氮化物半導體結構
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專利名稱-中文氮化物半導體結構的核准國家是美國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融, 證書號碼是8,946,775.

序號	15664
產出年度	104
領域別	服務創新
專利名稱-中文	氮化物半導體結構
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融
核准國家	美國
獲證日期	104/03/23
證書號碼	8,946,775
專利期間起	104/02/03
專利期間訖	121/10/13
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氮化物半導體結構，至少包括一矽基板、一AlN層、一AlGaN層以及形成於AlGaN層上的一GaN層。所述矽基板具有一表面，其與垂直(111)晶面的軸之間具有大於0度且小於等於0.5度的傾斜角度。所述AlN層形成於矽基板的所述表面上。所述AlGaN層形成於所述AlN層上。而所述AlGaN層的Al含量在從AlN層側往GaN層側的厚度方向上降低。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

15664

產出年度

104

領域別

服務創新

專利名稱-中文

氮化物半導體結構

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融

核准國家

美國

獲證日期

104/03/23

證書號碼

8,946,775

專利期間起

104/02/03

專利期間訖

121/10/13

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種氮化物半導體結構，至少包括一矽基板、一AlN層、一AlGaN層以及形成於AlGaN層上的一GaN層。所述矽基板具有一表面，其與垂直(111)晶面的軸之間具有大於0度且小於等於0.5度的傾斜角度。所述AlN層形成於矽基板的所述表面上。所述AlGaN層形成於所述AlN層上。而所述AlGaN層的Al含量在從AlN層側往GaN層側的厚度方向上降低。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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原日本海軍航空隊官舍(樂群村)

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氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融 \| 證書號碼: I482314 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 胡智威, 廖宸梓, 方彥翔, 宣融 \| 證書號碼: I482276 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 方彥翔, 呂健賓, 廖宸梓, 宣融, 傅毅耕, 胡智威, 劉訓志 \| 證書號碼: I491068 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體結構

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感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 \| 證書號碼: 8,416,213 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
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平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: 8,391,520 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 \| 證書號碼: I402456 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 \| 證書號碼: 8,940,333 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 呂芳俊, 盧思維, 樓百堯 \| 證書號碼: 184711
具有主動控制之可調式場發射顯示器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王右武, 李鈞道, 李正中 \| 證書號碼: 202493
氣動式微流體驅動裝置及方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾永強, 吳得群, 郭遠峰, 黃士豪 \| 證書號碼: 6682311
用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 \| 證書號碼: 184703
用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 \| 證書號碼: 6617264
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 191653
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6663278
接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 \| 證書號碼: 200260
形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 \| 證書號碼: 6692983
可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 \| 證書號碼: 184717
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 220265
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 \| 證書號碼: 6769945
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 \| 證書號碼: 206590
主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 202661
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 \| 證書號碼: 6753655

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執行單位

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