熱處理收料裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文熱處理收料裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是金屬中心, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是精微製造之系統整合與智慧化研發計畫, 專利發明人是楊濟華、羅萬中、黃家宏、卓廷彬、黃懷諄, 證書號碼是I504551.

序號16909
產出年度104
領域別製造精進
專利名稱-中文熱處理收料裝置
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人楊濟華、羅萬中、黃家宏、卓廷彬、黃懷諄
核准國家中華民國
獲證日期104/10/21
證書號碼I504551
專利期間起104/10/21
專利期間訖119/12/18
專利性質發明
技術摘要-中文此機台主要功能為由設計設備作為滲碳及淬火回火(調質)處理，加熱過程採用適當保護性爐氣，達到無氧化或脫碳之虞，設計須不得發生微型零件卡料或漏料等情況之精微熱處理收料機構。再藉由本專利的實施，可提供簡單有效的解決方案。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊濟華
電話07-3513121-3553
傳真07-3522170
電子信箱eapolitan@mail.mirdc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

16909

產出年度

104

領域別

製造精進

專利名稱-中文

熱處理收料裝置

執行單位

金屬中心

產出單位

金屬中心

計畫名稱

精微製造之系統整合與智慧化研發計畫

專利發明人

楊濟華、羅萬中、黃家宏、卓廷彬、黃懷諄

核准國家

中華民國

獲證日期

104/10/21

證書號碼

I504551

專利期間起

104/10/21

專利期間訖

119/12/18

專利性質

發明

技術摘要-中文

此機台主要功能為由設計設備作為滲碳及淬火回火(調質)處理，加熱過程採用適當保護性爐氣，達到無氧化或脫碳之虞，設計須不得發生微型零件卡料或漏料等情況之精微熱處理收料機構。再藉由本專利的實施，可提供簡單有效的解決方案。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊濟華

電話

07-3513121-3553

傳真

07-3522170

電子信箱

eapolitan@mail.mirdc.org.tw

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同步更新日期

2023-07-05

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# 熱處理收料裝置 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號16911
產出年度104
領域別製造精進
專利名稱-中文熱處理收料裝置
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人楊濟華、羅萬中、黃家宏、卓廷彬、黃懷諄
核准國家中國大陸
獲證日期104/11/04
證書號碼ZL201210575430.7
專利期間起104/11/04
專利期間訖119/12/24
專利性質發明
技術摘要-中文此機台主要功能為由設計設備作為滲碳及淬火回火(調質)處理，加熱過程採用適當保護性爐氣，達到無氧化或脫碳之虞，設計須不得發生微型零件卡料或漏料等情況之精微熱處理收料機構。再藉由本專利的實施，可提供簡單有效的解決方案。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊濟華
電話07-3513121-3553
傳真07-3522170
電子信箱eapolitan@mail.mirdc.org.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16911
產出年度: 104
領域別: 製造精進
專利名稱-中文: 熱處理收料裝置
執行單位: 金屬中心
產出單位: 金屬中心
計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人: 楊濟華、羅萬中、黃家宏、卓廷彬、黃懷諄
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 104/11/04
證書號碼: ZL201210575430.7
專利期間起: 104/11/04
專利期間訖: 119/12/24
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 此機台主要功能為由設計設備作為滲碳及淬火回火(調質)處理，加熱過程採用適當保護性爐氣，達到無氧化或脫碳之虞，設計須不得發生微型零件卡料或漏料等情況之精微熱處理收料機構。再藉由本專利的實施，可提供簡單有效的解決方案。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊濟華
電話: 07-3513121-3553
傳真: 07-3522170
電子信箱: eapolitan@mail.mirdc.org.tw
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# 07-3513121-3553 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號12914
產出年度102
領域別機械運輸
專利名稱-中文濺鍍設備之複合式滾筒機構
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
專利發明人楊濟華,莊道良,吳政諺,謝志男,高于迦
核准國家中華民國
獲證日期102/07/01
證書號碼I400351
專利期間起102/07/01
專利期間訖119/12/15
專利性質發明
技術摘要-中文一種濺鍍設備之複合式滾筒機構，其係包含有中空之滾筒本體、撥料塊及置料架，該滾筒本體係可由動力源驅動旋轉，其內部設有第一側面及第二側面，且於中央處架設濺鍍靶，另於該滾筒本體之第一側面上環佈裝設可供撥動翻轉工件之撥料塊，以進行滾鍍式之濺鍍作業，而第二側面上則裝設可延伸至濺鍍靶周側之置料架，以供架置固定另一型式工件，而可於進行滾鍍式濺鍍作業時，同時進行批次式之濺鍍作業；藉此，利用滾筒本體內之置料架，即可於滾筒本體內同時進行滾鍍式及批次式之濺鍍作業，且可依工件型式選擇適當之濺鍍作業方式，而於工件之表面均
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊濟華
電話07-3513121-3553
傳真07-3522170
電子信箱eapolitan@mail.mirdc.org.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12914
產出年度: 102
領域別: 機械運輸
專利名稱-中文: 濺鍍設備之複合式滾筒機構
執行單位: 金屬中心
產出單位: 金屬中心
計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
專利發明人: 楊濟華,莊道良,吳政諺,謝志男,高于迦
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/07/01
證書號碼: I400351
專利期間起: 102/07/01
專利期間訖: 119/12/15
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種濺鍍設備之複合式滾筒機構，其係包含有中空之滾筒本體、撥料塊及置料架，該滾筒本體係可由動力源驅動旋轉，其內部設有第一側面及第二側面，且於中央處架設濺鍍靶，另於該滾筒本體之第一側面上環佈裝設可供撥動翻轉工件之撥料塊，以進行滾鍍式之濺鍍作業，而第二側面上則裝設可延伸至濺鍍靶周側之置料架，以供架置固定另一型式工件，而可於進行滾鍍式濺鍍作業時，同時進行批次式之濺鍍作業；藉此，利用滾筒本體內之置料架，即可於滾筒本體內同時進行滾鍍式及批次式之濺鍍作業，且可依工件型式選擇適當之濺鍍作業方式，而於工件之表面均
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊濟華
電話: 07-3513121-3553
傳真: 07-3522170
電子信箱: eapolitan@mail.mirdc.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 07-3513121-3553 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號6525
產出年度102
技術名稱-中文高功率靶源類鑽碳膜濺鍍技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬中心產業技術環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文高功率濺鍍靶源應用於PVD真空鍍膜系統，目前以高速類鑽碳鍍膜沈積為技術開發標的，可較一般物理濺鍍提昇5倍以上之鍍膜速率，並可製作厚膜。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格類鑽碳膜，鍍膜速率≧2.8μm/h，薄膜附著力≧HF2，摩擦係數≦0.2
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍精密加工用刀具與成形模具等，精微零組件用功能性、裝飾性鍍膜。
潛力預估中等
聯絡人員高于迦
電話07-3513121#3553
傳真07-3522170
電子信箱yujia@mail.mirdc.org.tw
參考網址www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備真空濺鍍機、高功率靶源濺鍍模組
需具備之專業人才材料、機械、物理、化工
序號: 6525
產出年度: 102
技術名稱-中文: 高功率靶源類鑽碳膜濺鍍技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 高功率濺鍍靶源應用於PVD真空鍍膜系統，目前以高速類鑽碳鍍膜沈積為技術開發標的，可較一般物理濺鍍提昇5倍以上之鍍膜速率，並可製作厚膜。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 類鑽碳膜，鍍膜速率≧2.8μm/h，薄膜附著力≧HF2，摩擦係數≦0.2
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 精密加工用刀具與成形模具等，精微零組件用功能性、裝飾性鍍膜。
潛力預估: 中等
聯絡人員: 高于迦
電話: 07-3513121#3553
傳真: 07-3522170
電子信箱: yujia@mail.mirdc.org.tw
參考網址: www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備: 真空濺鍍機、高功率靶源濺鍍模組
需具備之專業人才: 材料、機械、物理、化工

# 07-3513121-3553 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號7081
產出年度103
技術名稱-中文金屬表面超細晶化系統
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬中心產業技術環境建構計畫
領域製造精進
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術可應用於金屬材料表面超細晶化，在金屬表層產生漸層結構之奈米、細晶及塑性變形層，大幅提昇材料之強度、耐疲勞性，並可藉由奈米晶層改變金屬表面之化學活性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格表面奈米層深度≧30μm，最小晶粒尺寸≦30nm。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍輕量化金屬板材、線管棒材強化、醫用金屬表面處理
潛力預估提昇金屬材料之性能與附加價值，促進國內廠商投資生產設備。
聯絡人員高于迦
電話07-3513121#3553
傳真07-3522170
電子信箱yujia@mail.mirdc.org.tw
參考網址www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備超音波模組、腔體控制模組
需具備之專業人才材料、機械
序號: 7081
產出年度: 103
技術名稱-中文: 金屬表面超細晶化系統
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫
領域: 製造精進
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術可應用於金屬材料表面超細晶化，在金屬表層產生漸層結構之奈米、細晶及塑性變形層，大幅提昇材料之強度、耐疲勞性，並可藉由奈米晶層改變金屬表面之化學活性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 表面奈米層深度≧30μm，最小晶粒尺寸≦30nm。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 輕量化金屬板材、線管棒材強化、醫用金屬表面處理
潛力預估: 提昇金屬材料之性能與附加價值，促進國內廠商投資生產設備。
聯絡人員: 高于迦
電話: 07-3513121#3553
傳真: 07-3522170
電子信箱: yujia@mail.mirdc.org.tw
參考網址: www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備: 超音波模組、腔體控制模組
需具備之專業人才: 材料、機械

# 07-3513121-3553 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號12918
產出年度102
領域別機械運輸
專利名稱-中文應用於滾筒式設備之撥料機
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
專利發明人楊濟華,高于迦
核准國家中華民國
獲證日期102/09/11
證書號碼I408002
專利期間起102/09/11
專利期間訖118/12/22
專利性質發明
技術摘要-中文一種應用於滾筒式設備之撥料機構，其可裝配於不同設備之滾筒內部，該撥料機構係於滾筒之內壁面環設有複數個撥料座，各撥料座係呈幾何形狀，並開設有複數個貫通前、後方且可呈不同角度之導槽，各導槽側方之塊體上則凹設或突起複數個呈幾何形狀之翻料部，於盛裝待加工物之滾筒轉動時，可使待加工物不斷碰觸各撥料座之導槽及翻料部，而連續翻轉不同角度，使得待加工物之各部位可均勻加工，並使流入於導槽內之待加工物依導槽路徑而分散撥料排出，以避免待加工物疊置；藉此，可利用各撥料座使待加工物於滾筒內作全面性之不同角度翻滾及分散撥料
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊濟華
電話07-3513121-3553
傳真07-3522170
電子信箱eapolitan@mail.mirdc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12918
產出年度: 102
領域別: 機械運輸
專利名稱-中文: 應用於滾筒式設備之撥料機
執行單位: 金屬中心
產出單位: 金屬中心
計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
專利發明人: 楊濟華,高于迦
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/09/11
證書號碼: I408002
專利期間起: 102/09/11
專利期間訖: 118/12/22
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種應用於滾筒式設備之撥料機構，其可裝配於不同設備之滾筒內部，該撥料機構係於滾筒之內壁面環設有複數個撥料座，各撥料座係呈幾何形狀，並開設有複數個貫通前、後方且可呈不同角度之導槽，各導槽側方之塊體上則凹設或突起複數個呈幾何形狀之翻料部，於盛裝待加工物之滾筒轉動時，可使待加工物不斷碰觸各撥料座之導槽及翻料部，而連續翻轉不同角度，使得待加工物之各部位可均勻加工，並使流入於導槽內之待加工物依導槽路徑而分散撥料排出，以避免待加工物疊置；藉此，可利用各撥料座使待加工物於滾筒內作全面性之不同角度翻滾及分散撥料
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊濟華
電話: 07-3513121-3553
傳真: 07-3522170
電子信箱: eapolitan@mail.mirdc.org.tw
參考網址: http://www.mirdc.org.tw
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 07-3513121-3553 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號16908
產出年度104
領域別製造精進
專利名稱-中文用於小型熱處理爐之爐氣產生裝置
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人楊濟華、羅萬中
核准國家中華民國
獲證日期104/09/21
證書號碼I500773
專利期間起104/09/21
專利期間訖119/11/03
專利性質發明
技術摘要-中文一種小型熱處理爐之爐氣產生裝置：1.嵌入熱處理爐內之小型爐氣產生器，使甲醇滴注液加熱分解成CO、H2保護性爐氣，用於金屬零件退火、正常化、淬火、滲碳熱處理之防氧化或脫碳。2.產生裝置另設有氮氣輸入管，用於調節爐氣成分，使爐氣具備吸熱型爐氣(endothermic gas)組成。3.產生裝置另設有空氣輸入管，用於裝置內積碳之燒除，以保護熱處理爐加熱器免於積碳而過熱毀損。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊濟華
電話07-3513121-3553
傳真07-3522170
電子信箱eapolitan@mail.mirdc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16908
產出年度: 104
領域別: 製造精進
專利名稱-中文: 用於小型熱處理爐之爐氣產生裝置
執行單位: 金屬中心
產出單位: 金屬中心
計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人: 楊濟華、羅萬中
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/09/21
證書號碼: I500773
專利期間起: 104/09/21
專利期間訖: 119/11/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種小型熱處理爐之爐氣產生裝置：1.嵌入熱處理爐內之小型爐氣產生器，使甲醇滴注液加熱分解成CO、H2保護性爐氣，用於金屬零件退火、正常化、淬火、滲碳熱處理之防氧化或脫碳。2.產生裝置另設有氮氣輸入管，用於調節爐氣成分，使爐氣具備吸熱型爐氣(endothermic gas)組成。3.產生裝置另設有空氣輸入管，用於裝置內積碳之燒除，以保護熱處理爐加熱器免於積碳而過熱毀損。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 楊濟華
電話: 07-3513121-3553
傳真: 07-3522170
電子信箱: eapolitan@mail.mirdc.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 07-3513121-3553 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號5360
產出年度100
技術名稱-中文熱電子源輔助類鑽碳膜濺鍍技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬中心產業技術環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文熱電子源複合物理濺鍍系統，目前以高速類鑽碳鍍膜為技術開發標的，可較一般物理濺鍍提昇3倍以上之鍍膜速率。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格類鑽碳膜，鍍膜速率≧1.5μm/h，薄膜硬度≧Hv2000，摩擦係數≦0.15，附著力≧70N。
技術成熟度雛型
可應用範圍精密加工用刀具與模具、微型零組件用功能性鍍膜。
潛力預估未來結合真空滾筒式鍍膜設備可大幅度提高微型零組件之量產速率，具備經濟、快速之優勢，可節省人工吊掛所需的時間。
聯絡人員高于迦
電話07-3513121轉3553
傳真07-3522170
電子信箱yujia@mail.mirdc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備真空濺鍍機、熱電子源模組。
需具備之專業人才材料、機械、物理、化工。
序號: 5360
產出年度: 100
技術名稱-中文: 熱電子源輔助類鑽碳膜濺鍍技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 熱電子源複合物理濺鍍系統，目前以高速類鑽碳鍍膜為技術開發標的，可較一般物理濺鍍提昇3倍以上之鍍膜速率。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 類鑽碳膜，鍍膜速率≧1.5μm/h，薄膜硬度≧Hv2000，摩擦係數≦0.15，附著力≧70N。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 精密加工用刀具與模具、微型零組件用功能性鍍膜。
潛力預估: 未來結合真空滾筒式鍍膜設備可大幅度提高微型零組件之量產速率，具備經濟、快速之優勢，可節省人工吊掛所需的時間。
聯絡人員: 高于迦
電話: 07-3513121轉3553
傳真: 07-3522170
電子信箱: yujia@mail.mirdc.org.tw
參考網址: http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備: 真空濺鍍機、熱電子源模組。
需具備之專業人才: 材料、機械、物理、化工。
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與熱處理收料裝置同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 198717

自組裝奈米導電凸塊及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 汪若蕙, 陳裕華 | 證書號碼: 200159

貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 李啟聖, 黃順發, 張榮芳, 許財源, 胡文智, 王亮棠 | 證書號碼: 200277

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 198717

自組裝奈米導電凸塊及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 汪若蕙, 陳裕華 | 證書號碼: 200159

貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 李啟聖, 黃順發, 張榮芳, 許財源, 胡文智, 王亮棠 | 證書號碼: 200277

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