延伸薄膜及其制造方法
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專利名稱-中文延伸薄膜及其制造方法的核准國家是中國大陸, 證書號碼是ZL201210452664.2, 專利期間起是104/08/19, 專利期間訖是121/11/12, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材化所, 產出年度是104, 計畫名稱是化工產業高值化技術與應用發展計畫, 專利發明人是吳建邦 ,吳志宏 ,時國誠 ,洪啟源 ,李家豪 ,吳耀祖 ,陳志勇.

序號	15537
產出年度	104
領域別	民生福祉
專利名稱-中文	延伸薄膜及其制造方法
執行單位	工研院材化所
產出單位	工研院材化所
計畫名稱	化工產業高值化技術與應用發展計畫
專利發明人	吳建邦 \| 吳志宏 \| 時國誠 \| 洪啟源 \| 李家豪 \| 吳耀祖 \| 陳志勇
核准國家	中國大陸
獲證日期	104/09/21
證書號碼	ZL201210452664.2
專利期間起	104/08/19
專利期間訖	121/11/12
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種延伸薄膜及其製造方法。該延伸薄膜包括聚乳酸以及嵌段共聚物，其中，該嵌段共聚物係包括藉由化學鍵結合之第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段。該延伸薄膜係藉由混合聚乳酸及嵌段共聚物以形成混合物之步驟、押出該混合物以形成板體之步驟以及延伸該板體以形成延伸薄膜之步驟，製得具有高耐熱及高透光特性之延伸薄膜，可應用於包裝材料的用途。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

15537

產出年度

104

領域別

民生福祉

專利名稱-中文

延伸薄膜及其制造方法

執行單位

工研院材化所

產出單位

工研院材化所

計畫名稱

化工產業高值化技術與應用發展計畫

專利發明人

吳建邦 | 吳志宏 | 時國誠 | 洪啟源 | 李家豪 | 吳耀祖 | 陳志勇

核准國家

中國大陸

獲證日期

104/09/21

證書號碼

ZL201210452664.2

專利期間起

104/08/19

專利期間訖

121/11/12

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種延伸薄膜及其製造方法。該延伸薄膜包括聚乳酸以及嵌段共聚物，其中，該嵌段共聚物係包括藉由化學鍵結合之第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段。該延伸薄膜係藉由混合聚乳酸及嵌段共聚物以形成混合物之步驟、押出該混合物以形成板體之步驟以及延伸該板體以形成延伸薄膜之步驟，製得具有高耐熱及高透光特性之延伸薄膜，可應用於包裝材料的用途。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

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延伸薄膜及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I496676 \| 專利期間起: 104/08/21 \| 專利期間訖: 121/10/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 \| 專利發明人: 吳建邦 \| 吳志宏 \| 時國誠 \| 洪啟源 \| 李家豪 \| 吳耀祖 \| 陳志勇 @ 技術司專利資料集
延伸薄膜及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9,163,139 \| 專利期間起: 104/10/20 \| 專利期間訖: 123/01/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 \| 專利發明人: 吳建邦 \| 吳志宏 \| 時國誠 \| 洪啟源 \| 李家豪 \| 吳耀祖 \| 陳志勇 @ 技術司專利資料集
延伸薄膜及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9163139 \| 專利期間起: 104/10/20 \| 專利期間訖: 123/01/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 \| 專利發明人: 吳建邦 \| 吳志宏 \| 時國誠 \| 洪啟源 \| 李家豪 \| 吳耀祖 \| 陳志勇 @ 技術司專利資料集

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揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200810211084.8 \| 專利期間起: 102/01/23 \| 專利期間訖: 117/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 \| 劉昌和 @ 技術司專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,384,215 \| 專利期間起: 102/02/26 \| 專利期間訖: 120/06/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 \| 莊敬業 \| 林育民 @ 技術司專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,416,213 \| 專利期間起: 102/04/09 \| 專利期間訖: 120/03/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 \| 葉紹興 @ 技術司專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 \| 專利期間起: 102/03/20 \| 專利期間訖: 116/10/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 \| 專利期間起: 102/04/03 \| 專利期間訖: 118/05/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,391,520 \| 專利期間起: 102/03/05 \| 專利期間訖: 120/12/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I402456 \| 專利期間起: 102/07/21 \| 專利期間訖: 119/03/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 \| 許詔開 @ 技術司專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,940,333 \| 專利期間起: 104/01/27 \| 專利期間訖: 116/05/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發 \| 張學曾 \| 陳進富 \| 張原嘉 \| 甘霈 \| 林才祐 @ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

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感測裝置及其掃描驅動方法

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

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照明裝置

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

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用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6617264 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君 \| 蘇凱農 \| 李正中 \| 林鵬 \| 陳三元
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191653 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑 \| 曾明溪 \| 柯文旺 \| 王志耀 \| 陳宜孝
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6663278 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑 \| 曾明溪 \| 柯文旺 \| 王志耀 \| 陳宜孝
接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200260 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊學安 \| 李正中 \| 蕭名君 \| 黃榮堂
形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692983 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強 \| 莊景桑 \| 張鈞傑
可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184717 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥 \| 王文通 \| 戴遠東 \| 林炯暐 \| 陳麒麟 \| 廖宗能 \| 李啟聖
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220265 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚 \| 鄭華琦 \| 許志榮 \| 趙慶勳 \| 陳光中
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6769945 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚 \| 鄭華琦 \| 許志榮 \| 趙慶勳 \| 陳光中
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206590 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 李正中 \| 許志榮 \| 張悠揚 \| 何家充 \| 王右武
主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202661 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 陳建儒
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6753655 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 陳建儒
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6737303 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆 \| 周維揚 \| 許財源 \| 王右武 \| 何家充 \| 廖奇璋

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執行單位

產出單位

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