半導體基板
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文半導體基板的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳鵬書 ,李明林 ,吳仕先 ,劉淑芬, 證書號碼是I497661.

序號15661
產出年度104
領域別服務創新
專利名稱-中文半導體基板
執行單位工研院院本部
產出單位工研院電光所
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人陳鵬書 ,李明林 ,吳仕先 ,劉淑芬
核准國家中華民國
獲證日期104/09/14
證書號碼I497661
專利期間起104/08/21
專利期間訖121/08/14
專利性質發明
技術摘要-中文本發明揭露一種半導體基板,包括有具有相對之一第一表面與一第二表面之一基板、形成於該基板之一第一表面之一預定位置之一第一導電接墊、以及對應第一導電接墊之位置而形成於該基板之一第二表面之一預定位置之一第二導電接墊以及形成於基板中而與第一導電接墊以及第二導電接墊其中之一接觸之一導電柱。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

15661

產出年度

104

領域別

服務創新

專利名稱-中文

半導體基板

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陳鵬書 ,李明林 ,吳仕先 ,劉淑芬

核准國家

中華民國

獲證日期

104/09/14

證書號碼

I497661

專利期間起

104/08/21

專利期間訖

121/08/14

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明揭露一種半導體基板,包括有具有相對之一第一表面與一第二表面之一基板、形成於該基板之一第一表面之一預定位置之一第一導電接墊、以及對應第一導電接墊之位置而形成於該基板之一第二表面之一預定位置之一第二導電接墊以及形成於基板中而與第一導電接墊以及第二導電接墊其中之一接觸之一導電柱。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

根據識別碼 I497661 找到的相關資料

無其他 I497661 資料。

[ 搜尋所有 I497661 ... ]

根據名稱 半導體基板 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 半導體基板 ...)

發光二極體結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 許仲毅 ,林靖淵 ,林文山 ,何淑靜 | 證書號碼: I445210

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體基板、氮化物半導體層之形成方法以及其與基板之分離方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 郭義德 ,賴志銘 ,蔡政達 ,劉柏均 | 證書號碼: 8647901

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

具有異質接面之矽基太陽能電池及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 吳春森、翁敏航、陳威宇 | 證書號碼: I451578

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , | 證書號碼: I334164

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , | 證書號碼: 7687378

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉柏均,劉文岳,賴志銘,郭義德,蔡政達 | 證書號碼: 8,058,705

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體襯底的制造方法及複合材料襯底

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , | 證書號碼: ZL200610100109.8

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

碳化矽溝槽式蕭基能障元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 專利發明人: 顏誠廷 ,陳永祥 ,洪建中 ,李傳英 ,莊喬舜 ,陳開宇 ,黃正鑫 | 證書號碼: 8,766,279

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

發光二極體結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 許仲毅 ,林靖淵 ,林文山 ,何淑靜 | 證書號碼: I445210

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體基板、氮化物半導體層之形成方法以及其與基板之分離方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 郭義德 ,賴志銘 ,蔡政達 ,劉柏均 | 證書號碼: 8647901

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

具有異質接面之矽基太陽能電池及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 吳春森、翁敏航、陳威宇 | 證書號碼: I451578

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , | 證書號碼: I334164

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , | 證書號碼: 7687378

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體基板的製造方法及複合材料基板

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉柏均,劉文岳,賴志銘,郭義德,蔡政達 | 證書號碼: 8,058,705

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體襯底的制造方法及複合材料襯底

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉柏均 ,劉文岳 ,賴志銘 ,郭義德 ,蔡政達 , | 證書號碼: ZL200610100109.8

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

碳化矽溝槽式蕭基能障元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 | 專利發明人: 顏誠廷 ,陳永祥 ,洪建中 ,李傳英 ,莊喬舜 ,陳開宇 ,黃正鑫 | 證書號碼: 8,766,279

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

[ 搜尋所有 半導體基板 ... ]

根據姓名 陳鵬書 李明林 吳仕先 劉淑芬 找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 陳鵬書 李明林 吳仕先 劉淑芬 ...)

半導體基板

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳鵬書 ,李明林 ,吳仕先 ,劉淑芬 | 證書號碼: 9029984

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體基板

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳鵬書 ,李明林 ,吳仕先 ,劉淑芬 | 證書號碼: ZL201210367115.5

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體基板

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳鵬書 ,李明林 ,吳仕先 ,劉淑芬 | 證書號碼: 9029984

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體基板

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳鵬書 ,李明林 ,吳仕先 ,劉淑芬 | 證書號碼: ZL201210367115.5

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

[ 搜尋所有 陳鵬書 李明林 吳仕先 劉淑芬 ... ]

根據電話 03-5917812 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5917812 ...)

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , | 證書號碼: ZL200810211084.8

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 | 證書號碼: 8,384,215

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 | 證書號碼: 8,416,213

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200710184913.3

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200910202828.4

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: 8,391,520

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 | 證書號碼: I402456

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 | 證書號碼: 8,940,333

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , | 證書號碼: ZL200810211084.8

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 | 證書號碼: 8,384,215

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 | 證書號碼: 8,416,213

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200710184913.3

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200910202828.4

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: 8,391,520

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 | 證書號碼: I402456

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 | 證書號碼: 8,940,333

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

[ 搜尋所有 03-5917812 ... ]

在『經濟部產業技術司–專利資料集』資料集內搜尋:


與半導體基板同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

埋藏式電容結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 | 證書號碼: 192752

埋藏式電容結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 | 證書號碼: 6813138

超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為 | 證書號碼: 223446

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜 | 證書號碼: 206598

橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸 | 證書號碼: 206589

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華 | 證書號碼: 197248

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 188284

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 6725882

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 | 證書號碼: 198288

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

埋藏式電容結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 | 證書號碼: 192752

埋藏式電容結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 | 證書號碼: 6813138

超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為 | 證書號碼: 223446

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜 | 證書號碼: 206598

橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸 | 證書號碼: 206589

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華 | 證書號碼: 197248

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 188284

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 6725882

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 | 證書號碼: 198288

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

 |