矽磷難燃聚氨基甲酸酯彈體及其製作方法
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專利名稱-中文矽磷難燃聚氨基甲酸酯彈體及其製作方法的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是105, 專利性質是發明, 計畫名稱是高值化碳素材料開發與應用技術計畫, 專利發明人是李昌崙、沈北湖、江金龍, 證書號碼是I523879.

序號18489
產出年度105
領域別民生福祉
專利名稱-中文矽磷難燃聚氨基甲酸酯彈體及其製作方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人李昌崙、沈北湖、江金龍
核准國家中華民國
獲證日期105/03/01
證書號碼I523879
專利期間起105/03/01
專利期間訖123/03/23
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係為一種矽磷難燃聚氨基甲酸酯彈體及其製法,該彈體之結構係包含聚氨基甲酸酯結構、高分歧聚矽磷氧烷結構及鏈延長劑,其中該製法係由多元醇及異氰酸酯經聚合反應而得該聚氨基甲酸酯預聚物,由矽氧烷、含磷化合物及水反應製備出該高分歧聚矽磷氧烷複合物,將鏈延長劑加入該聚氨基甲酸酯預聚物及該高分歧聚矽磷氧烷複合物混合液中進行聚合反應後,經脫泡及熟化程序製得,藉此,運用聚矽磷氧烷共生增效組成物,提昇聚氨基甲酸酯彈體的難燃性。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李昌崙
電話04-27023051-503914
傳真04-27060522
電子信箱fungo6412@gmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

18489

產出年度

105

領域別

民生福祉

專利名稱-中文

矽磷難燃聚氨基甲酸酯彈體及其製作方法

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

中科院材料暨光電研究所

計畫名稱

高值化碳素材料開發與應用技術計畫

專利發明人

李昌崙、沈北湖、江金龍

核准國家

中華民國

獲證日期

105/03/01

證書號碼

I523879

專利期間起

105/03/01

專利期間訖

123/03/23

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係為一種矽磷難燃聚氨基甲酸酯彈體及其製法,該彈體之結構係包含聚氨基甲酸酯結構、高分歧聚矽磷氧烷結構及鏈延長劑,其中該製法係由多元醇及異氰酸酯經聚合反應而得該聚氨基甲酸酯預聚物,由矽氧烷、含磷化合物及水反應製備出該高分歧聚矽磷氧烷複合物,將鏈延長劑加入該聚氨基甲酸酯預聚物及該高分歧聚矽磷氧烷複合物混合液中進行聚合反應後,經脫泡及熟化程序製得,藉此,運用聚矽磷氧烷共生增效組成物,提昇聚氨基甲酸酯彈體的難燃性。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李昌崙

電話

04-27023051-503914

傳真

04-27060522

電子信箱

fungo6412@gmail.com

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特殊情形

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2019-07-24

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一種含有微膠龔聚磷酸鼓的聚氯基甲酸醋難燃材料之製備方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 專利發明人: 李昌崙、沈北湖、李乘清、江金龍 | 證書號碼: I544959

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一種含有微膠龔聚磷酸鼓的聚氯基甲酸醋難燃材料之製備方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 專利發明人: 李昌崙、沈北湖、李乘清、江金龍 | 證書號碼: I544959

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奈米粒子彈性體官能化表面安定處理技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米彈性材料原始強度提升200 % ,阻水阻氣提升50 %,抗撕裂強度提升100 % 。 | 潛力預估: 高壓阻油阻氣、密封性及耐磨耗性等,應用於環保型奈米彈性阻尼材、密封材,例如電子業相關滾筒及輪胎等工業上,達抗磨損,高強度,延壽,環保等需求。

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奈米聚氨基甲酸酯材料技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 提昇彈性材料之性能【彈性材料原始強度增加逾200% ,聚氨基甲酸酯阻斷材料原始強度增加逾50% 】 | 潛力預估: 具密封性及耐磨耗性等,應用於環保型奈米彈性阻尼材、密封材,例如製鞋工業。

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阻斷奈米彈性材料技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米彈性材料之性能提昇 Green Strength增加逾200% (聚氨基甲酸酯彈性阻斷材料逾50%),阻水阻氣性提昇逾40%,耐磨性能提昇逾50%、抗撕裂強度提昇逾50%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料,具環境阻斷與抗輻射之優點,可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。

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防腐蝕奈米改質壓克力塗料技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200%,IR輻射穿透率改善85%,阻水阻氣性提昇逾50%,耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料,具環境阻斷與抗輻射之優點,可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。

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奈米抗菌抗紫外線複合材料技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求,紫外光340nm波長穿透率小於10% | 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。

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奈米複合粉體技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 聚熱性:△T~-10℃ 總陽光反射率: >30%。 難燃等級: UL 94 V0 & HF-1 煙濃度: 90秒 <50 紫外線穿透率: 波長340nm <10% | 潛力預估: 汽車機車及大眾交通運輸、公共建築元件。

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奈米難燃不飽合聚脂複合材料技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 難燃性:UL94 V0煙濃度:4分鐘低於200毒性氣體含量:ABD 0031總鹵素含量:低於10ppm。 | 潛力預估: 大眾運輸與軌道車輛用複合材料元件

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奈米粒子彈性體官能化表面安定處理技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米彈性材料原始強度提升200 % ,阻水阻氣提升50 %,抗撕裂強度提升100 % 。 | 潛力預估: 高壓阻油阻氣、密封性及耐磨耗性等,應用於環保型奈米彈性阻尼材、密封材,例如電子業相關滾筒及輪胎等工業上,達抗磨損,高強度,延壽,環保等需求。

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奈米聚氨基甲酸酯材料技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 提昇彈性材料之性能【彈性材料原始強度增加逾200% ,聚氨基甲酸酯阻斷材料原始強度增加逾50% 】 | 潛力預估: 具密封性及耐磨耗性等,應用於環保型奈米彈性阻尼材、密封材,例如製鞋工業。

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阻斷奈米彈性材料技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米彈性材料之性能提昇 Green Strength增加逾200% (聚氨基甲酸酯彈性阻斷材料逾50%),阻水阻氣性提昇逾40%,耐磨性能提昇逾50%、抗撕裂強度提昇逾50%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料,具環境阻斷與抗輻射之優點,可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。

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防腐蝕奈米改質壓克力塗料技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200%,IR輻射穿透率改善85%,阻水阻氣性提昇逾50%,耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料,具環境阻斷與抗輻射之優點,可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。

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奈米抗菌抗紫外線複合材料技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 通過金黃色葡萄球菌及大腸桿菌抗菌試驗要求,紫外光340nm波長穿透率小於10% | 潛力預估: 建材、民生用品、筆記型電腦、手機等消費性電子產品之外殼。

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奈米複合粉體技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 聚熱性:△T~-10℃ 總陽光反射率: >30%。 難燃等級: UL 94 V0 & HF-1 煙濃度: 90秒 <50 紫外線穿透率: 波長340nm <10% | 潛力預估: 汽車機車及大眾交通運輸、公共建築元件。

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奈米難燃不飽合聚脂複合材料技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 難燃性:UL94 V0煙濃度:4分鐘低於200毒性氣體含量:ABD 0031總鹵素含量:低於10ppm。 | 潛力預估: 大眾運輸與軌道車輛用複合材料元件

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可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 | 證書號碼: 184717

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 220265

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 6769945

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 | 證書號碼: 206590

主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 | 證書號碼: 202661

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 | 證書號碼: 6753655

形成具有分子排列之有機半導體層的方法,以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 | 證書號碼: 6737303

薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源 | 證書號碼: 189563

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲 | 證書號碼: 200395

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲 | 證書號碼: 6642595

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 | 證書號碼: 188234

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 | 證書號碼: 6663214

積體化流體元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁 | 證書號碼: 189552

電磁驅動光開關及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 盧慧娟, 李新立, 張文陽, 李政鴻 | 證書號碼: 191670

應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇 | 證書號碼: 206522

可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖 | 證書號碼: 184717

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 220265

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中 | 證書號碼: 6769945

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 | 證書號碼: 206590

主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 | 證書號碼: 202661

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒 | 證書號碼: 6753655

形成具有分子排列之有機半導體層的方法,以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 | 證書號碼: 6737303

薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源 | 證書號碼: 189563

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲 | 證書號碼: 200395

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲 | 證書號碼: 6642595

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 | 證書號碼: 188234

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 | 證書號碼: 6663214

積體化流體元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁 | 證書號碼: 189552

電磁驅動光開關及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 盧慧娟, 李新立, 張文陽, 李政鴻 | 證書號碼: 191670

應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇 | 證書號碼: 206522

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