二導電通柱,該第二隔絕部分隔該支撐座之第二導電部為一外導電區及一內導電區。該第二導電通柱連接該支撐座之外導電區及第一導電部。藉由該第一與第二導電通柱、該第一與第二導電部及該第一與第二隔絕部分,該電性絕緣結構之微機電裝置具有多個獨立且不相互連接之電性通道。
專利性質發明
技術摘要-中文一種具電性絕緣結構之微機電裝置,其包含一基板、一第一運動件、一第二運動件、複數個第一彈簧、複數個第二彈簧、複數個支撐座及一絕緣層。該絕緣層分別將該第一運動件、該第二運動件、各該支撐座、各該第一彈簧及各該第二彈簧分隔成相對應之第一導電部及第二導電部。該第一運動件包括一連接其第一導電部及第二導電部之第一導電通柱,又該第二運動件包含一第一隔絕部,該第一隔絕部分隔該第二運動件之第二導電部為一外導電區及一內導電區。至少一該支撐座包括一第二隔絕部及一第二導電通柱,該第二隔絕部分隔該支撐座之第二導電部為一外導電區及一內導電區。該第二導電通柱連接該支撐座之外導電區及第一導電部。藉由該第一與第二導電通柱、該第一與第二導電部及該第一與第二隔絕部分,該電性絕緣結構之微機電裝置具有多個獨立且不相互連接之電性通道。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)

序號

13927

產出年度

103

領域別

製造精進

專利名稱-中文

具電性絕緣結構之微機電裝置及其製造方法

執行單位

工研院南分院

產出單位

工研院南分院

計畫名稱

南部新興產業發展關鍵技術計畫

專利發明人

許郁文 | 林式庭 | 陳振頤 | 黃肇達

核准國家

美國

獲證日期

103/04/15

證書號碼

8,695,426

專利期間起

121/02/04

專利期間訖

一種具電性絕緣結構之微機電裝置,其包含一基板、一第一運動件、一第二運動件、複數個第一彈簧、複數個第二彈簧、複數個支撐座及一絕緣層。該絕緣層分別將該第一運動件、該第二運動件、各該支撐座、各該第一彈簧及各該第二彈簧分隔成相對應之第一導電部及第二導電部。該第一運動件包括一連接其第一導電部及第二導電部之第一導電通柱,又該第二運動件包含一第一隔絕部,該第一隔絕部分隔該第二運動件之第二導電部為一外導電區及一內導電區。至少一該支撐座包括一第二隔絕部及一第二導電通柱,該第二隔絕部分隔該支撐座之第二導電部為一外導電區及一內導電區。該第二導電通柱連接該支撐座之外導電區及第一導電部。藉由該第一與第二導電通柱、該第一與第二導電部及該第一與第二隔絕部分,該電性絕緣結構之微機電裝置具有多個獨立且不相互連接之電性通道。

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具電性絕緣結構之微機電裝置,其包含一基板、一第一運動件、一第二運動件、複數個第一彈簧、複數個第二彈簧、複數個支撐座及一絕緣層。該絕緣層分別將該第一運動件、該第二運動件、各該支撐座、各該第一彈簧及各該第二彈簧分隔成相對應之第一導電部及第二導電部。該第一運動件包括一連接其第一導電部及第二導電部之第一導電通柱,又該第二運動件包含一第一隔絕部,該第一隔絕部分隔該第二運動件之第二導電部為一外導電區及一內導電區。至少一該支撐座包括一第二隔絕部及一第二導電通柱,該第二隔絕部分隔該支撐座之第二導電部為一外導電區及一內導電區。該第二導電通柱連接該支撐座之外導電區及第一導電部。藉由該第一與第二導電通柱、該第一與第二導電部及該第一與第二隔絕部分,該電性絕緣結構之微機電裝置具有多個獨立且不相互連接之電性通道。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

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特殊情形

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具電性絕緣結構之微機電裝置及其製造方法

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核准國家: 美國 | 證書號碼: 8695426 | 專利期間起: 121/02/04 | 專利期間訖: 一種具電性絕緣結構之微機電裝置,其包含一基板、一第一運動件、一第二運動件、複數個第一彈簧、複數個第二彈簧、複數個支撐座及一絕緣層。該絕緣層分別將該第一運動件、該第二運動件、各該支撐座、各該第一彈簧及各... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 許郁文 ,林式庭 ,陳振頤 ,黃肇達

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照明裝置

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核准國家: 美國 | 證書號碼: 6769945 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206590 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武

主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202661 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6753655 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒

形成具有分子排列之有機半導體層的方法,以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6737303 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋

薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189563 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6642595 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188234 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663214 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝

積體化流體元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189552 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200260 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂

形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220265 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6769945 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206590 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武

主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202661 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6753655 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒

形成具有分子排列之有機半導體層的方法,以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6737303 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋

薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189563 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6642595 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188234 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663214 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝

積體化流體元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189552 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁

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